Патенты с меткой «n-типа»
Способ измерения напряжения пробоя при анодном окислении арсенида галлия n-типа проводимости и устройство для его осуществления
Номер патента: 1042531
Опубликовано: 23.08.1989
МПК: H01L 21/66
Метки: n-типа, анодном, арсенида, галлия, окислении, пробоя, проводимости
...галлия и-и -типа с концентрацией носи% 6 телей тока в а-слое 2 10, 1,5 10 5 ,10425лелепипеда, В ячейке установлены ка"тод 4 и образец 5, являющийся анодом, Ячейка снабжена фторопластовойкрышкой 6, стальными зажимами 7,8 изаполнена электролитом. Внешняя электрическая цепь состоит из источника9 белого света, источника тока 10"прибора 11 для регистрации напряже"ния на электродах электрохимической 10ячейки, Устройство содержит также,массивное основание 12, линзу 13,источник 14 стабилизированного напряжения, ключ 15, магнитную мешалку 16. 15На фиг,2 приведена зависимость напряжения пробоя от времени предвари"тельного (темнового) анодирования,где кривая 17 соответствует условиям:Н= 610, плотность тока 1=3 мА/см, 20время выхода на насыщение...
Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости
Номер патента: 1589963
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов
МПК: H01L 31/18
Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов
Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...
Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа
Номер патента: 519043
Опубликовано: 20.05.2000
Автор: Теплова
МПК: C22C 9/00, H01L 21/00
Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический
Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.