Способ определения концентрации двумерного электронного газа

Номер патента: 1618224

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик

Описание

Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости С1 при напряжении смещения, соответствующем полному обеднению слоя полупроводника между барьерным контактом и проводящим квантовым слоем, а величину концентрации двумерного электронного газа N2b рассчитывают по формуле

где q - заряд электрона;
А - площадь поверхностно-барьерного контакта.

Заявка

4650145/25, 13.02.1989

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Бобылев Б. А, Марчишин И. В, Овсюк В. Н, Усик В. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1618224-sposob-opredeleniya-koncentracii-dvumernogo-ehlektronnogo-gaza.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации двумерного электронного газа</a>

Похожие патенты