Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 111430

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Гутенмахер

МПК: G11C 8/00

Метки: адресная, машинной, памяти

...шин горизонтальных и 1024 - вертикальных) 1 и Л - адресные сигналы.На фиг. 4 изображен логический ключ схемы совпадения И, состоя,тщий из ферритового ферромагнитного сердечника 3, снаоженного оомоткой смещения Я" шинами (обмотками) Т У управления и вторичной адресной обмоткой К, .Ферритовые сердечники ключей И имеют почти прямоугольную форму кривой намагничивания В = (аК; фиг. 5), где: В - магнитная индукция, аК - результирующие ампервитки.Ампервитки аГ, обмотки смещения смещают рабочую точку О кривой намагничивания влево так, чтооы ампервитк и аУ вшине Ка юг или аК в шине У были порознь меньше ампервитков смещения а в сумме аК, + аИ могут перемагнитить сердечник по полной петле гистерезиса и при этом создать соответствующий по...

Номер патента: 125318

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Брауде

МПК: H01J 31/40

Метки: памяти, трубка, электронно-лучевая

...диэлектрическую сетку, которая своей толщиной фиксирует расстояние между фотокатодом и мозаикой.На чертеже изображена барьерная сетка и мишень трубки памяти в разрезе. Здесь: 1 - сигнальная пластинка; 2 - диэлектрическая пластинка; 8 - фотоэлектрическая мозаика; 4 - мелкоструктурная сетка; б - фотокатод; б - прозрачная пластинка; 7 - катодолюмннисцирующий экран; 8 - слой алюминия, прозрачный для электронного луча большой энергии.Первоначально, при очувствлении поверхностей полупрозрачного катода и фотоэлектрической мозаики нссущис их диэлектрическая пластинка и прозрачная пластинка располагаются на достаточно большом расстоянии. Это необходимо для беспрепятственного поступления паров цезия к очувствляемым поверхностям, После очувствления...

Номер патента: 141221

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Потехин

МПК: H01F 41/08

Метки: кольца, матриц, машин, намотки, оперативной, памяти, провода, станок, счетно-решающих, ферритовые

...каналу намотки, сквозь отверстие в нижнем ферритовом кольце ФК 1 сквозь размыкающийся направляющий ручей Ре; перед валками Вб и В 8, далее по каналу вокруг валка Вб, сквозь размыкающийся направляющий ручейМ 141221Р 4 г, за валками Вб и В 4 (по ходу намотки), сквозь второе ферритовое кольцо ФК 2 и т. д. При перемещейии намоточного провода вокруг валков Вб н ВЗ образуются петли намотки. После того, как через нижнюю пару валков В 5 и В 7 пройдет в канал намотки необходимое количество провода, валок В 6, перемещаясь вдоль своей оси сбрасывает петлю. Одновременно размыкаются направляющие ручьи Ри Росвобождая сброшеннуо валком Вб петлю. Валок В 7 прекращает вращение. Прекращается подача намоточного провода путем фиксации его зажимом Г,...

Номер патента: 147368

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Пивоваров

МПК: G11C 11/06

Метки: магнитный, памяти, статический, элемент

...импульс тока прямоугольной формы, причем его амплитуда будет развивать значение напряженности поля в сердечнике меньше его коэрцитивной силы (для нестираемости памяти), то в одном из сердечников индукция будет стремиться от + Вг к + Впп, а в другом от - Вг к В=О.За счет различного приращения индукции в сердечниках на концах выходной обмотки 3, 4 возникнут два импульса напряжения, соответствующие переднему и заднему фронтам считывающего импульса, причем последовательность полярностей импульсов будет определяться направлением суммарного потока, проходящего через обмотку 3, 4,Если через управляющую обмотку 5, б пропустить импульс тока, направление которого установит сердечники в состояние О, то считыва147368 ющий прямоугольный импульс...

