H01L 27/10 — содержащие несколько отдельных компонентов с повторяющейся конфигурацией

Номер патента: 622168

Опубликовано: 30.08.1978

Автор: Каспирович

МПК: G11C 7/00, G11C 8/02, H01L 27/10 ...

Метки: блоков, выборки, информации, магнитных, памяти, сердечников

...увеличения отношения сигнал/помеха на выходе устройства.дополнительный ключ считывания с входной шиной,На чертеже представлена принципиальная схема устройства для выборки информации,Она содержит информационные разрядные шины 1 с ферритовыми сердечниками 2, компенсационную разрядную шину 3 с сердечниками 4, диоды 5 - 8, включенные одинаково для всех информационных разрядных шин, диоды 9 - 12, включенные в противоположом направлении относительно остальных диодов, шины записи 13, 14 и считывания 15, 16, резисторы 17 - 20, сигнальный трансформатор 21 с одинаковыми входными обмотками 22, 23 со средней точкой и выходной обмоткой 24, ключ 25 считывания, дополнительный ключ 26 считывания и ключ 27 записи. Диоды 5 - 8 и 9, 11 предназначены как...

Номер патента: 625521

Опубликовано: 25.04.1979

Авторы: Березин, Котов, Сорокин, Татаурщиков

МПК: H01L 27/10

Метки: изображения, сигналов, формирования

...столбца относительно подложки до яапряжения, больше 10порогового МДП-структуры, но меньше"напряжения на строчных шинах матрицы.Затем все ключи размыкаются, и навыбранной строке с помощью блока 4управления строчными шинами устанавлйвается напряжение ниже порогового,Обедненная область под всеми электродами этой строки исчезает, и накопленные эа время кадра неосновные носители переходят под электроды столбцов. Так как стоблцовые шины являются плавающимиф, напряжение на каждой иэ них изменяется соответственнозаряду, переданному под один из электродов этой шины, Изменение этогонапряжения с помощью устройства 2ввода сигнала преобразуется в заряд,вводимый затем под электроды линейкиПЗС 3. Таким образом, зарядовый рельефпод электродами ПЗС...

Номер патента: 824347

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Золотарев, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 27/10

Метки: зарядовой, изображения, приборахс, приемник, связью

...регистрах 5 и четных не соединены друг с другом. Электроды 1 и 2 подключены к шинам 6 первого и второго так та обычным способом. Шины б и 7 выполнены например, из поликристаллического кремния или из металла (алюминия) .К шинам б прилагаются напряжения М и Ч, - первыЕ две фазы трехтактового питания с умеренной амплитудой, например +10 В. Если в это время прилагаемое,к шине 7 импульсное напряжение , представляет собой третью У с той же амплитудой +10 В, то ав нечетных регистрах идет переносранее накопленного заряда электронов. Число импульсов ф, поступающих на шины б и 7 равно количеству триплетов электродов в регистрах. В это же время к шине 7 прилагается напряжение Ч , которое остается постоянным за все время считывания нечетных...

Номер патента: 1198571

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Котов, Сорокин

МПК: G11C 11/42, H01L 27/10

Метки: информации, оптической, считывания

...10. На управляющей шине 11, т.е. на четвертых электродах 12 и первых затворах тетродов 6, устанавливают постоянное напряжение на все время работы матрицы, Первый затвор тетродов 6 и четвертые электроды 12 соединены между собой для того, чтобы уровень потенциальной ямы под ними был одинаков. Этот уровень определяет минимальный уровень, до которого столбцовые диффузионные шины 3 могут быть заполнены подвижными зарядами. При открытых тетродах 6 подвижные заряды уходят из столб 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 цовых диффузионных шин 3 в управляющую шину 11, а при открытых третьих электродах 13 уходят в потенциальные ямы под вторыми электродами 14. В итоге уровень заполнения диффузионных столбцовых шин 3 подвижными зарядами опускается до...

Номер патента: 865078

Опубликовано: 30.08.1986

Авторы: Кляус, Сердюк, Черепов

МПК: H01L 27/10

Метки: зарядовой, потенциального, приборах, рельефа, связью, создания

...с зарядовой свя 5078 юзью в полупровопниковой подложкепод передающим электродом, основанном на приложении к передающему электроду обедняющего напряжения и формировании в полупроводниковой подложке электрического поля, ускоряю"щего носители заряда в направлениипереноса, передающий электрод формируют в виде отдельных параллельных1 О и расположенных перпендикулярно нап"равлению переноса носителей заряда частей, длина которых в направлении переноса носителей меньше, чем глубина областипространственного заряда, и на раз 15 ные части одного передающего электрода подают нарастающий по абсолют-.ной величине в направлении переноса, потенциал.На фиг,1 показан способ создания20 потенциального рельефа в ПЗС; нафиг,2 показаны эпюры фазных...

