Колычев

Номер патента: 1086925

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Бондаренко, Бутурлин, Волчков, Голодкова, Зискин, Измайлов, Кириченко, Колычев, Конопля, Леплянин, Масагутов, Полевой, Пономарева, Рафиков, Салимгареева, Сальникова, Толстиков

МПК: C08F 120/14, C08F 2/44, G01T 1/203 ...

Метки: пластмассового, сцинтиллятора

Способ получения пластмассового сцинтиллятора путем радикальной полимеризации в блоке метилметакрилата при нагревании в присутствии активатора, сместителя спектра и передатчика энергии электронного возбуждения, отличающийся тем, что, с целью улучшения сцинтилляционных характеристик, санитарно-гигиенических условий труда и увеличения скорости полимеризации, в качестве активатора используют n-терфенил с концентрацией 2 - 8 г/л метилметакрилата, а в качестве передатчика энергии электронного возбуждения - 1,1,3-триметил-3-фенилиндан с концентрацией 100 - 600 г/л метилметакрилата.

Номер патента: 1454169

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Евтеев, Козлов, Колычев, Логоватовский, Снесаревский, Татаринов, Хозиков, Чернов, Эгнер, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: корпуса, основание, полупроводникового, прибора

ОСНОВАНИЕ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, содержащее подложку для монтажа кристалла и вывода с нанесенными на его металлические части покрытием на основе никеля бора, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности, в зону пайки кристаллов на подложку нанесено дополнительное покрытие из сплава цинк алюминий германий с содержанием алюминия 1 30 мас. германия 1 6 мас. остальное цинк, причем суммарное содержание алюминия и германия 7 31 мас.

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 1294213

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 10-8 до 4 ...

Номер патента: 1050476

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Глущенко, Колычев, Решетин

МПК: H01L 21/78

Метки: меза-структур

...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...

Номер патента: 2002301

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бурба, Захаров, Колычев

МПК: G05B 23/02, G06F 15/46

Метки: надежности, объектов, показателей

...изоб ретения55УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЕЙ НАДЕЖНОСТИ ОБЪЕКТОВ, содержащее первый генератор такто"Неисправно". Триггер 9 устанавливается в "1" по импульсу через элемент И 6 при поступлении сигнала "Неисправно" и в "0" при изменении состояния триггера 8 с нулевого на единичное, Первому режиму соответствует состояние "1" триггера 8 и "0" триггера 9, второму режиму - состояние "0" триггера 8 и "1" триггера 9, третьему режиму- состояние "1" обоих триггеров.8 первом режиме производится подсчет времени исправной работы, во втором . времени восстановления, в третьем . количества отказов (при переходе объекта из состояния "исправно" в состояние "неисправно").С выхода задатчика 13 признаков показателей надежности на вход блока 11...

Номер патента: 1542337

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алексенко, Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/441

Метки: полупроводниковых, структур

...размеры и плотность бугорков9, на Фиг, 3 - указаннал структурапосле стравливанил (планаризации)бугорков, на Фиг. 4 - структура- . 25Фиг, 3 после окисления алюминиевойразводки 6 в порах 8 диэлектрическогопокрытия (9 " окись алюминия),П р и и е р конкретного осуществления способа. 30На полупроводниковую подложку сосформированными элементами структур1-11 вакуумным осанденем на установке УВН-П 2 наносят алюминийтолщиной 12 икм. Затем Формируют металлизированную разводку 6 полупроводниковых структур, наносят диэлектрическое покрьтие 7 например двуокиськремния, толщиной 0,2. мкм методомокисления ионосилана в кислороде при 4050 С. Перед нанесением диэлектрикавозможна пассивацил поверхности ме.тагла, например,...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 1102433

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дмитриев, Колычев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/76

Метки: кристаллов, полупроводниковых, приборов

...подложка с пассивирующей пленкой, нанесенной на рельеФную поверхность; на Фиг,5 - завершенная полупроводниковая транзисторная структура со вскрытыми контактными площадками55На фиг.1-5 изображены полупроводниковая подложка 1, базовая область 2, эмиттерная область 3, за 33 4щитное покрытие 4, контактные площадки металлизации 5, слой Фоторезиста 6, канавки 7 диэлектрической изоляции, подтравленные канавки8 диэлектрической изоляции, пассивирующая пленка 9.П р и м е р. В полупроводниковойподложке кремния 1 толщиной 300 мкм,служащей коллектором, Формируют диФФузией бора из трехбромистого бораВВг базовую область 2 глубиной залегания - 10 мкм и противоположногоподложке р-типа проводимости,ДиФФузию проводят в две стадии:загонка примеси при...

