Патенты с меткой «эпитаксии»

Номер патента: 476022

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Басовский, Богородский, Дерман

МПК: B01J 17/32

Метки: газовой, подложкодержатель, эпитаксии

...герметичной камеры 1, установленной на поддоне 2. Подложкодержатель изготовлен из стойкого к газовой среде материала, например графита, покрытого слоем поликристаллического кремния. В боковой поверхности подложкодержателя выполнены окна 3, в которые вставлены диски 4, На дисках размещены подложки 5. Для их установки в нижней части дисков имеется уступ 6. Подложки могут быть также установлены на штырьках 7, вставленных в диски. Поверхность дисков, обращенная к подложкам, - плоская, а внутреццяя поверхность слегка выпуклая. Внутри подложкодержателя установлен цагреватель сопротивления из графита.Подлоккодержатель работает следующим образом.Устававливают подложки 5, камеру 1 опускают ца поддон 2 ц цз нее продувкой инертцым газом...

Номер патента: 491405

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Басовский, Богородский

МПК: B01J 17/32

Метки: газовой, эпитаксии

...в бокоповерхности камеры выполнена канавка, в которой размещено кольцо б с приводными роликами.На фиг. 2 изображен нагреватель, состоя. щий из отдельных секций 11, 12, 13 и помещенный в подложкодержатель, Питание секций осуществляется через токоподводы 5.Устройство работает следующим образом.На подложкодержатель 2, установленный на промежуточном кольце 9, в котором находится нагреватель 4, загружают подложки 3, после чего устанавливают и герметпзируют колпак на опорной плите 10. Внутренний объем камеры 1 продувают инертным газом и затем водородом. В токе водорода подложкодержатель нагревают до 1100 - 1300 С и в водород вводят тетрахлорпд кремния, При этом на подложках 3 происходит осаждепие эпитаксиального слоя кремния. Во Время...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...

Номер патента: 621368

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Басовский, Дерман, Старшинов, Хазанов

МПК: B01J 17/32

Метки: газовой, эпитаксии

...представлено описываемое устройство, поперечный разрез.Устройство включает вертикальную реакционную камеру, внутри которой установлен полый графитовый подложкодержатель 1. На боковых сторонах подложкодержателя 1 размещены подложки 2. Внутри полого подложкодержателя 1 установлен с зазором графитовый нагреватель 3 сопротивления, закрепленный на водоохлаждаемых токоподводах 4.Вверху и внизу нагревателя выполнено по одной кольцевой проточке 5.Для увеличения электрического сопротивления нагреватель изготовлен разрезным, причем на конце резов 6 выполнены отверстия 7, обеспечивающие уменьшение плотности тока и соответственно перегрев на конце резов.Устройство работает следующим образом,1-1 а время загрузки реакционную камеру поднимают и на...

Номер патента: 669999

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Баранов, Бессолов, Лидейкис, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: варизонных, жидкостной, структур, эпитаксии

...на фиг. 2 - тоже, в процессе эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры переменной толщины; на фиг. 3система по окончании эпитаксиального наращивания полупроводниковойструктуры переменной толщины; наФиг, 4 - система перед началом эпитаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины; на Фиг. 5 - система по окончании эпнтаксиального наращивания полупроводниковой структуры постоянной толщины,Приняты следующие обозначения:расплав 1 рабочая камера 2, подложк3, пересыщающий расплав 4, полупроводниковая структура 5.П р и м е р . Процесс созданияполупроводниковой СаА 8 БЬ структуры, ширина запретной зоны которойизменяется по поверхности кристалла,проводят следующим образом,Графитовую кассету...

Номер патента: 852976

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Болховитянов

МПК: C30B 19/06

Метки: методомжидкостной, многослойныхполупроводниковых, структур, эпитаксии

...Чтобы подложки при поступательном движении кассеты не выпадали из нее, они запираютсяскобами 7 и 8. В корпусе имеется пространство 9 для дозировки раствора, соединенное с помощью малого отверстия 10 спространством 11 перед кассетой. В пространство 9 помещается поршень 12, который может перемещаться, Весь корпус закрывается направляющей 13 с блоком растворов 14, состоящим из нескольких емкостей 16 для растворов, В каждой емкостиимеется отверстие в дне. В направляющейтакже имеется отверстие, находящееся надпространством для дозировки раствора 9.Ниже кассеты в корпусе устройства находптся емкость 16 для сбора отработанного раствора. Скоба 7 одновременно является тяжем, с помощью которого осуществляется перемещение кассеты внутри собранного...

