Патенты с меткой «монокристаллах»

Номер патента: 441490

Опубликовано: 30.08.1974

Автор: Генкин

МПК: G01N 23/20

Метки: внутренних, монокристаллах, напряжений

...плоскости, причем напряжения определяют по изменению разности брэгговских углов отражения этих лучей.Используя отражения двух рент геновских лучей от одной кристаллографической плоскости, исключают недостатки известного способа, связанные с необходимостью воспроизводить и сопоставлять брзгговские отражения рентгеновского луча от 2 О двух кристаллографических плоскостей исследуемого монокристалла.Выбирая величину угла между падающими рентгеновскими лучами, равную разности их брзгговских углов отражения, сокращают на эту величину измеряемый интервал, доводя его до области разности угловых приращений брэгговских максимумов. Этим исключают недостаток известного 30 способа, связанный с необходимостью вычислять искомые приращения как малые...

Номер патента: 526037

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Воронов, Гришин, Катерушина, Лайнер, Носова

МПК: H01L 21/3063

Метки: выявления, кремния, монокристаллах, неоднородности, примесной

...кристаллов, легироввнных бором и фосфором с удельным сопротивлением 10 ом см и 0,5 ом см соответственно. Причиной низкого квчествв кар 20 тин трввления является пленкв, образующаяся прп электрохимическом травлении нв поверхности исследуемого образца. Химическим травлением не удается полностью удалить пленку, сохранив при этом четкую картину 25Цель изобретения - повысить четкоскартин примерной неоднородности.Это достигается тем, что электрохикое травление ведут в смеси 25-30;о-иплввиковой кислоты с водным растворохромовокислого аммония концентрвциейвзятых в соотношении 1;4. длвгвемым способом исследованы прое и поперечные сечения монокриствлемния электронного типа проводимости, енные по методу Чохрвльского и метотигельной зонной плавки...

Номер патента: 557435

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Зданович, Кузнецова, Пухов, Соколов

МПК: H01L 21/465

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, растворов, ртуть-кадмий-теллур, твердых, травитель

...Т. Орловская Техреп Г, Родак Е 1 рректэр Н. Ковалева Заказ 866/62 гираж 976 Подписное оНИИПИ Государственного комитета Совета Минхстрэв СССР пэ делам ьхзэбсетеххий ч эткрьгий 113035, Москва Ж, Раушская чаб. д. 4/5Филиал ППП фПхатент, г, Ужгорэд ул, Проектная, 4 в состав травителя дополнительно введена фтористоводородная кислота, а в качестве окислителя применен хромовый ангидрид, при этом компоненты взяты в следующем соотношении об.%): Ь50%-ный водный раствор хромового ангидрида 30-40соляная кислота 30-35 плавиковая кислота 30-35П р и м е р 1. Образцы, вырезанные 10 из кристалла С 4 Н, Те с переменным по длине составом (х=0,1-0,9), по плоскости 110) шлифуют микропорошком М, затсм химически полируют в 8%-ном растворе брома в НВР,...

Номер патента: 611146

Опубликовано: 15.06.1978

Автор: Гитис

МПК: G01N 29/00

Метки: монокристаллах, примесей, ультразвукового

...характеристик образца, но и его размеров.Целью изобретения является повышение точности измерениЯЭта цель достигается за счет того, что частоту возбуждаемых в образце колебаний рассчитывают с учетом его размеров н затем нагревают образец при соблюдении следующего условия:0, 663141,5 лгде С - время релаксации, определяекоэффициентом диффузии при611146 Формула изобретения Составитель Т.ГоловкинаАристова Техред Н. Бабурка Коррект апп дакт Подписинистров СССйд. 4/5 Тираж 1112ственного комитета Совета М делам изобретений и открыт Москва, Ж, Раушская наб з 3148/36 ЦНИИПИ Госу 113 П Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Филиа частота возбуждения образца.На чертеже представлена схема устройства для реализации способа.Устройство содержит вакуумную...

Номер патента: 941434

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Головей, Мудрый, Некрасова, Тешнеровский

МПК: C30B 33/00

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, состав, тройных, халькогенидных

...в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый аммоний. 3Двухромовокислый калий 0,02Серная кислота ОстальноеОбразцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14 а класса и класса чистоты Р 1 У, Затеи образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор, Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2 Ф С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе ИИИ. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.П р и м е р 2Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый...