Номер патента: 1187656

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 29/41

Метки: полупроводниковая, структура

...разводка 5, материалол которой является алюл 1 инийПричем, при малых размерах окон к ЗОобластям полупроводниковых структур,например, для интегральных схем большой интеграции и СВЧ-транзисторныхструктур, толщину металла делают минимальной - 0,6-0,5 ллкм, с тем, цтобывоспроизвести малую ширину дорожектокопроводящей разводки,В конкретном примере толщина металлизированной разводки составляет0,65 мкм, Токопроводящая разводкаимеет контакты 6, вынесенные на пери"Ферийную часть подложки. Слой токопроводящей разводки покрыт пассиви"рующим диэлектрическим покрытием окиси алюминия 7 толщиной 0,1 мкм и сло" 45ем ФосФорно-силикатного стекла толщиной 0,9 мкм, в котором вскрь 1 ты окна9, 1(онтакты 6 металлизированной разводки 5 соединены церез...

Номер патента: 1805528

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Вахрамеев, Колычев, Петраков

МПК: H02J 13/00

Метки: дистанционного, преобразователем, электромашинным

...с импульсного генератора 12. При их совпадении на выходе компаратора 14 появляется импульсный сигнал, который поступает в устройство 15 задержки преобразователя, В устройстве 15 задержки формируется сигнал включения, Он усиливается по току усилителем 16, что вызывает срабатывание герконового реле 17; Контакт герконового реле 25 включает магнитный пускатель 2, контакты 4 которого, замыкаясь, включают двигатель 7 и преобразователь частоты 6,При включении инструмента 31 импуль сы на компаратор 14 не поступают. Устройство задержки выключается не менее, чем через 30 с, Усилитель 16 выключает герконовое реле, его контакт 25 выключает магнитный пускатель 2 и размыкаются его контакты 4. Преобразователь отключается, Одновременно к...

Номер патента: 1772881

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 1/50

Метки: переменного, электропривод

...в начале пуска привнесенное сопротивление будет определяющим, обеспечивая синхронному двигателю 3 повышенный пусковой момент за счет составляющей от обмотки возбуждения 2, По мере снижения частоты тока в роторе синхронного двигателя 3 потери в массивном ферромагнитном корпусе 21 индукционного сопротивления также будут уменьшаться. На подсинхронной частоте вращения привнесенное в катушки 18, 19, 20 сопротивление будет незначительным и соизмеримым по величине с собственным активным сопротивлением упомянутых катушек. Следовательно, двигатель 3 будет иметь повышенный входной момент благодаря малому сопротивлению в обмотке возбуждения 2.Синхронизация двигателя 3 осуществляется замыканием ключа 25 в обмотке возбуждения возбудителя 24....

Номер патента: 1768414

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Колычев, Мазнев

МПК: B60L 3/10

Метки: боксования, защиты, колесных, пар, средства, транспортного

...в б за сложности и большого количества эле- ра 18. Наличие двух магнитных колец 1,2 со ментов (усилитель, цифроаналоговый встречно-включенными обмотками 5, 6 не- преобразователь, индикатор). обходимо для обеспеченя о еспечения селективностиЦелью данного изобретения является его срабатывания, выявления начала боксоповышение надежности за счет упрощения 50 вания независимо от знакат знака разности токов,протекающих по проводам 3, 4, Рек предусмотрен для реПоставленная цель достигается тем, что версивный счетчик 15 и е мв устройство, содержащее датчик разности гулирования тока в обмотках смещения 16, токов тяговых электродвигателей, состоя и представ я бвляет со ои многоразрядное устроиство на переключающих щий из двух магнитно...

Номер патента: 1753568

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 1/50

Метки: блоком, двигателя, пуска, синхронного

...15 соединены с входом элемента ИЛИ-НЕ 16, выход которого через усилитель 17 соединен с входом управляемого ключа 6 двухсторонней проводимости. 5Способ пуска синхронного двигателя осуществляется следующим образом.Асинхронный пуск синхронного двигателя 1 начинается после подключения его к сети переменного тока. При этом обмотка 3 10 возбуждения замкнута на пусковой резистор 4 и блок 5 емкостной компенсации, управляемый ключ 6 двухсторонней проводимости разомкнут, а управляемый возбудитель 7 отключен (например, снятием 15 управляющих импульсов с тиристоров), При этом происходит емкостная компенсация индуктивности контура возбуждения, вследствие чего возрастает амплитуда тока обмотки возбуждения и уменьшается его 20 фазовый сдвиг по...

