H01L 21/328 — многоступенчатые процессы для изготовления биполярных приборов, например диодов, транзисторов, тиристоров

Номер патента: 1225423

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Скорняков

МПК: H01L 21/328

Метки: полупроводниковых, слоистых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий сплавление кремниевых пластин в присутствии алюминия методом зонной перекристаллизации с градиентом температуры и диффузию легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и воспроизводимости электрических параметров p n-перехода слоистых полупроводниковых структур, сильнолегированную кремниевую пластину p-типа проводимости с концентрацией акцепторной примеси более или равной 1019 см-3 сплавляют с второй кремниевой пластиной p-типа проводимости, легированной до концентрации акцепторной примеси менее 1019 см-3, p-слой полученной p+ p-структуры уменьшают до...