Номер патента: 1140082

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Войцеховский, Кравцов, Скропышев, Уркинеев

МПК: G01N 21/45

Метки: монокристаллах, неоднородностей, ориентировки, плоских, показателя, преломления, прозрачных

...11 устанавливают на пути лучаза кристаллом на расстоянии 0,5-3 мв зависимости от желаемой степениувеличения дифракционной картины впределах 2-20 раз. Перемещением объектива 10 вдоль луча сначала добиваются фокусировки изображения кристаллана экране (определяется по четкомуизображению пылинок или царапин, имеющихся на гранях), а затем сбиваютфокусировку небольшим перемещениемобъектива в ту или другую сторону.Необходимость "сбивания" фокусировкцопределяется тем, что неоднородностипоказателя преломления кристалла обусловливают появление на экране дифракционной картины итменно в условиях дефокусации, причем максимальная контрастность дифракционной картины получается нри вполне определенной степени дефокусации, зависящей в своюочередь от...

Номер патента: 1195240

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Кобелев, Сойфер, Энтин

МПК: G01N 29/04

Метки: колебаний, монокристаллах, поперечных, ультразвуковых

...5 вектора поляризацииультразвука; нормаль 6 к отражающейплоскости пуска; направление 7 падения рентгеновского луча, отраженный 8 и преломленный 9 рентгеновские пучки; источник 10 рентгеновского измерения, приемники 11 рентгеновского измерения; угол ( междунормалью к отражающей плоскости ивектором поляризации ультразвука;угол у между волновым векторомультразвука и отражающей плоскостью,угол 9 падения рентгеновского пучка на отражающую плоскость (уголБрегга). Способ измерения поперечных ультразвуковых колебаний в монокристаллах реализуется следующим образом,Монокристаллический образец подготавливают для возбуждения в нем ультразвуковых колебаний, для чего противоположные его поверхности изготавливают плоскопараллельными...

Номер патента: 1249415

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Габриелян, Демирчян

МПК: G01N 23/20

Метки: изменения, межплоскостных, монокристаллах, относительного, расстояний

...- Гол Ясльс 5 д 1;3и . - расстояние ме 3 Гду моцокрисд:1,дм: и талш:1 цд первого мацок 13 и - стдплд в сенс 3 ц 13115 соатвстст ишем ме - су 13 дзрь 13 д 11 цтерфс реп "иоц.1 ьх ли 1 Й иптерфереццианцые .1 и:1 ии пртерпе 13 дя; разрыл, Измерив та 3 шину , с и расс". ояцие ; .в .", па формуле (11 мов;на о 1 ределит 1. относительное изменение межпласкастных расстояци 13,5, Л. 1 ил.сИзобретение относитс к рант: ецоицтерферометрическим 3 с",)л даава:тия,труктурного совершенства вО Окрис: аллов,Цель изобретения - повъш .Яе :оч " ности измерений,На чертеже 1/оказана схем ре,=лиэа 1 еии спосо а,ЦЛОСКЕ 11 Е тдО,вас т ГЕО,)КО - ,;1 сзПУЧЕНИЯ ЦалотацттяЮТ НаЛОЦ)спи ГН 5 3 ТОЛЩИНОЙ Г, С КГ)С 1ВНУТ-/Е;с:. тс; С .ЕЗ )3,;И С МЕЖПЛОСКОСТЦЫМ РаС...

Номер патента: 1260785

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Драненко, Новиков

МПК: G01N 23/225

Метки: дислокаций, монокристаллах, типа

...3, регистрирующее устройство 4, вакуумную колонну 5, держатель образца 6Определение типа дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита проводят с помощью метода тока, индуцированного электронным зондом. Спбсоб заключается в следующем. Сканирующим электронным лучом 1 облучают монокристалл 6, в котором при этом генерируются электронно-дырочные пары, создающие ток. Полученный сигнал подается на операционный усилитель 3, после чего регистрируется, например, на оспиллоскопе, На усилитель 3 подается ток неравновесных носителей заряда, разделенных полем барьерной структуры, существующей вокруг ядра дислокаций.В качестве примера может служить определение типа дислокаций в образцах СаАз Сг 7 кристаллы которых имеют структуру сфалерита с...