Номер патента: 152076

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Брудный

МПК: G11C 11/08

Метки: долговременной, памяти, ячейка

...с одним из выходов базовог Т (например, 0) через входной вентиль на диодах Р, и 2 связан с .другим выходом базового триггера (например, ходной вен. тиль на диодах Рз и Р 4Основой схемы ячейки ДП являются два усилителями сердечниками, обмотки которых включены перекресявляются рабочими, а сердечники П и 17 -- 2 - .152076обмотками Кз противоположного каскада. Таким образом, при намагничивании сердечников 1 и 11 сердечники 111 и 1 У размагничиваются, и наоборот, при намагничивании сердечников 111 и Л сердечники 1 и 11 размагничиваются.Выходные обмотки В 4 соединены так, что возникающие в них при работе обмоток Ф и К импульсы взаимно компенсируются, и сигнала. на выходе не возникает. Сигнал на выходе возникает только в том случае, когда...

Номер патента: 164462

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Визун, Ефимов, Тарасов

МПК: G11C 11/08

Метки: «биакс», памяти, сердечнике, типа, элемент

...элемент памяти на сердечнике типа биакс, содержащий выходную обмотку, пропущенную через одно отверстие сердечника, обмотку опроса, пропущенную через другое отверстие сердечника, и обмотку записи.Описываемый элемент отличается тем, что обмотка записи пропущена через отверстие, в котором расположена обмотка опроса. Это позволяет уменьшить напряжение помехи на выходной обмотке. На чертеже изображен описываемый элемент, общий вид.Элемент памяти выполнен на сердечнике 1 типа биакс,Выходная обмотка 2 проходит через одноотверстие сердечника, обмотка 3 записи и обмотка 4 опроса пропущены через другое отверстие сердечника.5Предмет изобретенияЭлемент памяти на сердечнике типа би.акс, содержащий выходную обмотку, пропущенную через одно...

Номер патента: 165601

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Колыхалова, Научно, Федосеев

МПК: G06D 1/02, G11C 23/00, G11C 25/00 ...

Метки: блок, вида, дискретного, долговременной, памяти, пневматический, сигналов

...две упругие плоские пружины 2 и 3. Давление сжатого воздуха передается эластичной резиновой мембране 4, затем от нее через шарик б к пружинам 2 или 3.При подаче командного давления Р. =.1 пружина 3 соскочит с пружины 2 и даст ей возможность совершить ход, если Р ,.=1. При этом на выходе давление Р,. в линии шариковое сопло - дроссель падает. Таким образом, на выходе получается отрицательное давление входа. Если снять командное давление Р, то пружина 3 возвратится в исходное положение; если движение Р изменится, то пружина 2 остается в прежнем положении, опираясь свободным концом на замок тормоза. Такое положение может длиться столько, сколо это нужно.Резиновая мембрана 4 в корпусе зажимается втулкой б, которая одновременно является...

Номер патента: 167358

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Нисневич

МПК: G11C 11/08

Метки: магнитный, памяти, элемент

...элемента вдвоичном режиме возможно получить активный сигнал О,На фиг. 1 и 2 изображены различные варианты описываемого элемента.Элемент выполнен на двух трансфлюксорах 1 и 2. Обмотка 3 записи О прошиваетсогласно оба трансфлюксора; обмотка 4 заодписная группа174 писи +1 проходит через большое отверстие трапсфлкксора 1, а обмотка б записи- 1 проходит через большое отверстие трансфлюксора 2. Обмотка б опроса пронизывает согласно малые отверстия трансфлюксоров.Выходные обмотки 7 и 8 обоих трансфлюксоров включены встречно и образуют общую выходную обмотку 9 элемента.Трансфлюксоры 1 и 2 могут быть выполненына общей пластине 10 (фиг. 2) из материала с ППГ с двумя большими и двумя малыми отверстиями.При записи 0 по обмотке 3 подают...

Номер патента: 168543

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Голованова, Научно, Федосеев

МПК: G06D 1/02, G11C 23/00, G11C 25/00 ...