Номер патента: 1059031

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Голубев, Новиков, Шмарцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра, диаметр которого меньше диаметра.токоподвода подложкодержателя.Кроме того, с целью получения слоев с уменьшающейся концентрацией более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра с отверстием в центре й диаметром, равным диаметру токоподвода.Наличие диэлектрического вкладыша позволяет создат неоднородный контакт к .подложке - токоподвод тем самым осуществляют лишь к участкам, находящимся вне вклацыша. Это в свою очередь позволяет перераспределить рабочий ток по площади подложки и, следовательно, получить изменение состава по поверхности слоя. В частности, для достижения дополнительных целей токоподвод осуществляют к подложке с помощью кольцевого либо...

Номер патента: 807691

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Григорьев, Демин

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...боковых стенок тигля, заметным радиальным градиентам температуры раствора-расплава, через который пропускаются электрический ток, а следовательно, к неоднородным толщинам и неоднородному легированию выращиваемых слоев. Получаемые прессованием порошка при высоких температурах изоляторы иэ нитрида бора имеют шероховатую поверхность, и, как правило, не отвечают требованиям полупроводниковой чистоты. Кроме того, использование пластин и колец в качестве изоляторов сопряжено с существенными сложностями изготовления ячейки для проведения процесса выращивания. Так, например, пластину изолятора необходимо герметично крепить к графитовому блоку для того, чтобы исключить возможность затекания раствора-расплава в зазор между изолятором и...

Номер патента: 869386

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Демин, Кузнецов, Румянцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...осаждение на подложку. Кроме того, использование больших объемов галлия в качестве токоподводовможет привести к растворению подложки, вытравливанию в ней отверстия вместо контакта, приводящеек касанию галлия из держателя с раст 55вором-расплавом, а следовательнок прекращению роста пленки. Отсутст"вие крепления подложки к подложко 386 2держателю не позволяет сбрасыватьналипший раствор-расплав с подложки, что ведет к неконтролируемомуосаждению растворенного компонентана выросшую пленку после охлаждения подложки,Целью изобретения является повышение однородности выращенных слоевпо толщине и электрофизическимсвойствам.Цель достигается тем, что держатель подложки выполнен в виде цилиндра с отверстием в центре и установлен с возможностью...

Номер патента: 807693

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Заргарьянц

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, многослойных, структур, эпитаксии

...неоднородный растворн в результате ухудшается однородность свойств.Целью данного изобретения является повышение однородности растворарасплава за счет эффекта перемешивания во время его заливки на подложку,Указанная цель достигается тем,что в емкостях размещены подвижныеЬ-образные перегородки, в вертикаль- .ных стенках которых выполнены сквозные отверстия, а на внутренней поверхности каждой емкости, обращеннойк вертикальной стенке перегородки,выполнены пазы и в боковых стенкахкорпуса выполнены, выемки со скосами.Наличие сквозных отверстий в вертикальной стенке перегородки в случае совмещения с пазами в стенке емкости обеспечивает одновременное поступление раствора-расплава к подложке, установленной на подложкодержателе, с разных...

Номер патента: 1555401

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Ломовой, Марошек, Строцкий

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...включает вакуумную камеру, в которой размещен подложкодержатель.Подложкодержатель соединен со средствами вращения и наклона, Отличия устройства относятся к выполнению средст ва наклона, которое позволяет проводить измерения наращиваемого слоя в процессе роста, позволяет регулироо вать угол наклона в пределах 0-5 1 ил. разом,Упоры 8 и 9 регулируют по в 1 соте,при этом в исходном положении сланец13 взаимодействует с упором 3, а приповороте корпуса 7 фланец 13 взаимодействует с упором 9 и обеспечиваетнаклон подложкодержателя в пределахоПри проведении измерений выраого на подложке 14 слоя, не остандвливая вращение штока 2, с помоцью винта 12 фланец 13 поднимают до взаимодействия с упором 9, при этом штифт 11 перемещается .по пазу 10 сф...

