Белозубов

Номер патента: 1431470

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Белозубов, Зеленцов, Козин, Косогоров, Михайлов, Саблин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензометрический

1. Тензометрический преобразователь давления, содержащий кристалл из полупроводникового материала одного типа проводимости с мембранной областью, на которой сформированы другого типа проводимости тензорезисторы и коммутационные участки, соединяющие тензорезисторы в измерительный мост и с металлизированными площадками на периферийной области кристалла, изоляционный слой, покрывающий поверхность кристалла со стороны тензорезисторов и имеющий отверстия над металлизированными площадками, и кольцо из стекла, соединенное с кристаллом по периферийной области со стороны тензорезисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости к агрессивным средам и надежности при эксплуатации, в нем на изоляционном слое под кольцом из стекла выполнены...

Номер патента: 1834131

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Белозубов, Бычко, Демченко, Липецкий

МПК: B23K 11/10

Метки: контактной, односторонней, сварки

...по формулезМомент инерции поперечного сеченияместа наибольшей деформации проводникапо предлагаемому способу сварки (см.фиг.2)определяется,а(Ь+Ь )1 = 1-ВС ) - 4 ВС (1-С) , (2)г 12а - а1где В =а1- ь+ьВзяв отношение 1, к 1 определим, во сколько раз момент инерции поперечного сечения проводника по предлагаемому способу больше момента инерции поперечного сечения проводника по известномч способ(Я нК НлП54Геометрические размеры (величины а, а п,п,) места наибольшей деформации проводника зависят от геометрических размеров электрода и проводника, режимов сварки: температуры, определяемой током сварки, давления электрода на проводник и материала проводника.1834131 ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ В связи со сложностью аналитического определения размеров...

Номер патента: 1433172

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Шпилев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

1. ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ, содержащий квадратную мембрану из монокристаллического кремния n-типа проводимости, выполненную за одно целое с опорным основанием, плоскость которой совпадает с основной кристаллографической плоскостью (001), а стороны ориентированы вдоль взаимно перпендикулярных направлений <110> и расположенные по периферии по осям ее симметрии тензорезисторы в виде резистивных полосок, соединенных в измерительный мост, причем полоски двух тензорезисторов параллельны двумя противоположным сторонам мембраны, а полоски двух других тензорезисторов перпендикулярны двум другим сторонам мембраны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения при воздействий нестационарной температуры измеряемой...

Номер патента: 1484202

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: диффузионного, диэлектриками, полупроводников, соединения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИЭЛЕКТРИКАМИ, содержащее основание с стойками, верхнюю плиту, прижимные элементы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно дополнительно снабжено нижней кассетой, выполненной в виде плиты с отверстиями для фиксации диэлектрических заготовок, и верхней кассетой с отверстиями для прижимных элементов и заготовок, обе кассеты зафиксированы на стойках, при этом отверстия обеих кассет расположены соосно, а прижимные элементы выполнены в виде грузов.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности электростатического соединения полупроводников с диэлектриками, прижимные элементы и основание выполнены электропроводящими, а стойки...

Номер патента: 1771272

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Андреев, Белозубов, Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

1. Датчик давления, содержащий опорное основание с мембраной, выполненные за одно целое из полупроводникового материала, причем на мембране размещены тензорезисторы, подключенные с помощью коммутационных участков к периферийным контактным площадкам, размещенным на опорном основании, соединенное с кольцом-держателем, и компенсационные резисторы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и повышения технологичности, он снабжен дополнительными контактными площадками, размещенными по периферии кольца-держателя в области коммутационных участков, а компенсационные резисторы выполнены в виде резистивных пленок с пленочными токоведущими проводниками, нанесенными на внешнюю поверхность кольца-держателя, причем проводники соединены...