Номер патента: 1584413

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Беленький, Волков, Колычев, Мутовин, Фролов, Чистяков

МПК: C22C 21/10

Метки: алюминия, микропроволоки, основе, сплав

...затем расплав охлаждали до 740,С и вводили цинковую и сурьмянистую лигатуру, После вы"держки 3-4 мин расплав охлаждали до 700 С и затем разливали в графитовые изложницы диаметром 40 мм. Далее слитки фрезеровалн под сортовые калибры на размер 26 х 26 мм и прокатывали на ;грснльном прокатном стане с частСплавСостав5 Ф 5М а 4Алюминий Цинк Сурьма .Титан Предложенный 1 О) 001 0,001 2 094 Оа 04 3 .0 1 ОЬ 1 4 02 002 Остальное1 11 1 0,0010015,0,01 И эвест,ный Тевлина 2 Неканнчесаие своЯства Сплав Сос тааТехнолотнческве показатели вн" - сокоскоростноЯ автоматическоЯее микросвархн Относи тельно уллнне нне, 2 Сро кра нил исп зоз опустнмоа налраенне атавения, тн ед Ско.ростькоррот оафэи пиеит варещ пни пре ностьпрлволф.ченннООО Пеоор манин...

Номер патента: 1707721

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 1/50

Метки: асинхронного, пуска, синхронного, электродвигателя

...использоваться герконовые, электромагнитные или бесконтактные реле, а в качестве управляющих ключей 11, 12 и 28 - контакты или переходы укаэанных реле.1707721 5055 Устройство работает следующим образом.При подаче напряжения на статор синхронного двигателя 3 пусковой ток от ЭДС обмотки 2 возбуждения замыкается через резистор 4 и конденсатор 5 при одноименной полярности ЭДС и тока ротора, что приводит к емкостной компенсации индуктивности по продольной оси эквивалентной схемы машины, росту тока и уменьшению его фазового сдвига и, в итоге, к возрастанию ускоряющего момента, создаваемого обмоткой возбуждения, При этом реле 19 обтекается током и ключ 12 замкнут. При изменении полярности ЭДС (т,е. при ее переходе через О) включается реле 16 и...

Номер патента: 1674344

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 9/14

Метки: возбуждения, машиной, синхронной, электрической

...источником энергии. Если мгновенное значение ЭДС преобразователя 1 становится меньше, чем напряжение заряда коммутирующего конденсатора 14, то включается гасящий тиристор 15 и разряжает конденсатор 14 на обмотку 2 возбуждения, что приводит к уменьшению пульсаций напряжения на обмотке возбуждения и снижению потребления мощностей искажения и полной мощности из сети, Если же мгновенное значение ЭДС преобразователя выше, чем напряжение на конденсаторе 14, то происходит дополнительный подзаряд коммутирующего конденсатора 14, При отрицательном значении мгновенной ЭДС преобразователя, что имеет место в режиме номинального возбуждения, накопленная в индуктивности обмотки 2 возбуждения энергия замыкается по контуру: обмотка 2 возбуждения. -...

Номер патента: 577783

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Бондаренко, Колычев, Ляпина, Никитин, Павлова, Паис, Шарипов

МПК: C07C 315/00

Метки: выделения, смеси, сульфоксидов, сульфонов, углеводородами

...имеет высокую температуру кипения (171 С), ноо его регенерацию можно осуществлять эффективно реэкстракцией парайиновым растворителем с последующей отгонкой парафинового растворителя. для уксусной кислоты такой метод регенерации непригоден из-за большой взаиморастворимости уксусной кислоты и парафинового растворителя.Для осуществления предлагаемого способа нефтяную фракцию, содержащую сульфоксиды и сульфоны, подвергают(многоступенчатой экстракции органическим растворителем. Экстракцию проводят без возбуждения рисайкла или с возбуждением рисайкла одним из известных способов, например подачей промывного растворителя, в качестве которого может быть и спользован легкий парафиновый растворитель.Применяют соотношение растворитель:...

Номер патента: 1670736

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Колычев, Мазнев, Рогов

МПК: H02H 7/093, H02P 7/42

Метки: вращения, скорости, тягового, электродвигателя

...зажимом источника питания 26 и корпусом 38. Токоограничивающий резистор 29 соединен последовательно с режимным резистором 33 и тиристором 37, Последовательная цепь подключена между корпусом 38 и минусовым зажимом источника питания 26. Светодиоды оптронов 34 и 35 связаны с блоком защиты 39, который снимает управляющие сигналы с рабочих тиристоров импульсных регуляторов напряжения 22 - 25.Устройство работает следующим образом.При нормальном состоянии электрооборудования ни один из элементов не связан с корпусом. Периодическая подача управляющих сигналов на тиристор 36 или 37 не приводит к их отпиранию, так как не создается контура протекания тока. При пробое изоляции, например, тягового электродвигателя на корпус за счет разности...