Номер патента: 1574698

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Ангилов, Белоусов, Исаев, Михайлов, Потоков

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...этом на внешней боковой поверхности криопанели 2 находятся в основном соединения группы В(АЯ,Р), а на внутренней поверхности - как соединения группы Аз (ба, 1 п), так и соединения группы Вь(АБ, Р), и соединения АзВь. Из криопанелей 2 при помощи газообразного подогретого до 40 - 100 С азота удаляют жидкий хладагент, В дополнительную криопанель 3 непрерывно заливают жидкий хладагент. Включают нагреватель 6, блок молекулярных источников 5, внешние нагреватели ростовой камеры 1, средства 19 и прогревают камеру роста 1 до 100 - 200 С. Давление в камере 1 поддерживают при помощи средства 19 и путем сорбции на охлажденную поверхность дополнительной криопанели 3 при непрерывной заливке жидкого хлад- агента.Включается при помощи ЭВМ 49 черезблок...

Номер патента: 1581786

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Малкин

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Метки: жидкофазной, испаряющегося, методом, растворителя, эпитаксии

...параллельные сквозные канавки так, чтобы вершины канавок образовывали систему параллельных щелей с шириной 10 мкм. Затем пластину термически окисляют до образования на ней прочного окисла 80 2, который защищает ее от раэрущения расплавами и галогенидами.На подложке СаЛя марки АГЧТ обычным методом (со снижением температуры) в тигле предварительно выращивают последовательно буферный слой СаЛз, ограничивающий слой А 1 О СаАз толщиной2 мкм и ограничивающии слой А 1,Са Аз (2 10 см )толщиной 1,3 мкм. После этого температуру стабилизируют на уровне 600 С, полупроницаемую перегородку из кремния прижимают к расплаву галлия, насыщенного мышьяком. Подложку СаАз размещают в углублении ползуна, причем толщина подложки 160 мкм при глубине углубления...

Номер патента: 1638218

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Ложкин, Малкин, Тимина

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...подвижной подставки 11, в качестве которой используют, например, винт. Затем загружают емкости 2 исходными растворами-расплавами, Устройство нагревают до температуры гомогенизации расплава и после выдержки охлаждают до температуры начала эпитаксии. При этом поршень 8 при помощи штока 13 поднимают, заполняют раствором-расплавом камеру 6 роста через канал 7, поршень 8 опускают, На поверхности подложки 1 О создаютслой раствора-расплава переменной толщины в соответствии с рельефной поверхностью 9 поршня 8. Производят наращивание пленки.Для получения пленок с различным рельефом и различными электрическими свойствами импользуют поршень 8, имекщий участки с различным типом рельефов (фиг. 2). Например, дополни тельный поршень 8 имеет два...

Номер патента: 1650798

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Антощенко, Байганатова, Таурбаев

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...внутренней поверхности фильеры выполнено углубление, образующее с горизонтально острый угол. 4 ил. меру 6 и камеру 7 роста. Дном камеры 7 роста служит подложкодержатель 8 с размещенной в его углублении подложкой 9, Поршневая камера б и камера 7 роста сообщаются между собой при помощи фильеры 10, выходное отверстие которой выполнено в виде горизонтальной щели 11. На внутренней поверхности фильеры 10 выполнено углубление 12, образующее острый угол к горизонтали по всей ширине камеры 7 роста. Под подложкодержателем 8 размещена емкость 13 для отработанного расплакости 2 контеинера 1 поме мое количество расплавов, а подложкодержателя 8 - подл гомогениэации расплава при эпитаксии первый расплав с1650798ния подложки, что дополнительно...