Номер патента: 1478913

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, тензопреобразователей, чувствительных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ КРЕМНИЕВЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ по авт. св. N 1144667, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и прочности чувствительных элементов, окна для травления профиля в маскирующем слое на пластинах формируют с размерами, определяемыми соотношением:где ak размер входного отверстия углубления в k-й пластине;A0 рабочий размер мембраны чувствительного элемента;Hi толщина i-й пластины;t0 толщина мембраны чувствительного элемента; -показатель анизотропии, угол между боковой гранью...

Номер патента: 1433170

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Белозубов, Красильникова, Марин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензометрический

ТЕНЗОМЕТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ по авт. св. N 1075096, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в нем резистивные полоски расположены внутри области, ограниченной кривой, удовлетворяющей соотношениюгде расстояние i-й точки кривой до оси [110]a размер мембраны, параллельной оси L110i расстояние i-й точки кривой до оси

Номер патента: 2005296

Опубликовано: 30.12.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...зазора по всей поверхности платы. а следовательно, и минимизацию габаритных размеров и максимальное повышение надежности. Выполнение конфигурации и размеров подстроечной платы идентичными конфигурации и размерам мембраны в максимальной степени уменьшает габаритнье размеры, так как в этом случае размеры датчика определяются размерами мембраны, Выполнение платы в виде нескольких идентичных по размерам и конфигурации плат позволяет в еще большей степени уменьшить габаритные размеры датчика при большем количестве подстроечных элементов. Расположение токовыводов перпендикулярно поверхности мембраны обеспечивает дальнейшее уменьшение габаритных размеров.Конфигурация поверхности платы, прилегающей к мембране, совпадает с...

Номер патента: 1839236

Опубликовано: 30.12.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...например, при помощи лазерной сварки. В корпус устанавливают диэлектрическую пластину упругого элемента и упругий элемент, прижимают упругий элемент к пластинам усилиями. приложенными к периферии упругого элемента в зонах контактирования жил кабелей с контактными площадками электродов. Приваривают торец упругого элемента к торцу корпуса при воздействии этого усилия,Емкостный датчик давления работает следующим образом,Вследствие первоначальной вогнутости мембраны упругого элемента при изготовлении, заведомо превышающей величину деформации упругого элемента, в результате сборки после завершения изготовления образуется вогнутость упругого элемента, которая даже при отсутствии давления не позволит мембране перейти через положение...

Номер патента: 1835338

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Белозубов

МПК: B23K 11/10

Метки: контактной, металлическими, односторонней, пленками, плоских, проводников, сварки, сдвоенным, тонкими, электродом

...соприкосновения проводника и пленки приводит к увеличению прочности и виброустойчивости сварного соединения. Так как элементы поверхности пленки выпуклы, то в проводнике отсутствуют остроконечные концентраторы напряжений, которые были бы на проводнике в случае выполнения элементов поверхности пленки вогнутыми. Отсутствие остроконечных концентраторов приводит к повышению виброустойчивости за счет отсутствия резкого увеличения напряжений в местах концентраторов. Кроме того, и это наиболее существенно, выполнение поверхности пленки в виде поверхности с полностью регулярным микрорельефом исключает появление в проводнике концентраторов напряжений, связанных со случайным, хаотическим распределением микронеровностей на поверхности...

Номер патента: 1820250

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...известным методом сварки, пайки и т,п. Закрепляют конец второй гибкой диэ. лектрической основы на опорном основании, например, на клее ВС, Наматывают вторую диэлектрическую основу на первую диэлектрическую основу измеряя емкость электродов первой диэлектрической основы относительно электродов второй диэлектрической основы. Для создания большей жесткости второй диэлектрической основы желательно проводить намотку второй диэлектрической основы в несколько витков. Измерение емкостей проводят в технологическОм приспособлении, обеспечивающем разъемное контактирование с выводными дорожками электродов, наверхности первого и последующего витков клеем ВС; По достижении емкости между электродами первой и второй диэлектрических основ расчетной...

