Способ изготовления гетероперехода sic-si

Номер патента: 1797045

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Беженов, Ройтман, Хуповка

МПК: G01N 29/14

Метки: акустоэмиссионный, изделия, поверхностного, слоя, состояния

...что изделие нагружают изгибом до предела текучести и регистрируют напряжения и сигналы акустической эмиссии, по которой судят о состоянии поверхностного слоя изделия, нагружение изгибом осуществляют где Мдэ- знэмиссии;а - текущее значение напряадэ - значение напряжения,ствующее началу изменения акустисионной активности материала;ат - предел текучестиА,С,К - коэффициенты, постоянданного материала,Полученная интегральная акустисионная зависимость имеет два(см.фиг.1). Пологий участок (О сгсоответствует области упругости ачение суммарной акустической ступенчато, регистрацию акустической эмиссии осуществляют между ступенями нагружения, а в качестве параметра акустической эмиссии используютсуммарнуюакусти ческую эмиссию,. регистрируют...

Номер патента: 492239

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Бойцов, Тазенков

МПК: H01G 7/02

Метки: заданной, зарядов, плотностью, поверхностной, электротов

...треоуется длительное время, а для поляризации - нагреванне до сравнительно высоких температур (100 - 200 С), что усложняет технологию получения элсктрстов.Для улучшения стаоильности потенциала, однородности заряда и увеличения производительности предлагается быстро заряжать, например в течение нескольких секунд и менее в зависимости от конструкции и параметров заряжающего устройства, свободную поверхность диэлектрика путем нане.сения заряда нузкного знака с номинальной плотностью на поверхность диэлектрика без последующей тсрмостабилизации,Для устранения неконтролируемых зарядов на поверхности диэлектрик предварительно зануляют любым способом, например погружением в дистиллированную или деионизовапную воду (с последующей про сушкой...

Номер патента: 959569

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Бойцов, Рогинский, Скугарев, Суханов, Тазенков

МПК: H01G 7/02

Метки: заданной, зарядов, плотностью, поверхностной, электретов

...по авт. св. Р 492239 путемнанесения заряда на свободную поверхность диэлектрика, включающем предварительное разряжение поверхности ди"электрика до нулевого потенциала ипоследующее нанесение заряда до нооминальной плотности при 15-60 С втечение 0,1-10 с, заряженную поверхность диэлектрика разряжают до нуля при температуре 100-150 С, затемзаряжают в отрицательном коронномразряде до номинальной поверхностнойплотности заряда при начальной температуре 140-160 С в течение 7-10 минпри одновременном снижении температуры до 50-70 С.На фиг, 1 схематично изображенаисходная диэлектрическая полимернаяпленка.с номинальной плотностью зарядов на ее поверхности, описаннаяв прототипе. В объеме диэлектрическойпленки имеются хаотически заряженныеионы...

Номер патента: 1798669

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Лошкарев, Маштаков

МПК: G01N 27/26

Метки: гидратирующейся, заряда, плотности, поверхности, поверхностной

...Осторожно по краю стаканчика наливали дистиллированную воду. Погружали до упора с контролируемым участком поверхности электродную систему, составленную из двух хлорсеребряных электродов, жестко закрепленных между обой на расстоянии вверх по нормали от поверхности 10 мм, стеклянного электрода ЭСЛ 43 - 07 и ионселективного электрода. При гидратации. сульфатно-карбонатныхстем использовали Са-селективный элекррд Критур типа 20-15 (ЧССР). Хлорсеребряные электроды заполняли одинаковыми растворами хлористого калия и предвариельно подбирали пару по равенству их поенциалов в дистиллированной воде тносительностеклянного электрода, Регистрировали кинетику изменения потенциалов и концентрации потенциалопределяющих ИОНОВ.Изобретение позволяет...

Номер патента: 135966

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Казарновский

МПК: G01R 19/18, H05F 3/00

Метки: зарядов, плотности, поверхностной, электрических

...б.При отсутствии постоянного поля (зарядов нет) и симметрии мостовой схемы через разделительный конденсатор Зтокне проходит. При наличии статического электричества поток электрической индукции проходит через коллектор 6 и в сегнетодиэлектрике конденсаторов 1 и 2появляется постоянная составляющая поля, а в цепи конденсатороввозникает ток второй гармоники. Если в данный момент переменное ипостоянное поля, например в конденсаторе 1, совпадают, то в конденсаторе 2 они противоположны по направлению. Вследствие этого фазатока второй гармоники в конденсаторе 1 оказывается сдвинутой на180 по отношению к фазе тока второй гармоники в конденсаторе 2.Поэтому эти токи замыкаются через среднюю ветвь с конденсатором 3и, складываясь, образуют на...