Номер патента: 1312460

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Елютин, Кулиджанов, Матвеев, Эйдлин

МПК: G01N 23/20

Метки: анализа, дефектов, дифрактометрического, монокристаллах, распределения

...Брэгга, эффективно отражаются тонким приповерхностным слоем образца с толщиной, равной длине экстинкции, давая начало пику 8 (фиг.2 и 3), Лучи, отраженные от задней по отношению к пучку-зонду поверхности образца, образуют в распределении дифрагированной интенсивности пик 9 (Фиг.2 и 3), амплитуда которого составляет несколько процентов от амплитуды пика 8, В случае идеальных кристаллов между динамическими пиками 8 и 9 рассеяние не происходит, тогда как наличие дефек 1 тов приводит к значительному диффуз=1 ному рассеянию, распределенному между пиками 8 и 9.В предлагаемом способе исследуется совершенство кристаллов непосредственно по диффузному рассеянию на дефектах, которое таким образом отделяется в пространстве от динамиче ских...

Номер патента: 1361476

Опубликовано: 23.12.1987

Авторы: Кравцов, Скропышев, Соболев

МПК: G01N 21/45

Метки: монокристаллах, неоднородностей, ориентировки, плоских, показателя, преломления, прозрачных

...9 плавно поворачивают вокруг горизонтальной или вертикальной оси, наблюдая за детальностью и контрастностью дифракционной картины на экране 11.В положении, когда плоскости сви 30 леи совпадают с направлением луча,на экране появляется очень детальнаяи относительно контрастная дифракционная картина, на которой можно различить слои толщиной в десятые и сотые доли миллиметра, В этом положенииснимают отсчет с лимба, характеризующий поворот кристалла от ИП вокругсоответствующей оси. С учетом коэффициента преломления обыкновенного 35 40 луча измеренный угол поворота кристалла пересчитывают на угол поворота луча в кристалле, таким образом определяя одно направление (просвечивающего луча), которое лежит в плоскости оптических...

Номер патента: 1322796

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Инденбом, Каганер

МПК: G01N 23/20

Метки: микродефектов, монокристаллах

...в объеме, исследуемого монокристалла , а именно их концентрации, типа н размеров. Способ реализуется нв двухкристальнойрентгенотопбграфической установке.Исследуемый монокристалл облуМаютпучком рентгеновских лучей, коллимироввнным при асимметричном отрааенииот кристалла-монохромвтора. Монокристалл отклоняют от полоаения, соответствующего максимуму кривой отрмения,на угол 1 у60/Е 2 (е+2 Й)-1 ф,где 6 9 - полуаиринв динамическойкривой отрааения исследуемого крас .талла; й - толцина кристалла; Еглубина рвсполоаения исследуеваюх дефектов. Такое отклонение кристаллапозволяет осуществить интерфереицивроаденных при рассеянии нв дефектеволн с опорными волнами идеальногокристалла и получить интерфереиционное изобравение дефекта. 1 ил.1322796...

Номер патента: 1322797

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Инденбом, Каганер, Кушнир

МПК: G01N 23/20

Метки: микродефектов, монокристаллах

...перекачиваясь иэ одной волны в другую и обратно по мере распространения волн вглубь кРисталла (маятниковые колебвння интенсивности). Поэтому 45 диффузная составляющая в дифрагироввнном пучке, определяемая рассеянием проходящей волны на дефектах исследуемого кристалла и регистрируемая после отражения от кристалла-ана лнэвторв 4 детектором 5, уменьшается, Недостающая часть интенсивности определяется рассеянием дифрвгированной волан в диффузную составляющую прохщящего пучка н регистрируется после 55 отвааения от кристалла-анализатора 4 детектором 6. Вращение исследуемого рнствлла 3 и криствлла-анализатора 4 позволяет исследовать распределение 97 2 нн г нспнногти диффуэно рас еянх вол д зависимости от величины и напрал ння переданного...