Метки: блок, дискретных, долговременной, памяти, пневматический, сигналов

...11 в шайбе 4, с боковым каналом 12 выхода и с каналом 13 питания через отверстия в шайбе 5. Канал 14 соединяет камеру 15, образованную крышкой 2 и мембраной 16, с входным давлением. Канал 17 соединяет камеру 18, образованную крышкой 3 и мембраной 19, с сигналом команды,В мембрану 16 упирается под действиемпружины 20 конец вертикального исполнительного механизма, а в мембрану 19 упирается конец горизонтального исполнительного механизма под действием пружины 21. На5 штоке б вертикального исполнительного механизма сделаны две канавки 22, а на што.ке 7 сделан выступ 23.При отсутствии давлений в каналах 14 иО 17, давление питания прижимает мембрану10 к кромкам отверстия 11, перекрывая выход в атмосферу. Канал 13 через камеру 9 иканал...

Номер патента: 169874

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Перекатов

МПК: G11C 11/08

Метки: магнитный, памяти, элемент

...6 - 9 еремычек 10 - 11 - 25, а 5 гпроходит провод 16 г 0,через отверстг 1 для записи пнф 3 - выходной пров я напряжениепровод 19 тока 1, с Через отверстие 1 1, запрета для запис провод 17 тока 1, и цип, через отверстие с которого снпмаетс отверстия 4 и 5 -вания. В режиме записи подают ток 11 поло затем ток 1. отрпцазаписи О одновременно с током У по проводу 16 подают ток УНаправление векторов индукции в перемычках магнитного элемента памяти после подачи тока Ус изображено на фпг. З,а. При записи 1 устанавливается состояние, изображенное на фиг. З,б. Прп записи О направление вектора индукции в перемычке 6, установившейся после действия тока Уь пе изменяется, а изменяется только направление индукции в перемычках 7 и 8 (см. фиг, З,в).В...

Номер патента: 170743

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, пластин, ферромагнитного

...в бачок 9. На ройстУст снизу кой 3.В к чертеке изобраО, ОбсСий вид.ройстпо содсржподдоном 2, а сывасмое уст ориус 1, закрытыйху - съемной крыш релмет ретен Устроцство контроля ферромагнитного матерна водники, пронизывающие пластин, отлпчпуо 1 цееея те томатизации контроля пла ство содеркит пластины-п и выводами, расположенн а проводники, пронизыва стин памяти, образованы териалом в жидком сост щим с упомянутьви вывод пластин памяса, содержащОтверстия укам. что, с целстин памяти,одложки с ка,сми в этик кОщие отверсттокопроволяцоянии, контаками. орпусе 1 смоцтц 1 1 4, в 1 у 1 полнс 11 цые та и собранные в4 имс 1 от отверс стиям пластин пам ния Отверстий цлас разуются каналы 6 Но По ОЛЦОМУ ПЬВО тонкой проволоки опацы пластины-под изол 5...

Номер патента: 172132

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Горн, Иоффе, Калошин, Предпри

МПК: G11C 11/00, G11C 5/02

Метки: памяти, регистрации

...на генератор считывания 9 и генератор 12 записи О, Так как разрядный 3 счетчик все еще находится в первом положении, то производится запись О в считываемый сердечник И, Сигнал, считанный ранее с этого сердечника, после схемы 11 подается через схему задержки 14(включающую генератор несколько позже) на разрядный счетчик и переводит его во второе положение, а затем запускает генератор 9. Далее производится считывание информации в следующем разряде выбранного числа. Процесс поразрядного считывания продолжается до тех пор, пока не будет считан первый О. В этом случае после усиления усилителем 10 и прохождения схемы 15 выхода О сигнал подается одновременно через схему 8 ИЛИ на генератор 9 считывания О и генератор 1 б записи 1.Так как...

