Способ изготовления рельефных кремниевых структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях, отличающийся тем, что, с целью повышения точности рельефа структур, защитную пленку окисла кремния наносят толщиной
в областях структур, в которых травление пластины проводится на глубины заданного рельефа, пленку окисла кремния уменьшают до толщин, определяемых из соотношения
где 
толщина пленки окисла кремния в к-й области рельефа структуры;
максимальная глубина травления рельефа структуры;
исходная толщина пленки кремния;
hSiK заданная глубина травления к-го рельефа структуры,
скорости травления кремния и окисла кремния в травителе для кремния соответственно;
к порядковый номер областей с рельефом в структуре, к 1, n,
h количество областей с рельефом;
h толщина окисла кремния, оставляемого в каждой области с рельефом в момент достижения в предыдущей области требуемой промежуточной глубины травления,
проводят травление кремния в первой области рельефа структуры на глубину 
удаляют из второй области рельефа структуры в травителе для окисла кремния оставшуюся пленку окисла кремния толщиной h, уменьшая при этом на величину h всю имеющуюся на пластине на данный момент травления пленку окисла, проводят травление кремния в первой и второй областях рельефа на глубину 
удаляют из третьей области рельефа структуры в травителе для окисла кремния оставшуюся пленку окисла кремния толщиной h, уменьшая при этом на величину h всю имеющуюся на пластине на заданный момент травления пленку окисла, и, аналогично чередуя травление пластины в травителях для кремния и для окисления кремния, формируют заданный рельеф структур в каждый из n областей.
Описание
Целью изобретения является повышение точности рельефа структур.
П р и м е р. На пластине кремния марки КЭФ 4,5 толщиной 300-350 мкм методом термического окисления при температуре 1150-1200оС в парах воды выращивают в течение 6-8 ч пленку окисла кремния толщиной 1,5-2,0 мкм.
Методом фотолитографии формируют с непланарной стороны пластины канавки для разделения, полностью вытравливая из них пленку окисла кремния и области под профилированную мембрану, уменьшая в ней исходную толщину окисной пленки до 0,4-0,5 мкм.
Проводят травление кремниевой пластины в канавках для разделения в анизотропном щелочном травителе 20-25% -ной концентрации КОН при температуре 96-98оС на глубину (50
3) мкм. После данного этапа травления в областях под профиль мембран остается окисная пленка толщиной 0,05-0,1 мкм.Проводят травление пленки окисла кремния в травителе состава NH4F 105 ч. Н2О 210 мл, HF 40 мл, по всей поверхности пленки на толщину 0,05-0,1 мкм до момента полного удаления окисной пленки из областей профиля мембран.
Проводят травление кремниевой пластины в областях под профиль мембран и канавках чувствительных элементов под разделение до получения заданного рельефа исходной заготовки.
Методами планарно-пленочной технологии формируют тензочувствительную схему ЧЭ и с использованием фоторезиста ФП-25 (15) с планарной стороны в травителе состава HF:HNO3:CH3COOH 2:15:5 разделяют пластину на ЧЭ.
Технико-экономическими преимуществами предлагаемого способа по сравнению с прототипом являются повышение точности формирования размеров рельефных структур, например, толщины профиля до
3 мкм, за счет исключения влияния погрешностей скоростей травления кремния и окисла кремния на момент удаления защитной пленки в К-м рельефе и на начало травления кремния в данном рельефе, упрощение расчета параметров технологического процесса за счет введения технологического припуска на толщину защитной пленки в К-м рельефе, обеспечение промежуточного контроля размеров структур в процессе их изготовления, повышение выхода годных структур, например, при изготовлении профилированных чувствительных элементов до 80-90% Заявка
3767947/25, 12.07.1984
Хасков А. В, Козин С. А, Чистякова Т. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, рельефных, структур
Опубликовано: 27.11.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1228720-sposob-izgotovleniya-relefnykh-kremnievykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления рельефных кремниевых структур</a>
Раствор для избирательного травления пленок хрома
Номер патента: 378564
Опубликовано: 01.01.1973
Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома
...с микрон- ными размерами и обеспечивает,получение рельефа металла с субмиасронными размерами.Раствор содержит соляную кислоту и 50%-ный раствор натриеэой соли,диэтилгеканлового эфира сульфоянтарной:кислоты в количестве 0,5 - 5 оо от объема соляной кислоты.Процесс травления протекает равномерно и поддается регулировке изменением концентрации кислоты и добавки.Для проведения процеоса травления рекомендуют применять 20 - 37%-ный распвор соляной кислоты. Избирательное травление пленок хрома в предлагаемом растворе проводится следующим образом.Пластину с хромовой пленкой, на которуюнанесен защитный рисунок, погружают в дан ный раствор, Участок хромовой пленки, не защищенный фоторезистором, приводят в контакт с алюминиевьсм или...