Номер патента: 1649628

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Колычев, Низимов

МПК: H02P 1/50, H02P 9/12

Метки: асинхронного, пуска, синхронного, электродвигателя

...подключения блока Оуправления возбуждением к питающей сети может быть выполн 8 н, наг)ример( В виде блок-контракта аппарата, коммутирующего статор синхронного злектродвигателя 3.В качестве пороговых злементов 12 и 15 могут использоваться встречно-последовательно соединенные стабилитрон и диод.В качестве релейного элемента 21 могут быть применены геркон, электромагнитное или бесконтакгное реле.Устройство работает следующим обра- ЗОМ,При отключенном синхронном двигателе 3 через силовой вход 9 блока 8 на вход переклОчающего злемента 20 поступает блокирующий сигнал, С выхода переключающего злемента 20 подается сигнал в блок 4 управления, снимаащий управляющие импульсы с преобразователя 1. Цепи управ" лениЯ тирис(оров 10 и 13 рг 4304 кнуты...

Номер патента: 1453934

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Беленький, Бойко, Большова, Волков, Ивкова, Колычев, Мутовин, Фролов

МПК: C22C 21/10

Метки: алюминия, микропроволоки, основе, сплав

...многократного волочения с разовым обжатием 4-87. до конечного размера проволоки У 60 мкм, Проволоку оФжигали в проходной печи.Сварку микропроволоки с контактной площадкой прибора (на кремниевом кристалле) проводили на ультразвуковой сварочной установке типа УЛпри постоянном давлении инструмента 40 5 гс и постоянном выходном напряжении ультразвукового генератора 40+5 В. Каждым составом проволоки сваривали 125 кристаллов, во всех случаях использовалась проволока диа метром 60 мкм. Результаты сравнительных испытаний проволоки иэ предлагаемого и .известного сплавов приведены в табл.2,Как видно из табл.2, проволока из предлагаемого сплава обеспечивает более высокие значения относительного удлинения, электропроводности, коррозионной...

Номер патента: 1549985

Опубликовано: 15.03.1990

Авторы: Колычев, Лапшин, Масагутов, Паис, Попов, Садриев, Сулейманова, Тучин, Файзрахманов, Шарипов

МПК: C10G 27/12

Метки: легких, сернистых, соединений, углеводородных, фракций

...общей серы0,00063 мас,Х (степень очистки 97,5 Х)При очистке от сернистых соедине. Оний углеводородной Фракции 25-70 Сспособом-прототипом, выход очищенной углеводородной фракции составляет 85-90 , степень очистки 90 Х, про",цолжительность очистки 0,5-1 ч .Как видно из представленных примеров, предлагаемый способ обеспечивает поньппение степени очистки углеводородных фракций от сернистыхсоединений по сравнению с прототипом, Степень очистки достигает 9598 ., При этом очистке данным способом можно подвергать углеводородныефракции, содержащие сернистые соеди 25 нения различных классов, что особенно важно в связи с вовлечением в переработку высокосернистых нефтепродуктовв,Формула изобретенияСпособ очистки легких углеводородных фракций...

Номер патента: 1548144

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Горный, Колычев

МПК: B65G 65/44

Метки: питатель, сыпучих

...наклона к горизонту самой заслонкой 5.Так как лоток 3 и заслонка 5 расположены под тупым углом друг к другу, а значит, угол наклона к горизонту заслонки 5 всегда меньше, чемлотка 3, то взаимодействие материалана стыке лотка 3 и заслонки 5 оказывает ускоряющее воздействие на материал, расположенный на заслонке, итормозящее на материал, расположенный на лотке. Изменение длины транспортирующей поверхности заслонки 5 приводит к изменению массы материала,участвующего во взаимодействии и оказывающего тормозящий эффект,Таким образом, увеличение длинытранспортирующей поверхности заслонки 5 увеличивает тормозящее воздействие и снижает скорость движения материала (производительность питателя),а уменьшение длины транспортирующейповерхности....

Номер патента: 1532071

Опубликовано: 30.12.1989

Авторы: Алейников, Бурушкина, Донстер, Колычев, Моргунова, Огенко, Райков, Сердюк, Степаненко, Фесенко, Чуйко

МПК: B01J 31/04, B01J 31/06, C07C 69/15 ...

