Логический элемент “или-не”

Номер патента: 408257

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адрианова, Бережной, Куликова, Письменный, Попов

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света

...поясцено чертежами.На фиг. 1 приведена схема модулятора; цафиг. 2 схема электрооптического элемента.Модулятор света содержит поляризатор 1,короткофокусные объективы 2, электрооптический элемент 3, анализатор 4, блок управления 5 модулятором.Электрооптический элемент содержит(фиг. 2) электроды 6, кристаллический элемент 7 с полированными плоскостями 1001,проводники 8 для подведения управляющихнапряжений, 9 падающий на кристалл лучсвета, электрический вектор которого параллелен направлению 1101 или 11 О,Поляризатор в модуляторе располагают таким образом, чтобы плоскость поляризациилуча совпадала с плоскостью кристалла 110или 110. Электрическое поле прикладываютвдоль направления О 01, В этом случае индуцировацную разность фаз для...

Номер патента: 830279

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Бжезинский, Трофимов

МПК: G02B 3/14, G02F 1/03

Метки: модулятор, света

...электрооптический элемент, выполненный в виде линзы, которая снабжена прозрачными электродами, и анализатор,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью уменьшения управляющего напряжения и увеличения апертуры модулятора, линза выполнена из материала,обладающего продольным элекчрооптическим эффектом, а рабочая толщина линзы по оптической оси отличаечся от толщины ее на краях не менее, чем в два За раза. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРМ 611167, кл. 6 02 В 3/14, 1978;з 5, 2; Авторское свидетельство СССРМо 525042, кл. О 02 Р 1/03, 1977. 3 ВЭ элемента 2 изменяет величину двулучепреломления. Необходимая для этого напряженность электрического поля создается вначале в областях, где...

Номер патента: 1041978

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Гаврилов, Гущо, Мягков, Сперанский

МПК: G02F 1/19

Метки: модулятор, света

...слоем 2. Со стороны подложки 1проецируется световое изображение 15.Модулятор света работает следующим образом,При проецировании иэображения15 на светочувствительную структурув светлых участках в коллекторномпереходе р-о слои 5 и б под действием света происходит лавинннаяионизация, и переход р 2-и скачкомпереходит в другое устойчивое состояние - открытое (фиг, 31. Приэтом сопротивление светочувствитель ной структуры 10 8 Ом уменьшаетсяна бпорядков до 0,1 Ом. ПереходР 2-и находится в открытом состоянйи до тех пор, пока по электрической цепи, образованной источником10,Ц: 9 ем светового импульса 15, времякоторого может быть 10 8 с и выше.По окончании светового импульса коллекторный переход слоев 5 и б остается открытым, а переход от...

Номер патента: 1550457

Опубликовано: 15.03.1990

Автор: Соколов

МПК: G02B 26/04

Метки: модулятор, света

...использовано для модуляции световых потоков,Целью изобретения является упрощение конструкции, повышение надежности устройства и расширение диапазонов изменения частоты и амплитуды модуляции. 10На Фиг,1 схематично изображен модулятор в сборе; на Фиг.2 - сечение А-А на Фиг.1,Модулятор состоит из корпусаьезоэлектрического привода 2, закреп 15 енного в корпусе 1 и подключенного абелями 3 к генератору 4 переменного апряжения, Т-образного подвижного лемента 5, присоединенного с помоью упругого звена б к пьезоэлектри вескому приводу 2 и зажатого между Ф-образными протяженными элементамизакрепленными на корпусе,Источники 8 света, например свето" ады, оптически сопряженные с осве тителем (не показано), размещены рядом с подвижным...

Номер патента: 855594

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Мишура

МПК: G02F 1/19

Метки: записи, информации, мембранном, модуляторе, света, стирания

...В результатеэтого, положение мембраны при управляющем напряжении 02 является неустойчивым, так как незначительноесмещение мембраны к электроду вызывает увеличение электростатическихсил, которое не может быть скомпенсировано силой натяжения мембраны, имембрана спонтанно притягивается куправляющему электроду до упора в 35него (фиг.2), Этому моменту переключения мембраны соответствует участок кривой О -Б (фиг.З). Такоесостояние мембраны в положении большого смещения является устойчивым 4 Оравновесным состоянием, "ак как электростатические силы притяжения превышают возвращающую силу натяжения мем"браны. При уменьшении управляющегонапряжения мембрана находится вэтом положении до тех пор, пока электростатические силы не станут равнымивоз...