Номер патента: 173028

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Лашевский, Нтн, Тамарченко

МПК: G11C 11/00, G11C 11/06

Метки: многоотверстной, памяти, ферритовойпластине, элемент

...пров вод 7 пропущены через мента. Отверстия 3 и 5 лем магнитного потока. являетда пропары, а огранияет по- устойчини П редмеЭлемент памятиритовой пластинечерез которые провой провода, отличповышения быстрочивости его работпровода пропущенкаждой пары, аограничителем маг рстно и от дный что, ента нс а па мяти.Элемверстно мент и Ширин (4 5) ы на мн 1. Каждь ий 2, 3 и ерстиям юй,вели енты памяти выполне 1ферритовой пластине меет две пары отверсперемычки между от предел я ется необходи огоотй эле 2, 3чиной ти а. одписная группа17 Известны элементы памяти на мностной ферритовой пластине с двумяотверстий, через которые пропущеныный и числовой провода.Отличием предложенного элементася то, что числовой и разрядный провопущены через одно...

Номер патента: 184937

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Белоусов, Гранин

МПК: G11C 11/10

Метки: магнитный, памяти, элемент

...без ее разрушения, оп содержит дополнительную обмотку, пропущенную через отверстие опроса, по кото- ЗО рой перед тактом записи подается импульсдля установки магнитопровода записи в состояние нуль. агнитныи элемент памяти, выполнитопроводе типа биакс, содерки записи, опроса и выходную, и опроса и выходная прошиты отверстия биакса,Предложенный элемент отличается от известных тем, что для получения троичного элемента памяти со считыванием информации без ее разрушения оп содержит дополнительную обмотку, пропущенную через отверстие опроса, по которой перед тактом записи подается импульс для установки магнитопровода записи в состояние нуль.На чертеже изображен описываемый элемент.Магнитный элемент памяти выполнен на биаксе 1, в общем...

Номер патента: 186201

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Хведынич

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элемент

...соединены входной обмоткой 4, Сердечники 1, 2, 3 объединены обмоткой 5 связи,Через сердечник 1 обмотки 4 и 5 проходятсогласно, через сердечник 2 - встречно.Выводы б и 7 обмотки 5 связи предназначены для подачи токов продвижения и смещенияна сердечники 1, 2, 3. Для установки сердечников 1, 2, 3 в исходное состояние пропускают импульс тока 1,продвижения, который перемагнпчивает сердечники 1 и 2 в одном направлении,5 Прн записи информации подают ток т,смещения. Запись информации производится подачей входного тока. по входной обмотке.В момент записи информации сердечники 1н 2 находятся в режиме быстрого перемагни 10 чивания полем смещения. Роль входного токазаписи сводится лишь к ускорению этого процесса в одном сердечнике и замедления в...

Номер патента: 186202

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Крылова, Субботин, Эрглис

МПК: G11C 11/14

Метки: куб, магнитных, памяти, пленках

...токи,протекающие под полосковыми проводниками2, 4 могли перейти на листы 7 и далее протекать под проводниками б. Таким способом 10обеспечивается полосковость па Всех путях токов от диодов до формирователя токов по ко-.ординате Х,Выводы координат У сделаны в нижней части куба, Полосковые линии, объединяющие 15нижние выводы 8 диодов 3, сконструированыследующим образом. В пазы 9 на нижних ребрах подложек пленок вставлены медные полоски 10, припаянные в пазах ко всем Х подложкам, Проводниковые полоски 11 проходят 20рядом с полосками 10 и отделены от последних изолирующей прокладкой 12, в качествекоторой может быть использована, например,лавсановая пленка. Полоски 11 и 10 вместе сизолирующей прокладкой образуют полосковую линию. К...

Номер патента: 187085

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Кружков, Черненко

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элемент

...дл 51 и 25 и)ийся тем, чго,элемента и уме сигналов по амп дают токи згпис отверстия элемеИзвестны элементы памяти с неразрушаемым считыванием инрорв 5 ации на ферритовом сердечнике с отверстиями записи и опроса, содержащие шины для подачи токов записи.Предлагаемый элемент отличается тем, что для упрощения его прошивки и уменьшения разброса выходных сигналов по амплитуде, шины, по которым подают токи записи, пропущены через разные отверстия элемента.На фиг. 1 показан элемент памяти на сердечнике типа биакс; на фпг. 2 дана последовательность импульсов тока, подавае. мых по шинам, пропущенным через отверстия элемента.Сердечник типа биакс представляет сооой параллелепипед 1, изготовленный из ферритового материала, с двумя взаимно...

