Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур

Номер патента: 997139

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...во взаимно перпендикулярные электрическое ЕХ и магнитное Н поля, источник электрического напряжения 2,сопротивление нагрузки 3 и источниксильнопоглощаемого света 4.Если полупроводниковую пластину поместить во взаимно перпендикулярныеэлектрическое Еи магнитное Н поляи облучить сильнопоглощаемым светом,то на диффузионное растекание электронно-дырочных пар, созданных светом,55накладывается сила Лоренца Р (Фиг,1)Причем, если освещается поверхностьс максимальной скоростью поверхностной рекомбинации и сила Лоренца направлена к поверхности с минимальной 60скоростью поверхностной рекомбинации,фототок будет больше, чем в отсутствие силы Лоренца, так как уменьшается влияние поверхности с максимальнойскоростью поверхностной рекомбинации, 65...

Номер патента: 533892

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...магнитном поле электромагнита 11, соединен с крайней точкой переменного резистора 5, подвижный контакт которого соединен через резистор 4 с выходом источника постоянного тока 7 и через конденсатор 8 с измерительным прибором 9. Источник постоянного тока 10 подключен к памагничивающей обмотке электромагнита 11.Измеряемый образец 6 ориентирован относительно направления вектора напряженности магнитного поля так, чтобы в постоянном электрическом и магнитном полях носители тока отклонялись к стороне с малой скоростью поверхностной рекомбинации, т. е. чтобы наблюдалось уменьшение сопротивления образца,В случае, когда носители тока отклоняются к стороне с малой скоростью рекомбинации, наблюдается увеличение проводимости, которое,...

Номер патента: 763751

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Афанасьев, Болдырев, Буйко, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Кон, Лобанович

МПК: G01N 23/207

Метки: монокристалла, поверхностного, полупроводникового, слоя

...того, кривые дифракционных отражений от исследуемой и ненарушенной поверхности монокристалла получают с помощью поляризованных пучков рентгеновского излучения.и Чтобы пояснить физическую сущностьпредлагаемого способа, рассмотрим модель,описывающую дифракию на тонких кристаллических слоях. Кристалл (подложка)представляет собой плоскопараллельнуюплаСтину с идеальной кристаллической решеткой, на поверхности которой находитсянарушенный слой толщиной 1, При этомслой считается слабо отражающим. Этосправедливо при условии, когда толщина слоя 1.н меньше экстракционнойзь длины кристалла Еэ, которая в геометрии Брэгга зависит от порядка отраженияи величины структурной амплитуды. Рассеяние в такой ситуации описывается кинетической теорией....

Номер патента: 1791707

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Запевалов, Мищенчук, Христофоров

МПК: G01C 13/00

Метки: волн, поверхностных, скоростей, фазовых

...(малые размеры), а также позволяет использовать новый параметр - уклон для измерений фазовой скорости поверхностных волн и является новым. Другие измерители; подобные предлагаемому, не известны. Поэтому устройство соответствует критерию изобретения "существенные отличия".На фиг,1 схематично изображен один из возможных вариантов выполнения предлагаемого устройства при прямом прохождении луча лазера; на фиг,2 - то же, для положения, когда луч лазера смещен на величину б.,Предлагаемое устройство представляет собой лазер 1, заключенныйв герметичный корпус с кварцевым окном, фотоприемник 2, вычислитель 3 и узел параллельного смещения лазерного луча 4, помещенный в герметичный корпус с окнами, Узел параллельного смещения лазерного луча 4...

Номер патента: 119253

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Рубинштейн, Фистуль

МПК: G01R 27/08

Метки: кристаллов, поверхностной, полупроводниковых, проводимости

...по результатам измерений эффективного сопротивления кристалла, по спаду тока фото- проводимости, либо по измерению контактных потенциалов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в процессе измерений непосредственно определяют градиент потенциала вдоль образца, выполненного в виде клина с углом наклона не больше 7, к которому ток подводится через контакты, имеющие постоянное переходное сопротивление.На чертеке изобракена принципиальная схема определения поверхностной проводимости полупроводников по предлагаемому способу,Образец, с помощью которого производятся измерения, выполняется в виде клина 1 с углом наклона не более 7. К этому образцу через контакты с постоянным переходным сопротивлением подводится электрический...