Номер патента: 1820247

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Белозубов, Демченко, Конюшковер, Панкусов, Педоренко, Ходинов

МПК: G01L 9/00

Метки: давления, датчик

...оси патрубка 3 над конусным наконечником 12 на величину от 2 до 5 толщин плетенки 9, Наружная металлическая. плетенка 9 кабеля 5 размещена между поверхностями конус- ных участков 12 и 17 и поверхностям торцовых выступов 11 и 16, при этом, между плетенкой 9 и торцовым выступом 16 гайки 15 установлено кольцо 18, скрепленное с . плетенкой 9 контактной сваркой, На конусном наконечнике 12 патрубка 3 выполнсн продольный паз 19, в котором размещен и закреплен твердым припоем упрочняющий трос 20.На торцовом окончании 2 корпуса 1 выполнена.полость 21, в которой размещены токопроводящие жилы 6 кабеля 5. Зкраны 7 жил 6 соединены с корпусом 1 в месте 22.Полость 21 корпуса 1 заполнена вибро. прочным заполнителем 23, например, компаундом, для...

Номер патента: 1818556

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Белозубов, Белозубова, Маланьин, Пащенко

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...тем, что сопротивления элементов тензорезисторов распределены по радиусу мембраны таким образом, что максимумы сопротивлений находятся на границе раздела мембраны и опорного основания, изменения сопротивлений элементов тензорезисторов будут больше, чем если бы распределение величины сопротивлений было равномерным, Это связано с тем, что при выбранной топологии основную роль в изменении сопротивлений играют радиальные деформации, как существенно превалирующие по величине надтангенциальными, При воздействии неста 5 ционарной температуры измеряемой средытермоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкоймембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерное"0 полетемператур. В связис тем, что...

Номер патента: 1812461

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Абрамов, Белозубов, Дуркин, Каневская

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...преобра-. 25 давлений, Выполнение жесткого центра 11 зователя перемеЩается в сторону другого на дополнительной мембране 5 в области электрода 8 этого преобразователя. Вслед- размещения электродов обеспечивает плоствие этого емкость первого емкостногоскопараллельное перемещение электрода преобразователя изменяется, При измене(или электродов 15 и 16, размещенных на нии темвературы вследствие разности 30 дополнительноймембране), а,следователь- ТКЛР втулки 6 и мембраны 1 с диском 4, но, обеспечивает более точное измерение дополнительная мембрана 5 перемещается избыточного давления или разности давле-.относительно диска 4. В результате этого ний, Выполнение электродов второго емко- емкость второго емкЬстного преобразова- стного...

Номер патента: 1812459

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: градуировки, давления, датчик, емкостный

...например электрода, расположенного на опорном основании. Мембрана, опор- . ное основание и диск выполнены из сплава 70 НХБМЮ. На поверхности мембраны с опорным основанием и диска нанесена диэлектрическая пленка в виде композиции А 120 з-Я 02, Электроды выполнены в виде композиции Мо-Й (ТКС=+3,8 10 зС),Способ реализуется следующим обра. зом. Методами тонкопленочной технологии Формируют электроды на мембране, опорном основании и диске, Присоединяют выводные проводники 12 косновным и дополнительным контактным площадкам электродов, Закрепляют диск на опорном основании, например, при помощи лазерной сварки, Присоединяют выводные проводники к гермоконтактам 13. Вэкуумируют и герметизируют корпус. Измеряют электрическое сопротивление каждого...

Номер патента: 1800299

Опубликовано: 07.03.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...Коль- будет меньше, чем у прототипа, За счетцевой неподвижный электрод 5 опорного уменьшения массы жесткого центра собстконденсатора размещен на опорном осно- венная частота упругого элемента у заявлявании. Зеркально симметричные неподвиж- емой конструкции больше, чем у прототипа,ные электроды 6 и 7 измерительного и 5 б поэтомупогрешность при измерении быстопорного конденсаторов соответственно ропеременных давлений у заявляемого датрасположены на пластине 8, закрепленной чика будет меньше, чем у прототипа.с зазором на упругом элементе (места эа- При воздействии на емкостный датчиккрепления на чертежах не показаны). В же- давления внешних механичеСких воздейстстком центре со стороны измеряемого вующих Факторов (вибраций, ударов...