Номер патента: 187408

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бишлозтшг, Гинцев, Жариков, Тсхня

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, памяти, разрушения, считыванием, ячейка

...Вследствие этого, при приложении поля в произвольно направлении ко взятой в отдельности никеле вой пленке и после его снятия намагничен.ность последней остается в направлении приложенного поля, так как было достигнуто локальное состояние минимальной энергии. Неоднородные деформации в сочетании с магии.20 тострикцией являются причиной возникновения центров анизотропии в пленке Х. В двухслойной пленке, состоящей из обычной, не обладающей вращательной анизотропией пленки Ге%Со и пленки %, анизотропия центров не.25 однородностей никелевой пленки сильно ослабляется, вследствие чего при записи информации в ячейку из такой двухслойной пленки ось анизотропии последней поворачивается лишь в пределах небольших углов, определя емых соотношением...

Номер патента: 187409

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Виноградов

МПК: G11C 11/35

Метки: памяти, элемент

...мяти сои огранбийся теования,м исполрвый упрключен кление -емент пистораотличатооборудосхемноости, пера подопротив устойрытом.мпультат Элементы памяти, состоящие из бинистора, транзистора и ограничивающих сопротивлений, известны.Предложенный элемент отличается тем, что первый управляющий электрод бинистора подключен к базе транзистора и через сопротивление - к плюсу источника питания.Это позволяет сократить оборудовполнить элемент в твердосхемном иси повысить надежность.На чертеже показан предложенный элемент памяти.Он состоит из бинистора 1, ключевого транзистора 2 и ограничивающих сопротивлений 3, 4, б.Питание схемы постоянным напряжением осуществляется от источника С, минус которого подключен к клемме б, а плюс заземлен и от...

Номер патента: 189233

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Васильева, Дрогин, Коньков, Семенов, Федосеев, Щйе

МПК: F15C 3/14, G11C 25/00

Метки: памяти, пневматическое

...системы, камеры перед соплами трехмембранного двухконтактного клапана соединены с камерой перед соплом, соединяющимся со входнои камерой следящей системы и дополнительной камерой, окружающей камеру запоминания.г 1 а чертеже представлена схема предложенного устройства.Устройство содержит камеру 1 трехмембранного клапана 2, камеру д клапана 4, контакт 6, канал б, контакт /, камеру 8, контакт 9 и камеру 10,Сущность работы устройства заключается в следующем. Камера 1 трехмембранного клапана 2 соединена с источником постоянного подпора, а камера 3 клапана 4 соединена с другим источником постоянного подпора, Причем давление в камере 3 больше давления в камере 1,Если командное давление в канале запо нающего сигнала Р равно максимальной...

Номер патента: 180153

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Лозинский, Пьюк

МПК: A01N 57/12

Метки: памяти, элемент

...колебаний с жестким режимом самовозбуждения, собранные на полупроводниковых триодах.Применение этих генераторов для схем с люминесцентными знаковыми индикаторами, 15 не известное до сих пор, позволяет упростить схемы индикации, так как генератор, возбуждающий свечение люминофора, выполняет также функции элемента памяти. Таким образом, исключается необходимость в допол нительных запоминающих устройстВ предложенных схемах каждо У электролюминесцентного индикато н ения ет из Применениеолебаний с жения в качестлектролюминеорами. ра синусоидальньтх жимом самовозбужа памяти для схем сзнаковыми индикагенерато стким рэлемен центнымт вах.му сектор ра долже Известны схемьвыми индикаторараторов напряжелюминофора, неопоминающие устрния секторов...

