Способ получения слоев оксинитрида кремния

Номер патента: 1630570

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

Описание

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Заявка

4473406/25, 10.08.1988

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Волков К. Е, Мараховка И. И, Соловьев А. П, Парм И. О, Логвинский Л. М

МПК / Метки

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1630570-sposob-polucheniya-sloev-oksinitrida-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев оксинитрида кремния</a>

Похожие патенты