Состав для избирательного травления пленки моноалюмината неодима с алюминия
Номер патента: 1019019
Опубликовано: 23.05.1983
Авторы: Корж, Одинцова, Панасенко
МПК: C23F 1/02
Метки: алюминия, избирательного, моноалюмината, неодима, пленки, состав, травления
...травления пленок алюминия всего в два раза ниже скорости травления пленки окиси алюминия, лежащей на пленках аломиния.Целью, изобретения является снижение скорости травления алюминиевой подложки и бокового подтравливания..Поставлейная цель достигается тем, что состав для избирательного травления пленки моноалюмината неодима с алюминия, содержащий ФосФорную кислоту, уксуснуе кислоту и окислитель, дополнительно содержит крахмал, а в качестве окислителя - хромовый ангидрид при следующем соотношении компонентов, г/л:ФосФорная кислота 10"50Уксусная кислота . 3-20Хромовый ангидрид 20-50Крахмал 0,1-1.Концентрация хромового ангидрида .яаляется критичной: недостаток СОз йриводит к воздействию ФосФорной кислоты на пленку алюминия, а избыток...
Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок
Номер патента: 1806419
Опубликовано: 30.03.1993
Авторы: Дехтяр, Квелде, Куницын, Маркелова, Носков, Сагалович
МПК: H01L 21/66
Метки: ионного, момента, окончания, пленок, процесса, травления
...образец. тонкой пленки сплава РС-ЗОООК толщиной300 Ао, нанесенной на термически окисленную кремниевую подложку, Фотоэлектрическая работа выхода электрона с подлокки -10 эВ. Образец подвергался ионна-химическому травлению в реакторе установкиУРМ.3.279,026. Травителем являлись ионыгаза ЯГ 6, образующиеся в источнике ионовИИ - 4-0.15 при давлении 10 Па.Контроль ионно-химического травленияосуществлялся каждые 2 минуты, при этомисточник ионов отключался,Образец с пленкой освещался ультрафиолетовым светом, пропускаемым черездифракционный монохроматор и фильтрБС. Энергия бомбардирующего фотонаравнялась, т,е. расположена в диапазоне9,84,954,5 эВ (фотоэлектрическая работа выхода электрона с пленки 4,5 эВ),В процессе освещения измеряли...
Раствор для избирательного травления пленок хрома
Номер патента: 397993
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Белевич, Кегелес, Колмаков, Колмакова, Раснецова
МПК: H01L 21/465
Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома
...копировального слоя, проявление, терНческ 251 обработка защитногорисунка, кими еское травление незащищеня ных 12 стков .розОНОЙ пленки, промывка нсушка, удаление фоторезистора.Пластну с хромовой пленкой, на которуюнанесен 32 щцтны 31 рисунок, погружаот В раствор для травлоши и выдерживают в нем до 25 полного стравливания хромовой пленки с незащищенных фоторезистом участков.В качестве фоторезцста 1 используютФП - ЗЗЗВ.Нижс да:1 ы сост 2 вы растворов для травлс- ЗО нця хромозой пленки:1 Кисло; а соляная 36 - 40%, мл 1000Иодистый натрий, г 100Двухлористое олово, г 40Время полного стравливания хромовой пленки толщиной 0,12 мкм составляет 1 мин 20 сек,толщиной 0,3 мкм - 4 мин 20 сек,2 Кислота соляная (36 - 40%), м,г 1000Иодистый калий, г...
Раствор для избирательного травления пленок хрома
Номер патента: 487167
Опубликовано: 05.10.1975
Авторы: Белевич, Колмакова, Раснецова, Сорокина
МПК: C23F 1/02
Метки: избирательного, пленок, раствор, травления, хрома
...ры р а створ а.Предлагаемый раствор отличается тем, что в качестве окислителя использован хромовый ангидрид при следующем количественном соотношении исходных компонентов (г/л): 15Церий сернокислый 5 - 160Хромовый ангидрид 30 - 100. Сернокислый церий и хром растворяют в воде при перем бы улучшить растворение се рия, продлить срок хранения р падения осадка, в него можн ту, например соляную, в к 30 г/л, или смесь кислот.При обработке в растворе ваются края пленки хрома при фоторезистов с различной костью, не надо нагревать раст ся выход годных фоторезистов. Характеристика вариантов раствораЦерий сернокислый, гХромовый ангидрид, гВода, л дТемпература обработки, С 18Время полного стравливанияхромовой пленки толщиной0,08 мкм, мпнЦерий...
Предыдущий патент: Модификатор для сталей и сплавов
Следующий патент: Шихта для изготовления периклазошпинелидных огнеупорных изделий
Случайный патент: 358272