Патенты с меткой «рекомбинационных»
Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников
Номер патента: 146882
Опубликовано: 01.01.1962
Авторы: Дубровский, Петрусевич, Субашиев
МПК: G01N 21/25
Метки: полупроводников, постоянных, рекомбинационных
...т, е. Отношения фотогроводихОст 1 .-. к, чггслу квантов. надаОших на еди 11 ц повер хиос 11 11, прозодн 11 кового зг 1 тернала вЬ-.1 свк Уот величины, ооратной коэффицчгчту погасНенг) Кл/г, рй - 77, Ь,Л - к - по осям координа ОПРР ЛЕЛЯЮт ЛгнффУЗИОНдля толстых образцов ну".о длину 1, из формулы: 1,=77 7 77 г г"иили У. : , - -, -- для тонких образцов, где 67 777,; 77, и 77 р77,Ь, Ь,Ъ,- гЬоорре.ки, о зг каемыр прямой - - 7 1 - .-1 по Осям координат. а И -р,й, т,К еолшина образцаС цель 7 о определения рекомбинационных постоянных вентильных т 7 отоэ,р 7 ементов, плоскость р-л перехода которых параллельна освешаеМой ПОБЕРХНОСТН, ИЗМЕРЯ)ОТ С 77 ЕКТРаЛЪНОЕ РаСПРЕДЕЛЕНИЕ фототг;ьа КО; откого замыкания для двух значений 5,...
Способ определения рекомбинационных параметров полупроводниковых материалов
Номер патента: 1356901
Опубликовано: 20.12.1995
Авторы: Амальская, Гамарц, Ганичев, Стафеев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводниковых, рекомбинационных
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий облучение образца модулированным по интенсивности возбуждающим излучением с длиной волны из области межзонного поглощения исследуемого материала, облучение возбужденной области полупроводника зондирующим излучением с длиной волны из области поглощения свободными носителями заряда, измерение относительного изменения интенсивности прошедшего через образец зондирующего излучения и определение эффективного времени жизни * расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности раздельного определения объемного времени жизни to и скорости поверхностной...