Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа

Номер патента: 1321313

Авторы: Минеева, Миронов

Формула

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.

Описание

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к светодиодам, лазерным диодам, транзисторам и другим приборам на основе полупроводниковых соединений A3B5 p-типа.
Цель изобретения экономия драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов.
П р и м е р. Арсенид галлия p-типа обрабатывали в травителе H2SO4 H2O2 H2O с соотношением компонентов 18:1:1. На обработанную поверхность напыляли слои ванадия и никеля толщиной 0,1 мкм, при температуре подложки 150оС. Величина удельного сопротивления полученного контакта составляла от 5 10-6 до 1 10-5 Ом/см.
Антимонид галлия p-типа обрабатывали в травителе НСl. На обработанную поверхность напыляли слои ванадия и алюминия при температуре подложки 250оС. Величина удельного сопротивления полученного контакта составляла от 1,8 10-6 до 6 10-6.
Механические напряжения в полупроводнике, возникающие при формировании омических контактов, полученные при использовании изобретения, составляли 2,6 105 Н/м2, а радиусы кривизны полупроводника с контактом 3,0-3,2 м.
Контакт согласно изобретению практически не стареет в течение 600 ч испытаний в режиме работы лазерного диода.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A3B5 p-типа. Цель изобретения - экономия драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов. Согласно изобретению на полупроводниковое соединение после химической обработки наносят слой ванадия, предотвращающего разложение полупроводникового соединения и по крайней мере один слой основного контактного металла алюминия или никеля. Температуру полупроводника при напылении поддерживают от 150 до 250°С. Качественный омический контакт получают и при нанесении двух слоев металлов из никеля и алюминия. 1 з. п. ф-лы.

Заявка

3823606/25, 11.12.1984

Минеева М. А, Миронов Б. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, п-типа, полупроводниковым, соединениям

Опубликовано: 27.11.1995

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1321313-sposob-izgotovleniya-omicheskikh-kontaktov-k-poluprovodnikovym-soedineniyam-a3b5-p-tipa.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа</a>

Похожие патенты