H01L 31/16 — с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света

Номер патента: 105015

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Залькинд, Кубецкий, Матюхин

МПК: H01L 31/16

Метки: германиевый, многоточечный, фотодиод

...образующие р - и переходы. То пюс со(гвстсп)ис расположения этих электродов позициям на перфоленте достигается зя счет использвспи 51 д,я Впла 1)л(.Пия 1 ря(ритОВО-г тнгс,я-тр;фярстя. Г срмяниевая (ласта)я 3)пг)и)ястся в металлическую оправу и находящиеся на внутренней сс стороне р - и переходы для защиты т проникновениязаливяотся 5 т мом. Соз битум проходят гибкис проводники, 3 рипаяИыс к соответствующим коллскторным электродам. Другая поверхность герм ннсвой пластины остается открьггой н нмсст требуемое число св(точув(твнтельных точек. При нсно,;ьзовянни многггс 0. го фотолюда в фототрнсмнттсрс открытая поверхность гсрмяпнс Вой и,Ястины р)1 споляга 1 стс 51 н(.нос)(.л. стВснннд прОт 5 гнвс)см ПсрфО- рнровянной ,енто)1. кяк...

Номер патента: 213213

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зотов, Катыс

МПК: B64G 3/00, H01L 31/16

Метки: источником, световогоизлучения, слежения

...сигнал-шум.Кроме того, датчики, используемые при этом, плохо работают при наличии светового фона.Предлокенный способ слежения за источником светового излучения основан на использовании продольного м агнитоконцентрационного эффекта в полупроводнике (эффект фокусировки) и позволяет избавиться от перечисленных недостатков.Чертеж поясняет описываемый способ, 1-1 а плоской пластине из германия установлены две пары коллекторов 1, 2 и 3 и 4, Переменное магнитное поле, образующееся между полосами электромагнита, действует на инъектированные носители в направлении коллекторов 1 и 2. Согласно теории магнитокоицентрационного эффекта, включение магнитного поля приводит к образоваишо эллипсов равных концентраций, большая ось которых направлена...

Номер патента: 354496

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Осип, Савченко

МПК: H01L 31/16

Метки: деформирования, кристаллов, пластического, типа

...пластичностью кристаллов,Цель достигается за счет того, что на ста дии пластической деформации, осуществляемой с определенной скоростью при заданной температуре, фоточувствительный кристалл облучают двумя источниками света - первичного (с длиной волны в области собственно го поглощения), определяющего дополнительное упрочнение кристалла, и вторичного (с длиной волны в инфракрасной области), приводящего к разупрочнению, величина которого зависит от интенсивности и длины волны 20 вторичного источника.Деформирование осуществляется в закрытой камере на специальной машине. Виды деформации могут быть различными: одноосное сжатие, изгиб, растяжение и т. д, В ка мере поддерживается постоянная температура, при которой для данного...

Номер патента: 730227

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Левинштейн, Сергеев, Чашников, Яссиевич

МПК: H01L 31/16

Метки: переключения, полупроводникового, прибора

...способу,оснещенив описанных выше структур произ водят со стороны слаболегированцого базового слоя, что позноляе. устранить потери света, связанные с нефотоактин. цым поглощением ца примесях н сильнолегиронацном слое и усиленным поглощением н области сильного поля у рИ -перехода (эффект Франца-Келдыша) . В слаболегиронанном слое ицтенсинность света падает по закону 1(х) -енр Г Ы(Л) х 3,О а концентрация гецерируеьд.:х светом носителей - по законуН(х) - КЕКрГ-Ы(Л) х 3 где с( Л) - коэффициент поглощения н материале освещаемого слоя, занисящий от длины волны;- интсц: ивность освещения на поо верхности; й - поверхностная концентрация геб нерируемых светом носителей, Длину волны света выбирают из условия р(Л) Н1-2, где И - толщина...

