Способ определения подвижности неосновных носителей заряда

Номер патента: 1056316

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности

...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...

Номер патента: 1160484

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности

...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...

Номер патента: 1289317

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ждан, Мухин, Никитин, Синкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности, твердых, телах

...на примере определения подвижности электронов в инверсном слое кремниевого МДП-транзистора, изготовленного на подложке/20 Ом см. Толщина окисла составляет0,1 мкм, площадь структуры3 РсмИзмерение производной магнитосопротивления ЙВ/йЧ (фиг. 2) при фиксированном напряжении на затворе Ч15 В проводится по модуляционнойметодике в процессе изменения индукции магнитного поля В от 1 до 3 Тл,Установленное значение температурыудовлетворяет условию реализации551 РТшспособа - - в -9во всем ин 2 Л Ь еВ.тервале значений магнитной индукции, Таким образом, значения индукции магнитного поля, приложенного перпендикулярно поверхности Б, при измерении зависимости ЛН/ЙЧ удовлетворяют23 1 сТщровсво всем7 Ъеисследуемом интервале. На фиг. 3 определяют...

Номер патента: 788053

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Коротченков, Ляху, Молодян

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: зависимости, заряда, материалах, носителей, подвижности, полупроводниковых, температурной, холловской

...электромагнитом 10.Устройство работает следующим образом.Образец 4 подключается к источнику1 напряжения и между потенциальнымиконтактами 6 и 7 устанавливается заданное напряжение, С изменением температуры образца 4 изменяется электропроводность объема полупроводника итоковых контактов 2 и 3, в результатепроисходит перераспределение паденийнапряжения на токовых контактах и наобъеме полупроводника, расположенноммежду потенциальными контактами 6 и 7.При этом блок 5 обратной связи,снабженный схемой управления источником 1 напряжения, позволяет изменятьнапряжение между токовыми контактами2 и 3 так, чтобы падение напряжениямежду потенциальными контактами б и 7оставалось постоянным, Таким образом,каждому значению температуры...

Номер патента: 803759

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Крутоголов, Лебедева, Соколов, Стрельченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...излучением со стороны, дротнвоположнои переходу электролит - полундроводник, изменяя длину волны излучения, измеряют спектральную зависимость фото- тока 1 (Л) через переход. В спектральном диапазоне, где выполняются условия аТ 1 и а 1.)1 (т. е, аТ 10, а 1, 10), фототок 1, (Л) описывается выражением; где= О/5 есть отношение коэффициента диффузии 0 .неосновных носителей заряда к скорости их рекомзо бинации 5,на освещаемой поверхности полупроводника;В - коэффициент:пропорциональности,Построив график зависимости 1,(Л) от 35 1/а (Л) в указанном спектральном диапазоне,и продлив получившуюся прямую до дересечения с осью абсцисс, на которой отложены значения 1/а (это соответствует случаю, когда левая часть уравнения (2) обра...