Патенты с меткой «межсоединений»

Номер патента: 368678

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вашакидзе, Гущин

МПК: H01L 21/477

Метки: межсоединений, проводящих

...Сапунова, 2 к чередованию областей металлической и диэлектрической фаз, т. е. к системе проводников в диэлектрике, создаваемой и управляемой изменением температуры пленки, нанесенной на изолирующую подложку.Металлический рисунок электрической схемы формируется в толще однородной пленки диэлектрика, способного к фазовому переходу диэлектрик-металл (активного диэлектрика). Пленка наносится на изолирующую подложку, противоположная сторона которой поддерживается при постоянной температуре Т(0,8 Т, (по абсолютной шкале).Зоны нагрева до температур, больших Т в пленке активного диэлектрика могут создаваться электронным или световым лучом, что позволяет управлять конфигурацией зоны нагрева путем сканирования луча по заданной области поверхности...

Номер патента: 476563

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Берштейн, Лисяк, Мелихов, Рабинович

МПК: G06F 15/173

Метки: межсоединений, однородной, радиоэлектронных, сети, схем, трассировки, ячейка

...однородной сети к трассировке заключается в подаче импульса на вход сброса 22 и импульса на вход признака конечной точки 24 в ячейки, соответствующие точкам платы, подлежащим соединению. Одна из этих ячеек выбирается в качестве начальной, на ее входе 24 остается единичный потенциал, подготавливающий к открытию элемент И - НЕ 50 блока возбуждения 5,Импульс, поданный на вход запуска 25, возбуждает ячейку-источник, и по сети начинает распространяться волна, Признаком возбуждения ячейки является единичный потенциал на выходе блока возбуждения 6. Если в триггере 47 блока запоминания признака конечной точки трассы 4 записана единица, то возбужденное состояние ячейки подтверждается через элемент И - НЕ 48 блока запоминания признака...

Номер патента: 489111

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Берштейн, Лисяк, Мелихов, Рабинович

МПК: G06F 15/173, G06F 15/177

Метки: аппаратуры, межсоединений, радиоэлектронной, трассировки, элементов

...время прохождения волныдо ближайшей ячейки с признекол конечной точки, Как только водна возбуждениядостигнет ближайшей ячейки с признакомконечной точки, на одном из выходов этойячейки появится единичный потенциал, который, пройдя через дифференцируюшийэлемент 7, преобразуется в импульс я через элемент ИЛИ 8 подеется на вход формирователя импульсов 9. Формировательимпульсов 9 при этом подает не управлявшие входы ячеек однородной сети нулевой потенциел, обеспежваюший гашениевозбуждения ячеек, не принеддежаших ктрассе и ддяшийся столько же времени,сколько длился единичный потенциал, обеспечивеюший распространение волны возбуждения. Затем на управляющие входыячеек однородной сети опять подеется единичный потенциед и в однородной сети 3...

Номер патента: 528572

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Берштейн, Лисяк, Рабинович

МПК: G06F 15/173

Метки: межсоединений, моделирования, трассировки, элементов

...открытым элемент И - НЕ 45, Запуск осуществляется подачей на второй вход 25 единичного потенциала, При этом на выходе элемента И - НЕ 46 появляется единичный потенциал, свидетельствующий о возбуждении устройства. Устройство возбуждается либо через элемент И - НЕ 45, либо при поступлении нулевого потенциала на информационные входы б - 9. Распространение волны поиска организуется подачей единичного потенциала на первый управляющий вход 10 всех устройств сети. В этом случае нулевым потенциалом с выхода элемента И - НЕ 41 закрываются элементы И - НЕ 37 - 40. Возбуждение, пройдя через элементы И - ИЛИ - НЕ 11 - 14 распространяются на все соседние устройства сети. При распространении волны поиска элементы И - НЕ 28 - 31 открыты, поэтому...

Номер патента: 583441

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Берштейн, Лисяк, Рабинович

МПК: G06F 15/173, G06F 17/00

Метки: аппаратуры, межсоединений, радиоэлектронной, трассировки, элементов

...с Юкофм . одном столбце. В противном случае для пе30 рестановки двух элементов требуются три :., элементарные перестановки,Если переставляемые элементы находятся в одной строке, Фо в регистр 9 заносится столько единиц сколько соответствует размеру прямоуголь-, 5ника контактных площадок; и расположеныони в тех разрядах этого регистра, которые соответствуют номеру строки элементов, . под лежащих перестановке, В регистр 10 в этом случае зан сятся две единицы, отмечающие первые столбцы проямоугольников койтактных площадок. При перестановке, например, первого и третьего элеь энтов во 2-й,.З-й и 4-й разряды регистра 9 и в 3-й и 15-й разряды регистра 10 заносятся единицы.При этом в регистре 9 сдвиг запрещается, а в счетчик 11 из регистра 8...

