Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 1129592

Опубликовано: 15.12.1984

Автор: Резников

МПК: G05D 23/19

Метки: полупроводниковых, приборов, температуры

...к которому подключен третийэлектрод полупроводникового прибора.На чертеже приведена блок-схема40 предлагаемого устройства.Устройство содержит формирователь 1 эталонного сигнала, элемент2 сравнения, источник 3 опорногонапряжения, компаратор 4, генератор455 импульсов нагрева,блок 6 синхронизации, генератор 7 измерительноготока, выход 8 генератора импульсовнагрева, дополнительный выход 9,корпус 10, полупроводниковый при 50 бор 11.Устройство работает следующимобразом (работа устройства рассмотрена для случая, когда нагреваемымполупроводниковым прибором является55 транзистор),С генератора 7 измерительного тока устанавливают начальное напряжение на полупроводниковом приборе1129592 10 вход элемента 2 сравнения от форми. рователя 1 эталонного...

Номер патента: 1292457

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Васильева, Кабанов

МПК: G01R 31/26

Метки: испытания, криогенных, полупроводниковых, приборов, температурах

...криогенныхтемпературах работает следующим образом,25В отверстия 0 эластичного дна сосуда 4 вставляются электроды испытуемого полупроводникового прибора 7так, чтобы сам прибор находилсявнутри сосуда 4, а его электроды обжнмались эластичном дном сосуда 4,Измерительную камеру 2 устанавливаютв отверстие столика 3. При этом борта сосуда 4 в форме фланца, упираясьв верхнюю поверхность столика 3,.фиксируют измерительную камеру 2 ввертикальном положении, а столик располагаот на такой высоте, чтобы концы электродов испытуемого полупроводникового прибора вошли в пазыконтактной колодки на панели измерительной установки 1. Затем в сосуд4 эаливаот криогенную жидкость, например жидкий азот, При этом эластичное дно и стенки. сосуда 4 при охлаж"денни...

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Номер патента: 905798

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Карпенко, Маилов, Милогородский

МПК: G05D 23/19

Метки: прибора, регулятор, температуры, термоэмиссионного

...4 тока эмиссии, генератор 5 импульсов, регулируемый источник 6 напряжения, блок 7 обратной связи, демодулятор 8, фильтр 9 и логарифмический усилитель 10, объект нагрева 1..1 а фиг. 2 принятыследующие обоз" начения; напряжение генератора 5 импульсов-С, датчика 4 тока эмиссии -0 логарифмический усилитель 1 О - О, фильтра 9 -0 и демодуля тора б -0.Контроль температуры в устройстве производится на основании сле-, дующего принципа. Рассматривается система: эмиттирующая электроны поверхность объекта нагрев - электрод. Указанную систему можно представить как эквивалентный диод с вакуумированным межэлектродным промежутком. Тогда наклон начального участка 55 вольтамперной характеристики такого диода в логарифмическом масштабе обратно...

Номер патента: 1606876

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Багиров, Бромберг

МПК: G01K 7/01

Метки: измеритель, полупроводниковый, температуры

...двух транзисторов 1 и 2 были эквипотенциальны, т.е, коллекторныйток транзистора 1 равен 15У - 11 р 3(2)Ка фгде К - сопротивление резистора 4.фРазность падений напряжений наэмиттерных переходах двух согласован 20ных транзисторов (в .данном случае этонапряжение на эмиттере транзистора 1Уэ ) с учетом выражений (1) и (2)э (определяется выражениемКТ 10. КТ К,4111 п - =1 п в, (3)т, о К,где К - постоянная Больцмана;Т - температура по шкале Кельвина;ц - заряд электрона,Дифференциальный усилитель 9 поддерживает равными падения напряжения нарезисторах 11 и 12. Поэтому ток черезрезистор 11, а значит через эмиттери коллектор транзистора 10 определяет:35ся выражением:0 ВЫХ1)ю КВ. (1 +-"-)Н где 1 - ток коллектора транзистоЮра 10;П - выходное...