Способ обработки поверхности полупроводников

Номер патента: 221176

Авторы: Васильева, Покровская

Описание

Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

Заявка

1002611/25, 12.04.1965

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Покровская С. В, Васильева Л. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/314

Метки: поверхности, полупроводников

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-221176-sposob-obrabotki-poverkhnosti-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ обработки поверхности полупроводников</a>

Похожие патенты