Номер патента: 180852

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Бобров, Иванов, Ильин

МПК: G11C 5/12

Метки: куба, нанесения, обмотки, памяти, печатной, пластинки, ферритовые

...изобретен Способ нанесения печатритовые пластинки кубаи 1 ссйся тем, что, с цельюдительности труда и упрского процесса, наносят10 обмотки на покрытую медстццку печатанием полигс глубокой стальной печводят гальваническое собмотки в кислом электрку и вытравливают медьков травителем, не царушпокрытия обмотки. Известен способ нанесения печатцой обмотки ца феррцтовые пластинки куба памяти путем фотохимического копирования рисунка обмотки ца ферритовые пластинки. Однако оц очень трудоемок и требует такой сложной операции, как ретуширование пластинок под микроскопом.Предлагаемый способ заключается в том, что негативный рисунок обмотки наносят ца покрытую медью ферритовую пластинку печатанием полиграфической краской с глубокой стальной...

Номер патента: 181153

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Лозинский, Пьюк

МПК: G11C 13/00

Метки: памяти, элемент

...В качестве такихзапоминающих устройств используют реле,триггеры и пр. Однако такие схемы громоздки.Известны также генераторы синусоидальных колебаний с жестким режимом самовозбуждепия, собранные на полупроводниковыхтриодах,Применение этих генераторов для схем слюминесцентными знаковыми индикаторами, 15не известное до сих пор, позволяет упроститьсхемы индикации, так как генератор, возбуждающий свечение люминофора, выполняеттакже функции элемента памяти. Таким образом, исключается необходимость в дополнительных запоминающих устройствах,В предложенных схемах каждому секторуэлектролюминесцентного индикатора должен соответствовать отдельный указанный генератор. После поступления запускающего импульса на вход генератора в нем возникнут...

Номер патента: 192860

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абугова, Плтс, Тех

МПК: G11C 11/38

Метки: быстродейств, диодах, памяти, радиоимпульсная, туннельных, ующая, ячейка

...диодов на падающий участок характеристпки. Емкость 11 осуществляет развязку по высокой частоте между контурами. Сопро тивления 12, 13, зашунтнровацпые блокировочпымн емкостями 14, 15 включены парал лелыо постоянномуПеременному источикам питания, подключенным к клеммам 16, 17, Запоминающий элемент состоит пз туннельного сопротивления 18, туннельного диода 19 и пндуктивности 20, образующих амплн тудный радиопмпульсный трнер. Емкость 21блокирует источник постоянного смещения, подключенный к клемме 22. Емкость 23 соединяет устройство обращения и запоминающий элемент.15 Перед записью и считыванием рабочие точки диодов правой части устройства обращения находятся на первом восходящем уча.стке вольтамперных характеристик диодов.При записи 1...

Номер патента: 194427

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Горловский, Лазарева, Научно

МПК: F15C 3/14, G11C 25/00

Метки: барометрической, компенсацией, памяти, пневматическая, температурной, ячейка

...сигнала, отсека 1 ощий клапан 2, компенсационную камеру 3, отсекающий клапан 4, мембрану 5, сопло б, Шток 7 камеры 1 соединяется с источником запоминаемого давления Р через 15 отсекающий клапан 2, а камера 3 через отсекающий клапан 4 - с атмосферой.При запоминании давления Р клапаны 2 и 4 кратковременно открываются, мембрана б, прогибаясь под действием этого давления, 20 прикрывает сопло б. Давление на выходе устройства поднимается до величины Р и остается равным ей, пока да пение Р не примет нового значения,Г 1 р изменении температуры окружающей среды или атмосферного;1 авлецця изменяются давления в камерах 1 и 3. Дополнительные силы, действующие на шток 7 в результате изменения давлений, направлены в противоцолож 1 е стороны...