Метки: винилацетата, катализатора, парофазного, приготовления

...цинка. Для этого в ем 5 кость, содержащую 505,2 г ацетата цинка в 2 л воды, загружают подготовленный носитель и выдерживают при комнатной температуре в течение 1 ч, жидкость декантируют, а катализатор 10 сушат при 140-50 С в течение 4-5 ч.Полученный катализатор содержит26,77. ацетата цинка, 1,57. уксусной кислоты и 71,87. носителя.Аналогичным образом получают образцы катализаторов с другим содержанием ацетата цинка и уксусной кислоты, Катализаторы испытывают в реакции парофазного синтеза винилацетата. В лабораторно-промьппленный реактор ко лонного типа загружают катализатор в количестве 50 см и подают реакционную смесь, состоящую из техничесМаксимальное количество кислоты 1,57. обеспечивается при температуре 45 обработки носителя...

Номер патента: 1503839

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Иванов, Колычев, Рыськов

МПК: B01D 11/04

Метки: пульсационный, экстрактор

...листов) перегородок 4, расположенных на равном расстоянии параллельно друг другу и ограниченных (перекрытых) снизу и сверху сплошными горизонтальными пластинами 5 с отверстиями. Вертикальные перегородки 4 в сочетании с горизонтальными пластинами 5 образуют глухие карманы 6. Для предотвращения стеночного эффекта между смесительной секцией и корпусом колонны имеются уплотнительные элементы 7. Жесткость вертикальных перегородок 4 обеспечивается распорными тягами 8. Для подвода и отвода жидких фаз имеются штуцеры 9 - 12. К патрубку 13 подключается отдельный пульсатор (на чертеже не показан).Экстрактор работает следующим образом,В штуцер 9 подается тяжелая фаза, которая выводится через штуцер 10. В штуцер 11 поступает легкая...

Номер патента: 1495157

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Колычев, Костылева, Кучумов, Мазнев, Паперный

МПК: B60L 3/10

Метки: боксования, защиты, колесных, пар, средства, транспортного

...или не равны диаметры колесных пар, токи в силовых проводах 3 и 4 не равны, в результате чего создается МДС и поток небаланса, что сопровождаетсяо(при работающем генераторе 7 импульсов ) появлением сигнала на выходной обмотке 8Для устранения этого сигнала при отсутствии боксования используется обмотка 10 смещения, МДС которой компенсирует ИДС, обусловленную расхождением токов в силовых проводах 3 и 4 из-эа расхождения, например, характеристик тяговых двигателей,В процессе эксплуатации меняются характеристики тяговых двигателей, изменяются диаметры колесных пар, что влияет на выходные характеристики устройства и обуславливает необходимость автоматического регулирования уставки защиты от боксования путем изменения тока в обмотке...

Номер патента: 1460121

Опубликовано: 23.02.1989

Авторы: Брантман, Колычев, Полуновский, Пудов, Семендяев, Силагадзе

МПК: E02D 29/02

Метки: противооползневое, сооружение

...60 см. Рифления могут быть образованы также в виде примыкающих и обращенных выпуклой стороной к полотнищу полусфер 7, радиус К которых определяется из условия При не пользовани ного матер ности прил канавок по вого грунт ной стены обходимости, например, при иси полотнищ из слабого неткаиала, для исключения возможегания этого материала к дну д воздействием давления оползне- а, между поверхностью подпор. и полотнищем можно размешатьарматурные сетки (не показаны) . Кроме этого, исключить возможность прилегания полотнища к дну канавок можно достичь путем установки в канавки перфорированных труб или спиралей из синтетических материалов (не показаны).Возведение предлагаемого сооружения осуществляется следующим образом.В процессе бетонирования...

Номер патента: 1397588

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Иванов, Колычев, Резлер, Сатановский

МПК: E01H 1/08

Метки: уборочная

...б (шум нагнетания), и шумом, излучающимся из всасывающей полости 5 (шум всасывания). В отличие от пума всасывания шум ЗОнагнетания в элементах конструкциимашины практически не затухает, Ктому же у центробежных вентиляторов,используемых в уборочных машинах,звуковая энергия излучаемая из нагнетательного патрубка, равна или превосходит звуковую энергию шума всасывания,Таким образом, снижение шума уборочной машины сводится к снижению шума, излучаемого из полости 5 вентилятора 2.Машина работает следующим образом,При работе машины вентилятором 2создается вакуум во всасывающем трубопроводе 4 и бункере-мусоросборнике3, Смет, находящийся в зоне действиявсасывающего трубопровода 4, увлекается потоком воздуха и транспортируется по последним в...