Номер патента: 1376262

Опубликовано: 23.02.1988

Авторы: Артеменко, Истокский, Катков, Кушнир, Ролик, Руденко

МПК: H01L 27/10

Метки: дискретной, информации, манипулированными, передачи, сигналами, частотно

...угла Ч, лежат в пределах 180ц(с)360 , а угла Р, ( ) в пределах 0 с(г) ы 180 , то для введения .фазового сдвига на угол Ч, к содержимому счетчиков 21 прибавляется разность между числом 64 и частным от деления значения Ср,(ь) на 5,625 , а для осуществления сдвига фазы в формируемом сигнале на угольк содержимому счетчиков 21 прибавляется двоичный код результата деления ц (.) на 5,625. С выхода ЦАП 23 псевдосинусоидальный сигнал поступает на вход фильтра б,В блоке 3 определения величины фазового сдвига на основании значения бита данных, поступающего от источника 1 информации, значения (Г), поступающего из блока 4 определения момента изменения фазы сигнала и значения фазы гармонического колебания из модулятора 2, происходит определение...

Номер патента: 786741

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Деркач, Копыл, Михалевич, Торчинский

МПК: H01L 27/10

Метки: запоминающий, элемент

...со стоком разрядного и затвором ключевого транзистора, а затвор и сток зарядного транзистораподсоединены ко второй тактовой шине,На фиг, 1 представлена блок-схемапредлагаемого запоминающего элемента; 5. 50на Фиг. 2 - Формы первых, вторых тактовых импульсов, сигнала записи инФормации и импульсного напряжения,Запоьанающий элемент содержит регистр сдвига с переносом заряда 1 55(например на пожарных цепочках), выходной транзистор 2, ключевой 3,зарядный 4 и разрядный 5 транзисторы,шины первых 6 и вторых 7 тактовыхинпульсоь, затвор 8, подсоединенныйк источнику импульсного напряжения,шину записи информации 9.Работу устройства рассмотрим напримере десятичного фазо-импульсногозапоминающего элемента, регистр сдвига которого содержит пять...

Номер патента: 1430991

Опубликовано: 15.10.1988

Авторы: Докучаев, Кузнецов, Пригожин

МПК: H01L 27/10, H04N 5/30

Метки: видеосигнала, матричный, формирователь

...кремния толщиной 0,12 мкм, на котором расположе ны затворы 5 матрицы из поликремния толщиной около 0,5 мкм. Затворы 5 фаз Ф, и Ф, выполненные в первом слое поликремния, изолированы от затворов 5 фаз ф и Ф, выполненных во втором слое поликремния, слоем двуокиси кремния толщиной 0,12 мкм.Устройство работает следующим образом.К затворам 5 прикладывают обычную четырехфазную последовательность импульсов. При этом наклонное расположение затворов 5 фаз секции 2 накопления по отношению к вертикальным стоп-каналам 1 приводит к тому, чтов каждых двух соседних столбцах последовательность фаз в вертикальныхрегистрах изменяется на противоположную (см. фиг.1, 2): в четных регистрах порядок фаэ Ф,Ф Ф, Ф 4 в нечетных ф 4, Фз ф, Ф, порядокотсчета...

Номер патента: 1074345

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Фурсин

МПК: H01L 27/10

Метки: интегральный, нейрон

...на возбуждающих входах 4 а (д=,М) и на тормозящих входах.5 Ь;(=,И) отрицательное напряжение относительно шины нулевого потенциала принимают лишь два значе- . ния - логического "0", либо логической "1", На выходах 2 и 3 си.налы определяются следующими фуйкциями::Е. (а, -Ь; ) с; Ц=1 10 О, если если где М и Г - число возбуждающих итормозящих входов 4 и 5 соответственно; А, В, С - пороги срабатываниявторого, третьего и первого суммато ров, определяемые сопротивлениямишунтирующих резисторов 30 (либо дополнительным управляющим током положительной или отрицательной полярности, подаваемым на базовые р-области 2 Б 8, 9, и 7 выходных транзисторов)Пороги срабатывания выбираются в пределах А 5 Му сВБ 1 СМ; 1 ЦМ. Сигналам С, С и Сз соответствует...