Номер патента: 670934

Опубликовано: 30.06.1979

Авторы: Новиков, Тверицкий

МПК: G06N 1/00

Метки: волны, межсоединений, моделирования, однородной, процесса, радиоэлектронных, распространения, сети, схем, трассировке, ячейка

...в единичное состояние. Сигнал с единичного плеча триггера 60, проходя черезэлементы ИЛИ 31 - 34 блока 3 формирования выходных сигналов возбуждения, приотсутствии запрещающего сигнала с элемента НЕ 66 блока 6 обеспечивает прохождение тактирующих импульсов, поступающих с входа 43 ячейки, через элементыИ 35 - 38 на выходы 32 - 42 ячейки - источника возбуждения в сети.Так как выходы 39 - 42 передачи возбуждения ячейки соединены с соответствующими входами 18 - 21 приема сигналов возбуждения соседних по сети ячеек, то выходные импульсы ячейки-источника чоступают на входы 18 - 21 блоков 1 приема входных сигналов возбуждения соседних ячеек сети, Импульсы возбуждения с входов 18 - 21 проходят на входы триггеров 23 - 26 через элементы И 7 - 10 и...

Номер патента: 679987

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Новиков, Тверицкий

МПК: G06F 15/177, G06F 17/00

Метки: межсоединений, радиоэлектронных, схем, трассировки

...точки отрезка После приема ЭВМ сигнала признакаВремя задержки элемента 15 обеспе- конца волны начинается следующий этап чивает распространение сигналов обратной работы устройства - выбор трассы, отвесвязи от ячейки-стока к ячейке-источн 1- чакиций заданным критериям качества из :ку и фиксацию ячеек сети, цраадлежа- .Ю полученного в однородной сети на этапе ших множеству возможных трасс. распространения волны множества возможных трасс. Выбор трассы осуществляется следующим образом.При распространении волны в каждом такте сигнал возбуждения с выходов ячеек однородной сети 7 поступает на входы соседних для них ячеек. Ячейка не возбуждается, если на нее предварительно . подан сигнал запрета. Сигналы перехода ячейки в возбужденное...

Номер патента: 690489

Опубликовано: 05.10.1979

Авторы: Берштейн, Лисяк, Рабинович, Семернев

МПК: G06F 15/177, G06N 7/06

Метки: корррекции, межсоединений, моделирования, трассировки, элементов

...волна возбуждения, и на вход 18 подается единиц:.,ый потенциал. Признаком возбуждения устройства служит появление единичного потенциала на выходе блока 3 возбуждения. В режиме распространения волны поиска сигнал с выхода блока 3 возбуждения проходит через элемент И 27 и элементы И-ИЛИ-НЕ 29 - 32, и поступает на информдционные вы:Оды 1215. Все устройства ОС, кроме устройства-источника, возбуждаются при поступлеции нулевого потенциала ца информационные входы 8 - -11. Номер информационного входа, первым принявшего нулевой потен. циал, запоминается в блоке 1 обработки входных сигналов. Процесс распространения волны возбуждения заканчивается, когда возбудится устройство с признаком конечной точки, о чем свидетельствует...

Номер патента: 691860

Опубликовано: 15.10.1979

Авторы: Берштейн, Рабинович, Сухомлинов

МПК: G06F 15/177, G06N 1/00

Метки: межсоединений, многослойных, моделирования, трассировки, элементов

...триггер, 46,47 - элементы И-НЕ блока записи признака конечной точки, 48 -53 - выходныеалелленты И-НЕ блока обработки входныхсигналов, 54 - управляющий алемент ИНЕ, 55 - элемент И, 56 - триггер блоказаписи трассы, 57-62 - алементы И-НЕвыходной логики, 63 - управляющий элемент И, 64-67 - элементы ИЛИ-НЕ блоков управляемой задержки, 68-69 - элементы И блоков управляемой задержки,70, 71- элементы задержки,Устройство работает следующим образом.Устройства образуют однородную трехмерную ортогональную сеть (ОС). Причем, к информационным входам подключаются управляемые информационные выходы 20 и 21, а выходы 22 и 23 остаючся не подключенными и могут служитьдля контроля работы устройства. Подачей единого импульса на вход 16 всеустройства ОС...