Номер патента: 1796937

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Белозубов, Полунин

МПК: G01L 11/00

Метки: волоконно-оптический, давления, датчик

...элемент в виде металлического диска, с диаметром равным диаметру жесткого центра мембраны, при этом температурный коэффициент линейного расширения материала диска отличен от температурного коэффициента линейного расширения материала мембраны, утолщенная периферийная часть мембраны со стороны световода выполнена с кольцевым выступом, а светозащитная кольцевая перегородка установлена с зазором относительно мембраны и расположена между жестким центром и кольцевым выступом,На чертеже изображен волоконно-оптический датчик давления, Он содержит корпус 1, мембрану 2 с жестким центром, снабженным металлическим диском 3, светозащитную перегородку 4, плату 5, установочное кольцо Б. В плате 5 смонтированы . оптические волокна 7 и 8....

Номер патента: 1796935

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Арбузов, Белозубов, Ларкин, Маланьин

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного, помощью

...что устройство для измерения давления с помощью емкостного датчика снабжено тремя резистора ми и вторым инвертирующим усилителем, вход которого через первый резистор соединен с выходом генератора, а через второй резистор - с выходом первого инвертирующего усилителя, при этом третий резистор 3 О подключен между выходом и входом второго инвертирующего усилителя, выход которого через введенную в датчик термозависимую емкость соединен со входом первого инвертирующего усилителя. 35Изобретение поясняется чертежом. Устройство содержит генератор 1, первый 2 и второй 3 резисторы, опорную 4 емкость, третий 5 резистор, второй 6 усилитель, термозависимую 7 емкость, рабочую 8 емкость, 4 первый 9 усилитель.Устройство работает следующим...

Номер патента: 1796932

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...упругого элемента обес печивает воздействие атмосферного давления или второго измеряемого давления на мембрану дополнительного упругого элемента, а следовательно, и возможность измерения избыточного давления или перепада давлений. Соотношения между элементами конструкции обеспечиваются следующим образом, Для формирования выходного сигнала, зависящего от отношений ейкостей, необходимо, чтобы началь ные значения емкостей соотносились вопределенных пределах, т,е,Учитывая, что емкость измерительногоконденсатора равна: где е - диэлектрическая проницаемостьмежэлектродного зазора; д - величина межэлектродного зазора, Емкость опорного конденсатора равна; Подставив значения емкостей измерительного и опорного конденсаторов получим-фо :д ( Вг - В...

Номер патента: 1796931

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостной

...из сплава06 Х 15 Н 60 М 15 (ЭП - 367),Емкостной датчик давления работаетследующим образом.Измеряемое давление воздействует на мембрану. Под воздействием давления электрод 3, расположенный в области жесткого центра, перемещается в направлении ответного электрода 7 пластины, вследствие чего емкость измерительного конденсатора увеличивается. Емкость эталонного конденсатора электроды 4 и 8) не зависит от измеряемого давления. Значение емкостей измерительного и эталонного конденсаторов передается при помощи выводных проводников 11 и гермоконтактов 15 на нормирующее устройство (на фиг, не показано),которое формирует выходной сигнал, зависящий от измеряемого давления Заявляемая конструкция изготавливается следующим образом,На упругом...

Номер патента: 1796930

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...опорное основание диэлектрической пластины упругого элемента. Форми 1796930рование осуществляется непосредственно в процессе спекания керамики ВК. Со стороны жестких центров доводят поверхности упругого элемента и его диэлектрической пластины до получения неплоскостности порядка 0,5 мкм., Полируют диэлектрические пластины со сторон размещения электродов до шероховатости не более 0,05 - 0,1 мкм при помощи механической полировки.Формируют на поверхности диэлектрических пластин электроды термическим испарением на установке магнетронного напыления, Формирование части токоведущих жил толщиной, большей межэлектродного зазора на величину толщины электрода проводят путем обжима в калиброванных губках. При величине межэлектродного зазора, равной...

