Парм

Номер патента: 1630570

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Волков, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, оксинитрида, слоев

Способ получения слоев оксинитрида кремния, включающий очистку полупроводниковой подложки, плазмохимическое осаждение слоев из смеси газов моносилан, аммиак и закись азота на нагретую подложку, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диэлектрика за счет уменьшения электропроводности и повышения электрической прочности, плазмохимическое осаждение слоев ведут при активации высокочастотным разрядом смеси аммиака и закиси азота при соотношении газовых потоков 0,075 - 0,15 и удельной мощности высокочастотного разряда 5 - 10 Вт/см3, а подложку нагревают до 90 - 250oC.

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 1378767

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Мараховка, Парм, Ронжин, Соловьев

МПК: H05H 1/00

Метки: диэлектрических, плазмохимического, синтеза, слоев

Устройство для плазмохимического синтеза диэлектрических слоев, содержащее цилиндрическую камеру синтеза диэлектриков с дном, выполненным в виде подложкодержателя с нагревательным элементом, с отверстиями для откачки камеры и напуска газов, и камеру активации с ВЧ-электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества диэлектрических слоев на полупроводниковых подложках путем сжатия потока реакционной смеси к центру реактора и снижения радиационного влияния плазмы на образцы, камера активации выполнена в виде тора, охватывающего камеру синтеза газа, в боковых стенках которой выполнены отверстия для напуска газов, а ВЧ-электрод имеет форму кольца и расположен в центре камеры активации...

Номер патента: 702441

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Глазков, Гольдштик, Москвичева, Парм, Перельштейн

МПК: H01R 39/30

Метки: жидкометаллическое, токосъемное, униполярной, электрической

...вращающееся кольцо, обеспечввающее прохождевве токамежду электродами,только прв номвнальвой частотевращенвя ротора. Это недает воэможности вспольэовать даннуюконструкпвю токосъемв прв приемлемойдпя нормальной работы расходе жидкого .металла в двигательном режиме работымашвны, когда необходвмо обеспечитьэлектрвческий контакт при неподввжномроторе, а также в режимах работы машины с широкой регулвровкой частоты вращения,Целью иэобретенвя является сокращение расхода жидкого металла при формировании жидкостного вращающегося кольна, обеспечивающего электрический контакт между неподввжным и вращающимсяэлектродаии унвполярной машины не толью ко в режиме работы генератора, но и врежиме работы дввгателя, т.е. при не.п 6...