Номер патента: 1650800

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Воробьев, Скульский, Тибилов

МПК: C30B 25/14

Метки: газов, газофазной, подачи, реактор, эпитаксии

...примеру 1, толькооткрывается клапан 13, при этом сбросовыйпоток Мз = 100 см/мин, превышает величину И 1" = 90 см/мин, весь входной потокЙ 1 уходит в сбросовую линию 10, дополняясь чистым газом-носителем из линии 7,Этот дополнительный поток (100-М 1) поступает из дополнительной линии на ретродиффузионном участке навстречудиффундирующим парам ДМК, В зависимости от его величины меняется концентрацияпродиффудировавших против встречногопотока паров ДМК, Величина встречного потока (100 - й) и концентрация ДМК навыходе регулируются путем изменениявходного потока й с помощью вентиля 3. Экспериментальная зависимость. концентрации ДМК на выходе из канала отвеличины К 1 приведена на фиг. 2.П р и м е р 3, Прекращение подачилегирующей примеси...

Номер патента: 1663061

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Веселы, Микишка, Слезак

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, затвор, реактора, эпитаксии

...манжетами и уплотнительной кромкой нижнего подшипника, Газораспределительная система выполнена так, что часть чистого газа поступает в пространство манжет штока, а оттуда через центр штока подложкодержателя в реактор, Манжеты штока не соприкасаются с агрессивными материалами, используемыми в процессе эпитаксии, и охлаждаются протекающим газом. Вторая часть газа подводится в зазор между экраном и фланцем и полностью пропаласкивается газом. Экран термоэкранирует фланец и обеспечивает подогрев верхней части подложкодержателя возвратным излучением. Это конструктивное решение позволяет использовать для уплотнения вращающихся валов дешевых и доступных манжет и одновременно препятстует осаждению продуктов реакции надэкраном, которые являются...

Номер патента: 1673653

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Исаев, Никулов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, мос-гидридной, полупроводниковых, соединений, технологии, эпитаксии

...8, калорифер, дросселирующий клапан 10, фильтр 9 и выбросом через предохранительный клапан 15 в атмосферу с поджигом водорода в факеле 14. Парогазовая смесь в трубопроводе сброса, проходя через регулятор 18 давления, калорифер, электромагнитный клапан 16, фильтр 9, откачивается либо насосом б, либо, минуя насос б, при закрытом клапане 7 попадает в атмосферу, проходя через электромагнитный клапан 21 и предохранительный клапан 16. Если процесс эпитаксии в реакторе 2 осуществляют при атмосферном давлении, то парогазовая смесь после реактора 2 обычно проходит через оба калорифера, При этом все электронамагниченные клапаны, кроме клапана 7, и дросселирующий клапан 10 открыты и парогазовая смесь проходит через предохранительный. клапан 16....

Номер патента: 1674295

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Арсентьев, Васильев, Гарбузов, Журавкевич

МПК: G05D 27/00, H01L 21/208

Метки: гетероэпитаксиальных, жидкофазной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...клапаном, расположенным на фланце реактора 13. Во время движения штока электромагнитный клапан приоткрывается, обеспечивая свободный ход штока в уплотнении, а во время остановок он закрывается, обеспечивая надежное уплотнение штока и предотвращая попадание воздуха в реактор. Такимобразом, предлагаемая установка позволяет перемещать подложку под расплавами спостоянной стабилизированной скоростью заданной величины.П р и м е р, Создана автоматизированная установка для выращивания сверхтонких ( 10 см) полупроводниковых слоевметодом жидкостной эпитаксии на движущуюся подложку;Установка состоит из диффузионной печи "СДО - 125", кварцевого реактора с размещен ной внутри неподвижной графитовой кассетой с подвижной частью (слайдера), которая...

Номер патента: 1686043

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Кемарский, Кульчицкий, Надирашвили

МПК: C30B 23/08, C30B 29/40

Метки: методом, многокомпонентных, молекулярно-лучевой, структур, эпитаксии

...атомов и молекул, полностью осаждается криопанелями сверхвы соковакуумной технологической камеры.На чертеже приведены зависимости интенсивности молекулярных пучков от времени, где 1 - зависимость для первичных молекулярных пучков, 2 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при непрерывном осаждении компо 10 20 25 30 35 40 45 50 55 нентов, 3 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при импульсном осаждении (по предлагаемомуспособу),Площадь, ограниченная кривыми 2 и 3 иосью времени, отображает число десорбированных атомов или молекул за время 1, При непрерывном осаждении в течение достаточно длительного периода почти всеатомы или молекулы, попадающие на поверхность подложки, оказываются десорбированы...

