Способ анизотропного травления кремния

Номер патента: 1473612

Авторы: Алиев, Бакланов

Описание

1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном травлении.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10 мкА/см2.

Заявка

4284974/25, 14.07.1987

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Алиев В. Ш, Бакланов М. Р

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: анизотропного, кремния, травления

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1473612-sposob-anizotropnogo-travleniya-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ анизотропного травления кремния</a>

Похожие патенты