Номер патента: 1796927

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...иравномерно размещенных идентичныхю а пла"ар тензоэлементов, то изменение сопротивтангенциальных дефоРмацй. Под воздеи сторо буде Ра но с ме эмененийлений окружных и радиалъных тензорези- .ствиемиэмеряемогодавлениянацилиндри- сторо буде Ра но су ме эмененийсопротивлений соответствующих тензоэ есоединения мембрань 1 и опорного основаментов. Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружныхниЯ эникает Зг баю и м УС тензорезисторов и уменьшен,е провопо.лие, направленное по радиусу мембраны. 55Воздействие изгибающего момена пРиво- и еоб аз ется мо тово с ойлиЕ "апРа" ое " е бРа55 ложно включенных радиальных Резисторовдиткпоявлениювмембранедополнитель- чес ийс гнаа о о ый ос ае авы оных напряжений, максимальная...

Номер патента: 1795315

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Апакин, Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...в проточкеопорного до = гг( Е тя 1) основания, полировании упругой мембраны и пластин, нанесении на них диэлектриче ской пленки, формировании на пленкеэлек-На чертеже изображен предлагаемыйо ов с контактными пло а ками датчик в РазРезе. Соотноше"иЯ еждУ Раэразмещениивьводныхпроводникровна кон- мерами межэлектродного зазора и толщитактных площадках, закреплении пластины нам диэлектричес ой пленки и электродов на опорном основании и установке корпуса 10 длсоответствии с предлагаемым изобрете-давления СодеРжит коРпус 1, упругую ием выполняют. втулку в виде двух вклады- мембрану 2, выполненнУю за одно целое с ей, симметричных относйтельно плос-опорным основанием 3. Подвижный круг- ости, проходящей через продольную ось . лый электрод 4...

Номер патента: 1791737

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: выходного, давления, датчик, емкостный, сигнала, формирования

...величины Нз и непосредственно из фиг,ба, следует, что Н 4=. = Н 2 + Я или,учитывая, что Н 2 = М, Н 4 = М + +Я, Для обеспечения максимальной чувст вительности необходимо, чтобы емкость конденсатора С 7-э при.воздействии максимального измеряемого давления была бы равна нулю. Поэтому, приравнивая к нулю выражение для емкости С 7-в, получим: 350 (4)81 и 24 лиНз + Н 4 - Н 1 - Н 5 - Я =О, откудаН 1 = Нз+ Н 4 - Н 5 - Я Подставляя вместо Нз, Н 4, Н 5 их значения, получим 45Н 1=М+Я+ М+Я - М- Я =М+Я. Величина расстояния Я между электродами, расположенными на одной цилиндрической втулке, выбрана одинаковой для обейх втулок в связи с тем, что она определяется 50 технологическими возможностями и не зависит от местонахождения электродов на той или...

Номер патента: 1791736

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: веществ, давления, трубопроводе

...электродов на гибком диэлектрике, закрепление д 1 э 35 40 бопроводом и исключения пожаровзрывоопасности и влияния наводок трубопровода на измерительные цепи. Закрепление на кольцевых прокладках втулки из токопрбводящего материала коаксиально электродам с зазором относительно них повыйает точность вследствие возможности создания минимальных межэлектродных зазоров и увеличения за счет этого величин емкостей рабочего и компенсационнго конденсаторов, а также повышает надежность вследствие уменьшения требуемой величины необходимых деформаций трубопровода для обеспечения необходимой модуляции межэлектродного зазора рабочего конден Кроме того, закрепление втулки на кольцевых прокладках повышает технологичность вследствие упрощения процесса...