Номер патента: 1355060

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Аболтиньш, Кугель

МПК: H01L 27/10

Метки: полупроводникового, резистора, сопротивлением

...из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от нйх диэлектрическими пленками 3. Конденсатор подключается к регулируемому источнику питания 4, а выводы - метал" лические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой. пластине н плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, и подключаются дляконтроля к измерителю сопротивления 6. Приспособление 7 служит для измерения расстояния между зондами и от зондов до обкладок конденсатора.П р и м е р реализации устройства. В качеСтве полупроводниковой пластины взят ЩБ с;удельным сопротивлением 0,1 Ом м и размерами 20 х 1 О х х 0,4 мм, который помещается...

Номер патента: 1369609

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Архипов, Ядов

МПК: H01L 27/10

Метки: аналоговых, масштабно-временной, сигналов, электрических

...к управляющему электроду, размещенному около элемента вьгнода, подключен через генератор напряжения 6 к элементу ввода сигнала.Преобразователь работает следующимобразом.На электроды 2 с реэистивного делителя подается напряжение от генератора двухуровнего напряжения, котороепо амплитуде распределено возрастакщим от первого управляющего электродак последнему, Максимальное значениенапряжения определяется допустимымнапряжением пробоя изолирующего слояокисла на поверхности подложки,При поступлении преобразуемогосигнала на элемент 4 ввода в подложку ннжектцруются цеосновцые носителизаряда, перемещающиеся под действиемускоряющего напряжения, возрастающего по амплитуде от электрода к электроду в сторону элемента 5 вывода,Через некоторое...

Номер патента: 1308118

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Арутюнов, Сорокин

МПК: H01L 27/10

Метки: выходное, зарядовой, прибора, связью

...него установочного напряжения на выходной электрод 1. Сбросовый транзистор Тс работает в ключевом режиме. Во время считывания заряда Я сбросовый транзистор Тс заперт. Поэтому в вто время выходной электрод 1 и соединенные с ним шина 3, затвор 4 и исток 5 находятся в "плавающем" состоянии. Заряд ( индуцирует на этих "плавающих элементах импульс выходного напряжения Ьо - Я/Сээ где С,э = Сз э С + С, а Сэ, С 4, С - соответственно емкости относительно подложки 7 соединительной шины 3, затвора 4 н истока 5Б данном устройстве исток расположен под соединительной шиной, пов торяет форму соединительной шины иэлектрически соединен с ней. Поэтому удельная емкость соединительной шины 3 относительно полупроводниковой подложки 7 равна удельной...

Номер патента: 1384131

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Арутюнов, Сорокин

МПК: H01L 27/10

Метки: выходное, зарядов, переносом

...переме-.щаются под плавающий электрод 5, Потенциал на электроде 5 устанавливаютпосле каждого цикла считывания, подавая отпирающие импульсы на затвортранзистора сброса 10, присоединенный стоком к внешнему источнику постоянного напряжения, На дополнительные электроды 6 и 7 подают напряжения от внешнего источника, установкой которого производят регулировкукоэффициента преобразования. Затворсброса 8 и сток 9 служат для сбросасчитанных зарядов, Этот сброс происходит при подаче на шину 3 и электроды 6 и 7 такого же напряжения,как и на электроде 5, при большемнапряжении на стоке 9,При запертом транзисторе сброса 1 Оэлектрод 5 остается под плавающимпотенциалом. Передаваемый заряд распределяется по потенциальным ямамэлектродов 5, 6 и 7....

Номер патента: 1589957

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Белоус, Коннов, Сахаров, Силин

МПК: H01L 27/10

Метки: интегральная, схема

...его исток соединен с общей.14 пф-типа вместе с электродами зат- шиной 19, сток соединен со стокомворов 15 и и-областей 17 истоков и р-канального ИОП-транзистора, исток35стоков покрыта пассивирующим диэлект- которого соединен с шиной питания 26.риком 18, на котором вдоль удлиненной . Разделение вторыми охранными облаобласти 7 р-типа размещена общая шина стями 14 и 23 р+- и и+-типов позволя"19 покрывающая вторую охранную об-ет использовать по одной шине питания940пасть 14 р-типа и края электродов зат- .26 и общей шине 19 для каждой парыворов 15 Под шиной 19 в пассивирую- ИОП-транзисторов, размещенных в облащем диэлектрике 18 сФормированы кон- стях 12 и 21, и тем самым уменьшитьтактные окна 20 к второй областп 14их количество в 2 раза,...

Номер патента: 1748223

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H01L 27/10, H03F 3/26

Метки: интегральный, мощный, транзистор

...(Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного...