Номер патента: 1208560

Опубликовано: 30.01.1986

Автор: Панасюк

МПК: G05B 19/19

Метки: межсоединений, трассировки

...выхода первого коммутатора 8 через второй элемент ИЛИ 12 и элемент 13 задержки устанавливает исходное состояние счетчика 9, регистра 11, триггераи через второй коммутатор 2 устанавливает второй триггер 3. Состояние триггера 3 определяет, в какой счетчик решающей ячейки будет прибавлена единица при данном кодев счетчике 9: в первый счетчик 31. или во второй счетчик 36.1 . Первоначальное состояние триггера 3 устанавливается выходом У шифратора. Далее проходит импульс через элемент ИЛИ 5, с помощью которого увеличивается на единицу код в одном из первых или вторых счетчиков 31.1Фили 36., а также изменяется на противоположное либо остается неизменным состояние триггера 1 в зависимости от состояния выхода У шифратора 22. Если состояние...

Номер патента: 1160896

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Белицкий, Бочвар, Колешко, Лапицкий, Лысова

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральных, материал, межсоединений, микросхем, тонкопленочных

...определяет минимальное содержание примеси, при отарой наблюдается эффект уменьшения контактного сопротивления тонкой пленки и сохраняются необходимые требования по размеру зерен, микрарельефу поверхности (см.табл,1, в которой приведены примеры граничных и оптимального количества содержания ингредиентов), а также сохраняются высокая устойчивость к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического тока и коррозии, высокое качество микросварки алюминиевой и золотой проволокой. Повышение устойчивости к отказам, обусловленным массопереносом под действием электрического токаи коррозии, а также качества ультразвуковой микросварки достигается введением в пленку примесей РЗМ. Верхняя граница Определяет та максимальное...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1463059

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Белов, Бритвин, Ваганов

МПК: H01L 21/28

Метки: выполнения, интегральных, межсоединений, микросхемах, элементов

СПОСОБ ВЫПОЛНЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ЭЛЕМЕНТОВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ, включающий выполнение на кристаллах в первом слое металлизации дорожек, соединяющих элементы с контактными площадками для контроля, контроль элементов и выполнение второго слоя металлизации с помощью фотошаблонов с контактными площадками для межсоединений, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, контактные площадки для контроля элементов одинакового функционального назначения выполняют в отдельных минимально возможных по площади участках поверхности кристалла, после контроля элементов разрушают металлизированные дорожки, связывающие контактные площадки для контроля с бракованными элементами, а контактные площадки второго слоя металлизации формируют нанесением...

Номер патента: 1707995

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Валеев, Глебов, Железнов, Кузьмин, Лезгян, Фишель, Хрусталев

МПК: C23C 14/35

Метки: интегральных, межсоединений, металлизации, схем, формирования

...камере держать относитезльно высокое рабочее давление (7 10 - 1 10) мм рт.ст, и обеспечивать откачку диссорбированных атомов гаэоотделения со стенок рабочей камеры при значительном их нагреве во время процесса распыления сплавной мишени АТ 0,5, для стабильности режимов распыления подбирают размер щели между рабочей и общей камерами или в камере делают калибровочное отверстие, чтобы одновре 10 15 20 25 30 35 40 менно обеспечить сопротивление газовому потоку откачки и выдержать необходимый перепад давлений. При этом необходимо отрегулировать подачу плазмообраэующего Аг и откачку потока газоотделений, при этом необходимым условием является Ррвб.квмерыРдегвзвции+ Р дг где РдгРдегазвций активных примесей, в составе Рдегвзвции пик М 2 должен...

Номер патента: 1695777

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Загороднев, Кузнецов, Сулимин, Фатькин, Фишель, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на подложке с активными и пассивными элементами проводников, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя, сглаживания рельефа и нанесения второго диэлектрического слоя, формирование межуровневых окон и проводников верхнего уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и выхода годных изделий, первый диэлектрический слой наносят толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, а сглаживание рельефа осуществляют методом магнетронного ВЧ-распыления части первого диэлектрического слоя в среде аргона или удельной мощности на подложке 0,7 - 3 Вт/см2, давлении 1 - 4

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1829767

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранцев, Бессонов, Костюк, Пономаренко

МПК: H01L 21/28

Метки: межсоединений, полупроводниковых, приборов

...того, в межсоединениях, изготовленных по способу-прототипу, возникает дополнительный вклад во внутренние напряжения, связанный с различием температурных коэффициентов линейного расширенич материалов окисного и проводящего слоев, В заявляемом способе этот вклад отсутствует, так как межсоединения представляют собой единую монолитную систему.Предлагаемый способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов позволяет, рассчитав предварительно температурный режим испарения, необходимый для реализации оптимальной глубинь фракционирования, данной навески сплава А - В - С, в дальнейшем осуществлять испарение, строго следуя этому режиму. При этом сам процесс испарения становится высокотехнологичным, а параметры получаемых...

Номер патента: 1769635

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, контактных, межсоединений, столбиков, схем

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Сухопаров, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, микросхем

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...