Номер патента: 799521

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Гребнев, Денисов, Дорджин, Крошков, Кузнецов, Ржанов, Томашевский, Щекочихин

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярнолучевой, эпитаксии

...к выключению установки на 40-50 ч, что также снижает производительность этих установок,Кроме того, такая компановка камер и наличие жесткой связи существенно усложняет ремонт и запуск устройства, .ограничивает возможность перестройки на другую технологию.Цель изобретения - повышение производительности и чистоты процесса.Эта цель достигается тем, что средствадля загрузки и выгрузки подложек размещены в отдельных камерах, снабженных ваку 15 умными затворами, а система дляперемещения подложек выполнена в видетранспортного канала, снабженного самостоятельным средством вакуумирования,кареткой, соединенной с механизмом пере 20 мещения и размещенной внутри канала нанаправляющих, и боковыми фланцами длясоединения с вакуумными затворами...

Номер патента: 1231920

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Денисов, Кузнецов, Ляпин, Никандров

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...на базе магниторазрядного или гелиевого насоса с криогенератором. Вакуумные шиберные затворы 8. имеют злектроприводы 71 для открытия и закрытияуплотнительных клапанов,Технологические вакуумные камеры 4,5 и 6 выполнены по единой схеме и отличаются компановкой и составом технологических и аналитических устройств входящих в них. Каждая камера имеет автономные откачные средства, прецизионные манипуляторы 72 с5 10 15 20 30 35 40 45 50 55 приводами 73 для поворота подложек 62 внутри камеры относительно технологических и аналитических устройств, перемещения и управления захватом при передаче подложек в камеру и обратно. На приводах всей установки снаружи расположены датчики (не показаны), контролирующие перемещение и взаимодействие механизмов...

Номер патента: 1700113

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Блинов

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...иэкраном 22. Полость кольцевой камеры 16соединена с питателем 23 веществ с помощью трубки 24, снабженной компенсатором 25. На питающей магистрали камера 16- питатель 23 установлен вентиль 26, Камера 16 может быть выполнена иэ отдельныхнезависимых секторов. 15В варианте исполнения (фиг.2) камера1 соединена с питателем 23 через тигель27, окруженный электронагревательнойспиралью 28, закрепленной в изоляторах 29и помещенный в корпус 30. Для конроля 20температуры испаряемого вещества предусмотрена термопара 31,Работа устройства может быть описанана примере использования варианта исполнения с тиглем (фиг.2), 25При нагреве электрической спирали 28происходит испарение вещества в тигле 27.Пары, поступая через трубку 25 в кольцевуюкамеру 16,...

Номер патента: 1074161

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Арендаренко, Барил, Минаждинов, Мягков, Овечкин, Слепнев, Федоров

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, полупроводниковых, соединений, эпитаксии

...подложкодержателем соосно с нимпо высоте (0,1-0,15)Вд и выполненв виде тора диаметром (11-1,2)Ппс отверстиями на внутренней его поверхности, гдеи диаметр подложкодержателя. Кроме того, экран расположен от подложкодержателя на высоте (О 3 0,4) 0 п,На чертеже показано устройстводля газовой эпитаксии полупроводниковых соединений.Устройство вклюцает реакционнуюкамеру, состоящую из крышки 1 и основания 2, внутри которой расположены подложкодержатель 3 в видедиска с отверстием 4 в центре длявывода ПГС, газораспределитель 5,выполненный в виде тора с отверстиями на внутренней его поверхностидля ввода ПГС, установленный надподложкодержателем 3 соосно с ним,и экран 6, расположенный над газораспределителем 5. Подложкодержатель 3 может быть...

Номер патента: 1707090

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Гусейнов, Раджабли, Эминов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...многократного использования устройства, так как для извлечения подложки вместе с выра ценным слоем из ампулы последнюю необходимо либо разбить, либо разрезать в области расположения пробки, приваренной к ампуле.Цель изобретения - исключение попадания на подложку частиц нерастворенного вещества и окисной пленки и многократное использование устройства.Укаэанная цель достигается тем, что е Устройстве для жидкофазной эпитаксии, со:.,: дщем из кварцевой ампулы. пробки, емкое и с раствором-расплавом и держателя подложки, держатель подложки выполнен в аиде воронки и прижима е форме перевернутого стакана, охватывающего воронку, причем узкое основание воронки выполнено зубчатым. а между держателем подложки и пробкой ампулы установлен...