Номер патента: 884506

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Вето, Марчук, Скрылев, Старовойтов, Тренева

МПК: H01L 27/10

Метки: изображения, сигналов, формирователь

...изображения,Предложенный формирователь сигналов иэображения содержит одну строкусветочувствительных элементов 1, дополнительные светочувствительные элементы 2,сдвиговый регистр 3. затвор 4 переноса, обратносмещенные р-и переходы 5, устройстФормула изобретения ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛОВ ИЗО. БРАЖЕНИЯ на основе приборов с зарядо. вой связью. содержащий по крайней мере одну с 1 року светочувствительных элементов, затвор переноса и сдвиговый регистр с устройствами ввода-вывода информации, отпичающийс тем, что, с целью устране 10 15 20 25 30 35 40 во ввода информации б, устройство вывода информации 7,Основные 1 и дополнительные 2 светочувствительные элементы расположены сбоку сдвигового регистра 3, от которого они отделены...

Номер патента: 1238701

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Алфеев, Гуськов, Гуторов, Карасев, Колотков, Ларионов, Оборотов

МПК: H01L 27/10, H04N 5/335

Метки: зарядовой, оптико-электрический, приборе, связью

ОПТИКО-ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА ПРИБОРЕ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий параллельные столбцы переноса заряда, в разрывах которых расположены переключающие электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности, переключающие электроды в каждом столбце разделены на две части, изолированные областью стоп-диффузии, при этом первый и вторые части переключающих электродов соединены соответственно первой и второй управляющими шинами , а область стоп-диффузии смещена в поперечном направлении на половину расстояния между столбцами переноса заряда.

Номер патента: 740085

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Вето, Кузнецов, Левин, Пресс, Скрылев, Хатунцев

МПК: H01L 27/10, H01L 29/796

Метки: изображения, линейный, сигналов, формирователь

ЛИНЕЙНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ на приборах с зарядовой связью, содержащий приемники изображения, затвор переноса, сдвиговый регистр и выходное устройство, отличающийся тем, что, с целью устранения разброса параметров приемников изображения, введен второй сдвиговый регистр, расположенный параллельно первому, имеющий собственное входное устройство, последовательно соединенное с выходным устройством первого сдвигового регистра, и собственное выходное устройство, а также дифференциальный усилитель, соединенный с выходными устройствами.

Номер патента: 1366005

Опубликовано: 10.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H01L 27/10

Метки: нейроскоп

Нейроскоп, включающий нейристорные линии, образованные полупроводниковыми приборами с отрицательным дифференциальным сопротивлением, выполненными в единой полупроводниковой подложке, с одной стороны которой нанесен первый общий для всех приборов сплошной электрод, а с другой стороны выполнены дискретные электроды к каждому прибору, на которые нанесен электролюминесцентный слой, покрытый вторым общим светопроницаемым электродом, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости изображения, на части площади дискретных электродов выполнен резистивный слой, покрытый дополнительным общим электродом, а на другой части площади дискретных электродов между ними и электролюминесцентным слоем введен...

Номер патента: 1041010

Опубликовано: 27.05.1999

Автор: Гурин

МПК: H01L 27/10, H04N 3/18

Метки: нейроскоп

Нейроскоп на основе строк, выполненных в виде светоизлучающих нейристорных линий, включающих заключенные между двумя шинами питания слой полупроводника, дискретные области которого имеют отрицательное дифференциальное сопротивление, и матричные электроды, образующие соединенные последовательно приборы по возбуждению с отрицательным дифференциальным сопротивлением, слой диэлектрика и нагрузочный электролюминесцентный слой, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, матричные электроды смежных приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением соседних нейристорных линий-строк электрически соединены между собой, каждый прибор с отрицательным сопротивлением...

Номер патента: 1730991

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бокк, Кляус, Новоселов, Ольшанецкая

МПК: H01L 27/10

Метки: зарядовой, многовходовое, приборах, связью, сигналов, считывания

Многовходовое устройство считывания сигнала на приборах с зарядовой связью, содержащее слой диэлектрика, нанесенного на полупроводниковую подложку с входной и выходной диффузионными областями с противоположным подложке типом проводимости в каждом 1,2 ..., M, (M + 1), ... H-ом канале на приборах с зарядовой связью, на котором расположены последовательно за входной диффузионной областью первый и второй входные затворы, а за ними последовательно затвор переноса, выходная диффузионная область, соединенная с истоком транзистора сброса и затвором электрометрического транзистора, затвор транзистора сброса соединен с первой общей шиной управления, а сток - с шиной питания, к которой подсоединен...