Номер патента: 201783

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Коньков, Научно, Федосеев

МПК: G11C 25/00

Метки: блок, памяти, пневматический

...Р,пневмореле 2 пропускает запоминаемое давление Р, в полость а и одновременно 5 отсекает выход с инвентора 3. Под действиемдавления Рподвижное основание сильфона б вместе с шариковым соплом и штоком 7 совершает некоторое движение, определяемое величиной поданного в полость а давления, О жесткостью пружины 5, жесткостью самогосильфона 4 и жесткостью гибкой пневмолинии, соединяющей сопло со входом инвентора.После снятия командного давления Рустройство переводится в режим отработки за помненного давления, При этом под действием пружины 10 и втулки 11 цанговый зажим 9 фиксирует положение штока 7, а пневмореле 2 перекрывает давление Ри одновременно соединяет выход инвентора 3 с полостью а. О На выходе блока памяти с помощью инвенаказ...

Номер патента: 204373

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ксендзов, Червинский, Юрьева

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: матрицы, памяти

...изготовления матских пленок осущ портом вещества ненного в виде м СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН Известен способ изготовления матриц памяти с замкнутым магнитопроводом путем ПО- лучения чередующихся слоев феррита и металла, а также способы эпитаксиального выращивания пленок феррита или металла с помощью химических транспортных реакций.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что металлические пленки наносят химическим транспортом вещества нагревателя, выполненного в виде маски, что позволяет уменьшить продолжительность изготовленияматрицы.Способ заключается в следующем, С использованием аппаратуры для эпитаксиального выращивания с помощью химических транспортных реакций на монокристаллическую подложку наращивают слои феррита, чере. дующиеся...

Номер патента: 204374

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Балашов, Ленинградский, Сидоров, Уль

МПК: G11C 11/08

Метки: магнитный, памяти, элемент

...магнитопровода такова, что средние стержни имеют наименьшую площадь сечения з, а площади сечений крайних стержней магнитопровода 5 = (и - 1)з, где и - максимальное возможное число запоминаемых импульсов.Магнитопровод перемагничивается импульсами тока, проходящими поочередно через все обмотки. Величина токов должна быть достаточна для обеспечения полного перемагничивания по любому из контуров, замыкающихся вокруг одного из отверстий магнитопровода.До наступления импульсов тока магнитопровод полностью перемагничен по часовой стрелке, как показано на фиг. 2, На обмотки подготовки непрерывно поступают тактовые импульсы 1 з и 1 которые не изменяют состояния магнитопровода до подачи импульса записи. Первый импульс...

Номер патента: 205390

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Одинцов, Пастернак, Толкачева

МПК: G11C 19/00, G11C 27/00

Метки: аналоговое, памяти

...средсигнала У(1) за время ЛсСкобелева артыненко Б, Тюрина Корректор аказ 4688/19Тираж 585ПодписноеИ Комитета ио деламетеипй и открытийвете Министров СССРЦентр, пр. Серова, д. 4 ЦНИИП изобр при Со Москва, шографии, пр. Сап иова, 2 тате считывания с перезаписью с предыдущего разряда; одновременное считывание информации с п независимых выходов регистра через временные интервалы Т с задержкой относительно входного сигнала на периоды (Т, 2 Т, пТ).Предлагаемое устройство можег быть использовано в аналоговых, дискретных и, что самое основное, в комбинированных устройст, вах.Рассмотрим работу по структурной схеме, согласно принятой нумерации ячеек. Запись информации и сдвиг ее по регистру производится с помощью последовательности...

Номер патента: 205884

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Беккер, Берг

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элементов

...бласти, окрутения редмет изо амяти на гания отрным лу, отличия способа памяти в ут в востов п выжи , лазе о слоя ощени нтов й вед Спо ерр ерст чом, с витий и уве стано Зависимое от авт. свидетельс Известен способ изготовления элементов памяти на ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя,Описываемый способ отличается тем, что 5 выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде, что позволяет упростить способ и увеличить плотность элементов памяти в пластине.На чертеже изображена многоотверстная 10 ферритовая пластина с элементами памяти, полученными описываемым способом.Ферритовая пластина 1 помещается в восстановительную газовую среду (водород, окись...