Эгнер

Основание корпуса полупроводникового прибора

Номер патента: 1454169

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Евтеев, Козлов, Колычев, Логоватовский, Снесаревский, Татаринов, Хозиков, Чернов, Эгнер, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: корпуса, основание, полупроводникового, прибора

ОСНОВАНИЕ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, содержащее подложку для монтажа кристалла и вывода с нанесенными на его металлические части покрытием на основе никеля бора, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности, в зону пайки кристаллов на подложку нанесено дополнительное покрытие из сплава цинк алюминий германий с содержанием алюминия 1 30 мас. германия 1 6 мас. остальное цинк, причем суммарное содержание алюминия и германия 7 31 мас.

Корпус для двухкристальной интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 1691912

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Чернышов, Эгнер

МПК: H01L 23/12

Метки: двухкристальной, интегральной, корпус, схемы

...и сверху соответственно.Корпус двухкристалльной ИС содержит металлокерамические крышку 1 и основание 2, соединенные герметичным паяным швом 3, в основании 2 имеются выемки 4, расположенные с двух сторон основания, выводы 5 от металлокерамической крышки 1 расположены между группами выводов 6 от.Я 21691912 А 1 крышка и основание со смонтированн кристаллами проходят проверку парэ ров и соединяются в одну конструкц образованием общего герметичного об так, что кристаллы располагаются один другим. В основании имеются выемки, положенные с двух сторон основания воды от металлокерамической кры расположены между группами вывод основания. Металлокерамическая кр имеет по сравнению с основанием б длинные выводы, которые проходят на те выемки в...

Способ снижения пористости керамических изделий

Загрузка...

Номер патента: 986904

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Андрианов, Гершкохен, Попильский, Эгнер

МПК: C04B 35/10, C04B 41/84

Метки: керамических, пористости, снижения

...то, что применение алюмокремнеорганического раствора для пропит ки алюмооксидной керамики приводит к вводу в ее состав дополнительно 51, переходящего во время обжига в .диоксид, что ухудшает плотность керамики из окиси алюминия и изменяет ее фазовый и химический состав. Цель изобретения - повышение плотности керамики без изменения ее фазового состава.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу снижения пористости керамических изделий на основе оксида алюминия путем пропитки формованных заготовок раствором металлорганических соединений с последующим обжигом про.питку осуществляют раствором алюмооксана.Пропитывающий раствор алюмооксана содержитх х-к, ов, осн сн,ок-ос(сн )- 11=СНССН 51 ОС (СН) =СНСООВаАлюмооксан не...

Способ получения отверстий в керамических изделиях

Загрузка...

Номер патента: 613906

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Челноков, Чернов, Эгнер

МПК: B28D 1/00

Метки: изделиях, керамических, отверстий

...подлежащих удалению. Диаметрпрокола меньше диаметра отверстия, Затемпакет подвергают действию локального потоке геэ органический рестворитель. Поддействием рабочей среды керамический мате- Опел, не эещиценный маской, удаляетсячерез отверстие в нижней плите 5 до полного повторения топологии рисунка масок засчет растворяющего и пластифицирующего5действия органического растворителя,П р и м е р 1 , Заготовка иэ пленкитолщчной 0,4 мм из массы 22 ХС, пластифицированная на основе поливинилбутиреля,"екцедывелесь между двумя фольговыми2 Омескеми иэ бронзы БрБ 2 Т-Н толщиной02 мм с отверстиями Ое 7 5 мме Маски с зещщ-отовкой совмещались с помощью металлических плит направляющими колонками;плиты со сквозными отверстиями диаметром1 2 мм, Пекет...