Способ получения сверхпроводящего материала

Номер патента: 625533

Авторы: Романов, Сафронов

Описание

Способ получения сверхпроводящего материала в полупроводнике путем его охлаждения до критической температуры с использованием фазового перехода полупроводник-металл, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и получения сверхпроводящих участков заданной конфигурации, охлажденный до или ниже критической температуры полупроводник облучают импульсами лазера с плотностью энергии ниже порога разрушения получаемого материала.

Заявка

2391322/25, 02.08.1977

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Романов С. И, Сафронов Л. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-625533-sposob-polucheniya-sverkhprovodyashhego-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения сверхпроводящего материала</a>

Похожие патенты