Способ определения концентрации двумерного электронного газа
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

где q - заряд электрона;
А - площадь поверхностно-барьерного контакта.
Заявка
4650145/25, 13.02.1989
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Бобылев Б. А, Марчишин И. В, Овсюк В. Н, Усик В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного
Опубликовано: 20.05.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1618224-sposob-opredeleniya-koncentracii-dvumernogo-ehlektronnogo-gaza.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения концентрации двумерного электронного газа</a>
Предыдущий патент: Устройство для охранной сигнализации
Следующий патент: Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа
Случайный патент: Способ получения а-метилстиролов, содержащих вторичную аминогрунпу