Гамарц

Способ определения рекомбинационных параметров полупроводниковых материалов

Номер патента: 1356901

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...

Устройство для измерения двулучепреломления

Номер патента: 1365898

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гамарц, Добромыслов, Крылов

МПК: G01N 21/23

Метки: двулучепреломления

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДВУЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЯ, содержащее монохроматический источник зондирующего излучения с длиной волны в области прозрачности исследуемого объекта, последовательно расположенные по ходу излучения поляризатор, фазовую четвертьволновую пластинку с осями, составляющими угол 45o с осью пропускания поляризатора, сканирующее устройство, собирающую линзу, анализатор, установленный с возможностью вращения, и фотоприемник, а также блок питания фотоприемника, селективный усилитель и регистрирующее устройство, причем выход фотоприемника соединен с входом селективного усилителя, выход селективного усилителя соединен с регистрирующим устройством, а выход блока питания соединен с фотоприемником, отличающееся тем, что, с...

Устройство для контроля полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 1746264

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Гамарц, Дернятин, Добромыслов, Крылов, Курняев, Трошин

МПК: G01N 21/23

Метки: полупроводниковых

...с выхода ФНЧ 19 анализатора 9 возникает также модуляция поступает на сигнальный вход АЦП 20, в на частоте в 1, Прошедшее вращающийся котором преобразуется в цифровой код в анализатор 9 излучениелинейнополяризова- моменты прихода импульсов на вход запуно, причем плоскость поляризации враща ска АЦП 20. Эти импульсы вырабатываются ется с частотой 2 в 1, Оптические элементы формирователем 11 и 12 опорного сигнала устройства, расположенные на оптической и жестко связаны с угловым положением оси после вращающегося анализатора, мо- анализатора. Таким образом, на вход регигут быть чувствительны к направлению по-стрирующего устройства 21 поступает поляризации проходящего через них света. В 55 следовательность цифровых кодов,особенности это...