Способ изготовления варикапов

Номер патента: 817081

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Гребеник, Гриднев, Духнов, Никитин, Поляков, Третьяков, Франценюк, Шаповалов

МПК: C21D 8/12

Метки: обработкихолоднокатаной, термической, электротехническойстали

...включений составля ет 0,018 - 0,025% объемных. Все это существенно увеличивает удельные потери и уменьшает магнитную индукцию, Увеличение температуры отжига выше 1200 С, увеличение времени выдержки более 2,5 ч или снижение скорости нагрева менее 4 С/мин способствует развитию ориентировки (110) ООЦ, .которая увеличивается до 50-80%, в результате чего значи. тельно ухудшается изотропность магнитных свойств.Окончательный отжиг проводят в колпачковых печах. В качестве защитной среды используют любую ненауглероживающую и безокислительную атмосферу: водород (предпочтительнее), азотный газ, вакуум и т.д. При регулировании температуры и выдержке реко.мендуется учитывать термичность отжига (по. вышенным температурам соответствуют пони. женные...

Номер патента: 880174

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, пластин, полупроводниковых

...того, в этом способе трудно реализовать 35высокую производительность процесса.Наиболее близким техническим реше"нием к настоящему изобретению является способ отжига полупроводниковыхпластин импульсами некогерентного .40электромагнитного излучения миллисекундного диапазона 13 1.Требуемая в этом способе высокаяплотность энергии и излучения приводитк необходимости использования форсиро 45ванного режима ламп-источников излучения, что существенно снижает ихдолговечность и отрицательно сказывается на надежности способа и безопасности работы. 50Кроме того, облучение пластин содной стороны создает условия для возникновения повышенных термических напряжений, особенно в начальный момент взаимодействия мощного луча света с поверхностью, что на...

Номер патента: 981396

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Рабинович, Тарасьев, Ярошенко

МПК: C21D 1/773

Метки: заготовок, нержавеющих, отжига, сплавов, сталей

...искомое уравнение (1). Выражение, стоящее перед знаком экспоненты,представляет собой начальное давлениеокислителя, при котором следует начинать процесс обеэуглероживания. Это(6) 45 50 давление для каждой марки стали находится экспериментально или расчетным путем в зависимости от толщины изделия (Ь), исходного содержания углерода (Со), температуры, влияющей на величины коэффициента диффузии Ре ) и констант 1 си .иВыражение, стоящее под знаком экспоненты, устанавливает закон, по которому следует снижать давление окис лителя по ходу процесса, чтобы на всем его протяжении поддерживать оптимальные условия обеэуглероживания. Сущность предлагаемого способзаключается в следующем.Заготовки подвергают высокотемпературному отжигу в вакууме с...

Номер патента: 1115851

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Бондаренко, Коломыйцев, Королев, Косенко, Курганский, Мухоид, Пекач, Трошин, Чумаков

МПК: B22F 1/00

Метки: восстановительного, металлических, отжига, порошков

...последовательно присоединены камера 2 нагрева, холодильник, выполненный в виде продольной камеры 3, и узел 4 разгрузки. Рабочая ветвь конвейерной ленты 5 размещена на основаниях указанных выше элементов. На выходе из камеры 3 нагрева под лентой 5 установлена опорная водоохлаждаемая плита 6. В потолочной стенке (не показана) холодильника выполнен проем, по контуру которого прикреплена крышка 7, выполненная с окнами 3, размещенными на ее продольной.оси. По проему потолочной стенки холодильника между крышкой 7 и,пентой 5 размещена плита 9 охлаждения, верхняя и нижняя поверхности (стенки) которой выполнены с нишаьж 10. В нишах нижней стенки плиты 9 размещены катки 11, выступающие над нижней плоскостью плиты 9 на регулируемое расстояние,...

Номер патента: 381300

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/26

Метки: дефектов, отжига, полупроводнике, радиациопных

...(рабочееченский, Г, А. Качурин, . С, Смирновибирского отделения АН СССР ЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВОДНИКЕ го) подвергалась бомбардировке протонами (Е = 10 кэв,= 0,08 мка(см 2) в течение 132 миц. Контрольный образец защищался от воздействия протонов металлическим экраном.Методом ЭПР проводилось сравнение числа 1%-цетров, связанных с дефектами, вносимыми ионным внедрением (1 в контрольном и рабочем образцах. Оказалось, что контрольный образец содержал Ю-цетров в 10 раз больше, чем образец, облучсццый протоцамп.Электроцограммы дифракции электронов на отражение подтвердили существенное улучшение структуры слоя, аморфизированного предварительной бомбардировкой ионами аргона.П р и м е р 2. Аналогичный результат по низкотемпературцому восстановлен;по...