Номер патента: 1282241

Опубликовано: 07.01.1987

Автор: Берковская

МПК: H01L 31/16

Метки: одномерного, оптического, пространственно-частотный, сигнала, фильтр

...слою 6, выбирают с учетом аппроксимированного импульсного отклика и формы ВАХ элементарной ячейки.Конструкциямультискана, используемого в качестве фильтра оптического сигнала, должна обеспечивать симметричность ВАХ элементарных ячеек как относительно светового воздействия, так и относительно напряжения питания управляющего квантовой эффективностью. Такая ВАХ обеспечена равенством фотоприемных площадок трех фотодио 1282241дов каждой элементарной ячейки, образованных р-дискретным базовым слоем 2 с одной стороны, и и-сплошными делительными 5 и 6 слоями с общим 3 слоем, с другой стороны, Физические параметры делительных и общего слоя выбраны одинаковыми. Отведенные под контакты участки делительных слоев экранированы от воздействия света....

Номер патента: 1626261

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Бутт, Панков, Савельев, Твердохлеб

МПК: G11C 11/42, H01L 31/16

Метки: фотоприемная, ячейка

...нагруэочные транзисторы 12 и 13, динамические сопротивления стоков транзисторов 2 и 3, Благодаря действию ООС напряжение небаланса между выходами 17 и 18 уменьшается в Е раэ. где Г -глубина ООС.После стирания напряжение на шине 11 становится нулевым, закрываются транзисторы 8, 9, 2, 25, 26. Транзисторы 8 и 9 отключают источник 10 смещения от ФД 4 и 5, транзистор 22 отключает питание дополнительного ДУ, транзисторы 25 и 26 отключают выходы дополнительного ДУ от затворов транзисторов 15 и 16. Отрицательная ОС размыкается, но величина напряжения раэбаланса между выходами 17 и 18 не изменяется, так как на запоминающих конденсаторах 27 и 28 сохраняются уровни напряжений, установившиеся при стирании, С подачей нулевого уровня на шину 11...

Номер патента: 1835568

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Кашерининов, Кузьмин, Перепелицын, Ярошецкий

МПК: G01D 5/25, H01L 31/16

Метки: потока, регистрации, светового

...в том отношении, что обеспечивает регистрацию только в МДП-структурах с туннельно-тонким диэлектрическим слоем.Сущность заявляемого способа иллюстрируется графически на фиг,1 (а, б, в) и фиг.2 (а, б).На фиг.1 а) приведена схема конструкции туннельной МДП-структуры на полупроводниковом кристалле, содержащем в обьеме и-р-переход; структура состоит из:и-области 1, р-области 2, туннельно-тонкого слоя диэлектрика 3, контакта 4.На фиг,1 б) представлено распределение напряженности электрического поля в структуре при освещении дополнительным световым потоком со стороны и-р-перехода потоком интенсивностии приложенным обратным смещением: кривая 1 описывает распределение электрического поля в кристалле при о = О, а кривая 2 - при оО.На фиг.1...

Номер патента: 762662

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Золотухин, Кравченко, Марончук

МПК: H01L 31/16

Метки: видения, ночного

Способ ночного видения, основанный на облучении объекта импульсами ИК-излучения не более 10-8 с и его визуализации с помощью фотопреобразователя мембранного типа, на который подают напряжение питания и со стороны, противоположной воздействию ИК-излучения, воздействуют видимым световым потоком, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изображения при одновременном увеличении помехозащиты, питания фотопреобразователей осуществляют импульсно с возрастающей амплитудой и синхронизируют его по времени включения с импульсами ИК-излучения, а интенсивность видимого светового потока изменяют синхронно с изменением напряжения питания фотопреобразователей.

Номер патента: 1023973

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Коржов, Косцов, Кравченко

МПК: H01L 27/04, H01L 31/16

Метки: или-не, логический, элемент

Логический элемент "ИЛИ-НЕ", состоящий из прозрачной непроводящей подложки, на которой размещены модулятор света и фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочего напряжения, увеличения быстродействия и упрощения конструкции, модулятор света и фотоприемник выполнены в виде однотипных мезаструктур, представляющих собой поверхностно-барьерные контакты Шоттковского типа на эпитаксиальной полупроводниковой пленке, в которой созданы глубокие центры, причем модулятор света и фотоприемник электрически включены последовательно.