Номер патента: 1437767

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Клочко, Макаров, Санков, Слуцкин

МПК: G01N 27/72

Метки: металла, монокристаллах, плотности, электронов

...электрона в магнитном поле г и длиной свободного пробе"Нга 1 : 1 ) г н и 4 НЕТ ( р - магнитный момент электрона; К - постоянная Больцмана; Т - температура). Такие условия можно реализовать для чистых металлов при низких температурах,с, дР - угол существования иширина слоя магнитопробойной конфигурации.На фиг. 1 приведена схема вращения образца, Волновой вектор ультразвука ч направлен вдоль оси Е,Ч 1 Е. Образец вращают вокруг оси У,поэтому изменение угла 8 происходитв плоскости ХОЕ, которая должна бытьодной из главных кристаллографическихплоскостей монокристалла.На фиг. 2 представлена экспериментальная зависимость амплитудыквантовых осцилляций коэффициента поглощения ультразвука Г в олове от квадрата угла 9, Экспериментальные...

Номер патента: 1597963

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Герчиков, Кузьминов, Панеш, Симонов

МПК: H01J 49/26

Метки: 1-го, диагностики, монокристаллах, переходов, рода, фазовых

...зависимости зй,/а 1=(Т), температура максимума которого (820 К) соответствует температуре перехода типа жидкость в кристалл в аргоновых пузырьках.Эксперименты, проведенные на % (100), показали, что при В+)6 10 ион/см- на кривых зависимости эН,/а 1=(Т) появляется один пик (пик В), температура максимума которого (840 К) равна температуре перехода жидкость - кристалл в пузырьках аргона, размещенных в решетке никеля. Пик А на И не наблюдается, что связано с отсутствием ФП 1-го рода в Л в исследуемом интервале температур.Хплга 7 лю т,гобд=бли Юб бремя, Т, К (ставитель В. КащеевА. Кравчук Кор99 Под по изобретениям и отк - 35, Раушская наб. инат Патент, г. Ужг Редактор И. ШуллаЗаказ 3060 Техред Типаж ектор С. Шевкунисноеытиям при ГКНТ СССРд....

Номер патента: 1710605

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Воронов, Ганина, Зейналов

МПК: C30B 29/08, C30B 33/10

Метки: выявления, германия, дефектов, монокристаллах, структуры

...диаметром 100 мм,Полировку проводят при перемешивании раствора до получения зеркальной поверхности. По окончании полировки образец промывают водой и оставляют в емкости с водой.Готовят селективный травитель, го берут 225 мл НЕ (ОСЧ 48%) (4, приливают к ней 225 мл НМОз (О (4,5 об,ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ (4 об,ч.), В полученный раствор за-г П едложенный способ Известный способП е ложенный способ Известный способСоставитель И.ВороновТехред М,Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор В.Данко Заказ 313 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76)...

Номер патента: 1632344

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Галяев, Запольский, Чесноков

МПК: H05H 7/00

Метки: высоких, деканалирования, длины, монокристаллах, частиц, энергий

...фиг.2. Затем монокристалл поворачивают и наводят на него пучок со стороны изогнутой части, как это показано на фиг.3, и повторно измеряют,интенсивность отклоненных частиц системой 5 диагностики пучка, В первомизмерении частицы, деканалированные на прямой частимонокристалла длиной Ь, нв будут отклоняться монокристаллом и не захватываются хвостовой частью 4 магнитооптической системы, Во втором измерении 5 частицы, деканалированные на прямой части монокристалла, будут захвачены в аксептансе хвостовой цасти ч магнитооптицеской системы,так как они уме повернуты монокристаллом,Таким Образом отношение зарегистрированных интенсивностей Й 1/Й 2 в первом и втором измерениях равно доле частиц, не испытавшихдеканалирования на прямой части...

Номер патента: 1222147

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: глубины, монокристаллах, нарушенного, полупроводниковых, слоя

1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ преимущественно кремния, германия и арсенида галлия после грубой механической обработки, включающий избирательное травление, изготовление шлифов и оценку глубины нарушений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, избирательное травление проводят в травителе, содержащем 0,5 - молярный водный раствор хромового ангидрида и плавиковую кислоту в весовом соотношении от 3 : 1 до 1 : 3, в течение 60 - 300 с, а оценку глубины H нарушенного слоя производят по формулеH= Z2-Z ,где Z1 и...

Номер патента: 1816161

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль

МПК: H01L 21/324

Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...