Патенты с меткой «арсениду»

Номер патента: 429482

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Кривошеев, Мисик, Ткин

МПК: H01L 21/24

Метки: арсениду, галлия, контактов, припой

...нейтральной примесью в арсениде галлия, то для образования невыпрямляющего перехода р+ - р-типа в свинец добавляется цинк, являющийся акцепторной примесью для баАз и образующий область р+-типа.Известный припой характеризуется плохим смачиванием полупроводника расплавленным припоем, вследствие чего в контактах и, особенно, в контактах большой площади наблюдаются несмоченные участки и неровный фронт вплавления.Предлагаемый припой позволяет улучшить смачивание полупроводника и повысить качество контактов за счет введения в припой в качестве составной части серебра, причем компоненты взяты в следующем соотношении, вес. %; цинк - 5 - 10; серебро - 2 - 5; свинец - остальное.Припой состава: 90,5% РЬ+7% Хп+2,5% Ад 5 использовался для...

Номер патента: 1131400

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Братишко, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: арсениду, барьерного, галлия, контакта, пробоя, проводимости, типа

...галлия, размещаемого на металлическом предметном столике 2, прижимают алюминиевую трубку 3; Место контакта ее с поверхностью образца уплотняют посредством эластичного диэлектрического кольца 4 с диаметром отверстия, ограничивающего площадь анода, равным 2 мм, Электролит 6 готовили смещением ЗХ-ного водного раствора лимонной кислоты (рН доводили до 6,0 добавлением аммиака) с этиленгликолем в соотношении 1:6. После заполнения трубки электролитом обеспечивали локальный контакт электролита с анодом на площади около 3 мм , Поло 2 жительный потенциал от источника 7 постоянного тока подают на анод путем создания прижимного контакта 8 к поверхности образца. Отрицательный потенциал прикладывают к алюминиевой трубке, внутренняя поверхность которой...

Номер патента: 1817159

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Волков, Иванова, Крякин, Смирнов

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических

...оп 5 робован в Ленинградском государственномтехническом университете на кафедре "Общая и полупроводниковая металлургия",Далее приводятся результаты. этих испытаний.10 Для изготовления омических контактовна подложках иэ арсенида галлия(САГК)предварительно создавалась металлизация, включающая следующие слои:1. Золото-германиевая15 эвтектика толщиной 0,07 мкм2. Никель толщиной 0,03 мкм3. Золото толщиной 0,15 мкмПосле подготовки исходной структурыпроводился процесс вплавления, включаю 20 щий в себя выполнение следующей последовательности технологических операций:1. Структура помещается в реакционную камеру установки для осаждения диэлектрических пленок, После чего реакционная25 камера (реактор) герметизируется и либо вакуумируется и...

Номер патента: 1440296

Опубликовано: 10.12.1995

Автор: Минеева

МПК: H01L 21/28

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических, проводимости, типа

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ, включающий химическую очистку пластины, нанесение германия и палладия, нагрев в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности контактов путем снижения переходного сопротивления, на пластину после химической очистки наносят химическим путем палладий, толщиной нагревают структуру до 200 300oС, германий наносят толщиной после чего наносят никель или алюминий, толщиной

Номер патента: 519043

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Теплова

МПК: C22C 9/00, H01L 21/00

Метки: n-типа, арсениду, галлия, контактный, материал, омический

Омический контактный материал к арсениду галлия n-типа на основе меди, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры вжигания контакта, материал, кроме меди, содержит олово и галлий, причем меди 70 - 75 вес.%, олова 14 - 17 вес.% и галлия 11 - 13 вес.%.