Патенты с меткой «диэлектриками»

Номер патента: 1312112

Опубликовано: 23.05.1987

Авторы: Лунина, Рабинович, Файтельсон, Ферштатер

МПК: C21D 1/78

Метки: диэлектриками, неорганическими, соединения

...С, ох лаждение в воде, отпуск при 300-320 С, выдержка 1 ч. Измерение ТКЛР проводят для каждого варианта не менее, чем на трех образцах, в интервале темпера.тур 20-100 С на кварцевом дн латометре с микрометрическим измери - тельным устройством, прошедшим поверку по контрольному обра.зцу. Обработке холодом подвергают образцы в специальном баке, заполненным жидким азоОтом (-196 С). Отливки подвергают обработке жидким азотом на высоту по большой оси 35 мм. Из обработанной и не обработанной холодом частей отливок вырезают дилатометрические образцы диаметром 4 мм и длиной 30 мм и проводят измерение ТКЛР. Образцы вырезают перпендикулярно большой оси отливки. Образцы иэ эон, не обработанных жидким азотом, находятся на расстоянии 60 мм от торца...

Номер патента: 1824653

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Афиногенов, Комельков

МПК: H01B 17/34

Метки: высоковольтных, диэлектриками, жидкими, изоляции, повышения, прочности, устройств, электрической

...начинают распространяться многочисленные лидерные структуры. После пробоя шарового разрядника 6 напряжение на промежутке падает до уровня, определяемого отноше 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 нием величины формирующего сопротивления 8 к ограничивающему сопротивлению 2, и мало изменяется за время длительности импульса( 50 мкс). В случае, когда в схеме отсутствует сопротивление 8, после пробоя шарового разрядника 6 происходит глубокий спад напряжения с последующим зарядом емкости 7 через сопротивление 2 до напряжения, близкого к начальному, т.е. произошло восстановление импульса.На фиг,2 показана осциллограмма стандартного грозового импульса напряжения сф = 2 + 0,5 мкс; длительность импульса ти до спада напряжения О = Оах/2 равна 50 + 5...

Номер патента: 1484202

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: диффузионного, диэлектриками, полупроводников, соединения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИЭЛЕКТРИКАМИ, содержащее основание с стойками, верхнюю плиту, прижимные элементы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно дополнительно снабжено нижней кассетой, выполненной в виде плиты с отверстиями для фиксации диэлектрических заготовок, и верхней кассетой с отверстиями для прижимных элементов и заготовок, обе кассеты зафиксированы на стойках, при этом отверстия обеих кассет расположены соосно, а прижимные элементы выполнены в виде грузов.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности электростатического соединения полупроводников с диэлектриками, прижимные элементы и основание выполнены электропроводящими, а стойки...