Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах cdxhg 1-xte с x = 0, 200 0, 225
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
4819471/25, 28.04.1990
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Ловягин Р. Н, Мигаль Н. Н, Гареева Е. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/324
Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах
Опубликовано: 20.05.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1816161-sposob-izgotovleniya-p-n-perekhodov-v-monokristallakh-cdxhg-1-xte-s-x-0-200-0-225.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах cdxhg 1-xte с x = 0, 200 0, 225</a>
Предыдущий патент: Полупроводниковый элемент памяти
Следующий патент: Преобразователь инфракрасного излучения в поток электронов
Случайный патент: 155918