Способ анизотропного травления кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10 мкА/см2.
Заявка
4284974/25, 14.07.1987
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Алиев В. Ш, Бакланов М. Р
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: анизотропного, кремния, травления
Опубликовано: 20.05.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1473612-sposob-anizotropnogo-travleniya-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ анизотропного травления кремния</a>
Предыдущий патент: Оптико-электронное устройство для охранно-пожарной сигнализации
Следующий патент: Устройство для охранной сигнализации
Случайный патент: Способ строительства лучевой дрены из малопрочных трубофильтров