Номер патента: 1789897

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: выходного, давления, датчик, емкостный, сигнала, формирования

...или иной втулке. Для обеспечения минимальности габаритных размеров необходимо, чтобы длина металлической втулки была равна (см. фиг.1). 1 в = =Н 1+ Я+ Н 2, подставляя Н 1= М+ Я, Н 2= М, получим 1 в = 2(М + Я). Если 1 в будет больше 2(М + Я), то неоправданно увеличатся габаритные размеры, а если меньше, то невозможно будет размещение электродов на втулке,На фиг.1 изображен предлагаемый емкостный датчик давления; на фиг,2, 3 - развертки электродов на гибкой диэлектрической основе (соотношения между размерами межэлектродного зазора, толщин электродов и размерами других элементов конструкции для наглядности изменены); на фиг.4, 5 изображены структурная электрическая и эквивалентная схемы предлагаемого устройства формирования выходного...

Номер патента: 1784847

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...функций. Аналогичные явления будут наблюдаться при использовании соотношения для "определения координат тензорезисторов, равноудалецных от5 10 20 30 ао 50 оси абсцисс, для окружных тензорезисто.ров,Корпус и упругий элемент выполнены из сплава 70 НХБМО, На поверхности мембраны и опорного основания нанесен диэлектрик 10 о виде структуры А 20 з - Я 02 толщиной 3 мкм. Тензорезисторы выполнены из сплава П 65 ХС с поверхностным сопротивлением 110 Ом/квадрат, Низкоомные перемцчки выполнены о виде структуры Ч-й толщиной 1,5 мкм,: Датчик работает следующим образом, Давление измеряемой среды воздействует йа мембрану, Под воздействием измеряемого давления на мембрану в ней возникают радиальные и тангенциальные напряжения, которые приводят к...

Номер патента: 1783334

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного

...элементу усилием, приложенным к центру пластины, Величина усилия определяется в соответствии с заявляемым соотношением. Жестко закрепляют пластину на упругом элементе, например, при помощи сварки. Причем зоны закрепления выполняют на одинаковом расстоянии от выводных проводников, Прекращают воздействие усилия. Далее приступают к операции вакуумирования, Предварительно целесообразно поместить упругий элемент и пластину в корпус с герметизирующим отверстием, Все предыдущие действия аналогичны действиям при реализации способа по прототипу. По- мещают датчик в установку электронно-лучевой сваки ОЗЛЗВ, создают в камера вакуум 10 Па. Герметизируют датчик, заваривания герметизирующее отверстие электронным лучом, После герметизации....

Номер патента: 1779958

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...втулки равен наружному диаметру токопроводящей втулки как для обеспечения максимального значения начальной емкости электродов, так и величины изменения емкостей от измеряемых давлений за счет максимального исключения воздушногот, е, учитывать различное сочетание давлений, воздейстэующих на основную и дополнительную мембраны. Соотношения между размерами элементов конструкции подтверждается следующими соображениями, Из анализа фиг. 4 б, в, видно, что Нв = Н+ Я, так как в случае, если ширина втулки будет больше суммы электрода диэлектрической втулки и промежутка между электродами, то будет не полная модуляция емкости конденсатора С 7 -.д при воздействии ма ксимального превышения давления, воздействующего на основную мембрану, или неполная...

Номер патента: 1778577

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...нулевого значения мультипликативной температурной погрешности необходимо:Со СоСхр Схрсгде Схр, Схрс - емкость измерительного конденсатора при воздействии измеряемого давления и температуры т, 20 Емкости конденсаторов Схр, Схрс равныКРСхр = Ео (11)Го - Мо Во, В - радиус мембраны при температуре то, т соответственно; Ь, Ь - толщина мембраны при температуре ьо, т соответственно;Ео, Ет - модуль упругости материала мембраны при температуре то, т соответственно,С= (17)ВжцВжц - радиус жесткого центра;до ит - коэффициент Пуассона материала мембраны при температуре то, т, соответственно.Так как величина С является отношением радиусов мембраны и жесткого центра, то термические расширения мембраны и жесткого центра взаимно компенсируются за...