Патенты с меткой «антимонид»

Номер патента: 912649

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Абдусалямова, Власов, Нигматулин, Смирнов

МПК: C01F 17/00

Метки: антимонид, самария

...В. ПополитовРе аедактор А. Гулько Техред Ж.Кастелевич Корректор и Демчик Заказ 1297/30 Тираж 514 Подпи сноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, М, Раушская наб д, 4/5 Филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул, Прое ктная, 4 3 91заданной стехиометрией и гомогенностью.П р и м е р, Шихту Яцф 1) общимвесом 4,5708 г Игл 3,0855 г и ЯЬ16653 г) тщательно смешивают, помещают в ампулу из молибденового стекла, откачивают до 10 4 мм рт.стзапаивают и нагревают в электропечиСШОЪ 6/12 по следующему режиму: в течение 60 мин шихту нагревают до комнатной температуры до 320 С и выдерживают 5-6 ч, в течение 60 мин шихтунагревают от 320 до 400 С и выдерживают 5-6 ч, в течение 60 мин шихтунагревают от...

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...