Номер патента: 1724744

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Лиманов, Молоствов, Пашкуденко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/06, H01L 21/20 ...

Метки: боковой, кремнии, кремния, методом, окисленном, ориентированных, пленок, эпитаксии

...глубину. В случае использования в окрестности затравочных окон пленок кремния толщиной более 0,8 мкм плавление подложки практически не имеет места. Если ширина участка с повышенной толщиной пленки кремния меньше 10 мкм (по 3 мкм с двух сторон затравочного окна и 4 мкм ширина окна), теплоотвод от затравочного окна осуществляется недостаточно эффективно. Увеличение ширины затравочного окна также приводит к снижению эффективности способа, Толщина пленки на этих участках выбирается исходя из того, что, если она превышает толщину пленки на рабочих участках менее, чем в 1,5 раза, не удается избежать локального плавления подложки. Максимальное значение отношения толщин пленки кремния используется для пленок толщиной около 0,2 мкм и...

Номер патента: 1772702

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Асеев, Вырыпаев, Красильников, Латышев

МПК: G01N 23/225

Метки: исследования, микроскоп, молекулярно-лучевой, процессов, электронный, эпитаксии

...содержит систему дифференциальной криогенной откачки, которая представляет собой полый цилиндр 1, установленный по оптической оси микроскопа. Боковые стенки цилиндра выполнены с внутренними каналами 2, которые соединяются с источником хладагента, например жидкого азота. В торцевых крышках цилиндра выполнены осевые отверстия 3 для входа и выхода электронного пучка. Внутри цилиндра размещен образец 4 на объектодержателе 5. В боковой стенке цилиндра напротив образца выполнено отверстие 6. которое в поперечном сечении идентично по форме и размерам оконечной части 7 штока 8 шлюзового устройства 91772702 Составитель В.ГаврюшинТехред М,Моргентал .Корректор Л,Ф актор Заказ 3841 ВНИИПИ Гос Подписноепо изобретениям.и открытия-35, Раушская наб, 4...

Номер патента: 1801992

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Вотяков, Ковнер, Мерзляков, Семенов, Широбоков

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...так и относительнога перемещения. Вал 12 манипулятора подложкодержателя снабжен приводам 13. В нижней части транспортной магистрали 2 размещен привод 14 манипулятора-доставщика 15, с помощью которого осуществляется захват и передачаподложкодержателя на вал 12 манипулятора подложкодежателя,Работа линии установки осуществляется следующим образом: Каретку 4 с подложкоде ржателями 5 устанавливают в загрузочную камеру 1. Производят откачку камеры 1. После чего открывают.шиберный затвор 3, расположенный между загрузочной камерой 1 и транспортной магистралью 2, Каретку перемещают в транспортную магистраль 2 и останавливают напротив выбранной позиции рабочей камеры 6, шиберный затвор закрывают, Привод 9 выбранной. рабочей камеры отводит...

Номер патента: 1306175

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Алексанов, Бондарь, Галченков, Семенов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ многослойных полупроводниковых структур, содержащее корпус с крышкой, контейнер с емкостями для исходных расплавов, снабженными поршнями с толкателем, подвижный держатель для размещения подложек, имеющий второй толкатель, камеру роста и каналы для подачи и вывода расплавов из камеры роста, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности, держатель выполнен многосекционным для вертикального попарного размещения подложек рабочими сторонами друг к другу, контейнер установлен под держателем, крышка снабжена выступами для удаления излишков расплава, а оба толкателя жестко соединены между собой.

Номер патента: 713018

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Белов, Потапов

МПК: C30B 25/12

Метки: газовой, диэлектриков, полупроводников, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГАЗОВОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, включающее горизонтальный реактор, подложкодержатель для подложки, установленный на пьедестале внутри реактора, и внешний нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения градиента температуры по поверхности подложек и стабилизации температуры, пьедестал выполнен в виде полого контейнера, а подложкодержатель в виде гранулированного материала, размещенного внутри контейнера слоем, толщина которого превышает величину стрелы прогиба подложки.