Способ получения слоев диоксида кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
4135915/25, 17.10.1986
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Васильева Л. Л, Ненашева Л. А, Нестерова С. Н, Коркман Н. Л
МПК / Метки
МПК: H01L 21/316
Метки: диоксида, кремния, слоев
Опубликовано: 20.05.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1403907-sposob-polucheniya-sloev-dioksida-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения слоев диоксида кремния</a>
Предыдущий патент: Фотоэлектрическое устройство для обнаружения дыма
Следующий патент: Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках
Случайный патент: Перегрузочное устройство