Способ получения слоев диоксида кремния

Номер патента: 1403907

Авторы: Васильева, Коркман, Ненашева, Нестерова

Описание

Способ получения слоев диоксида кремния окислением моносилана SiH4 кислородом O2 в изотермическом проточном кварцевом реакторе при парциальных давлениях моносилана 0,05 - 0,5 мм рт.ст. и соотношении внутренней поверхности реактора в зоне осаждения к объему 1 - 3 см-1, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса за счет увеличения скорости роста слоев и улучшения качества слоев путем уменьшения их пористости, процесс ведут в присутствии добавок газообразного аммиака NH3 при соотношении NH3/SiH4 = 0,05 - 1, давлении в реакторе 0,3 - 3 мм рт.ст. в температурном диапазоне 70 - 300oC и соотношении O2/SiH4 = 1 - 5.

Заявка

4135915/25, 17.10.1986

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Васильева Л. Л, Ненашева Л. А, Нестерова С. Н, Коркман Н. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/316

Метки: диоксида, кремния, слоев

Опубликовано: 20.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1403907-sposob-polucheniya-sloev-dioksida-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев диоксида кремния</a>

Похожие патенты