Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на нагретую пластину до температур свыше 120oС.
Описание
Целью изобретения является повышение пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки.
П р и м е р. При изготовлении полевого транзистора с барьером Шоттки на фосфиде индия использовались структуры типа: на полуизолирующей подложке InP марки ФИП-2 выращивался эпитаксиальный слой толщиной 0,5-0,2 мкм с концентрацией (6-8)
1016 см-3. Ориентация подложек InP(100). Перед напылением контактируемых барьерных материалов Au, Pt, Ag эпитаксиальные структуры обрабатывались в плавиковой кислоте при 80, 90, 106оС в течение 5 мин. Напыление пленки барьерного металла проводилось ионно-плазменным напылением в вакууме Р 
10-4 торр через время после химической обработки менее 60 мин. При этом подложки нагревались до температуры свыше 120оС. Толщина пленок для всех употребляемых металлов составила 0,5 мкм. После напыления проводился отжиг структур при 350оС и далее методом фотолитографии и ионного травления формировались контактные площадки диаметром 100 мкм. После этого проводились измерения вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик полученных барьеров Шоттки.В таблице приведены данные по высоте барьеров Шоттки
к и пробивным напряжениям Uпр на контактах InP-Pt, InP-Au, InP-Ag в зависимости от режима химической обработки.Из таблицы видно, что высота барьера Шоттки (
к) и пробивные напряжения (Uпр) выше, чем в прототипе. Когда температура обработки в концентрированной плавиковой кислоте ниже указанной в техническом решении, высота барьера и пробивные напряжения исследуемых контактов снижаются. Эти величины уменьшаются, когда время обработки меньше пяти минут. Следовательно, предлагаемое изобретение обеспечивает увеличение пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки на фосфиде индия, когда в качестве контактируемого металла используются неактивные металлы из группы Ag, Au, Pt, Cu.Технико-экономическая эффективность изобретения по сравнению с прототипом заключается в увеличении пробивных напряжений полупроводниковых приборов с барьером Шоттки на InP, в результате чего увеличивается мощность приборов. Способ может найти применение при производстве полупроводниковых приборов с барьером Шоттки на InP (полевые транзисторы, диоды, смесительные диоды).
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки. Согласно изобретению перед напылением металла проводят химическую обработку пластин фосфида индия в концентрированной плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106°С. Обработка длится не менее 5 мин, в результате чего на поверхности полупроводника формируется слой адсорбированных ионов фтора. Важной особенностью является нанесение металла через время после обработки, не превышающее 60 мин. Для этого пластины фосфида индия нагреваются до температур свыше 120°С, фтор с поверхности улетучивается и напыляют неактивный металл. 1 табл.
Рисунки
Заявка
3999786/25, 26.12.1985
Авдеев И. И, Зотов В. А, Матвеев Ю. А, Колмакова Т. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/28
Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки
Опубликовано: 27.12.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1335056-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-priborov-s-barerom-shottki-na-fosfide-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия</a>
Способ селективного нанесения металла на полупроводниковую пластину
Номер патента: 355697
Опубликовано: 01.01.1972
МПК: H01L 21/203
Метки: металла, нанесения, пластину, полупроводниковую, селективного
...наносят тон к)ю пленк) Отя,ля (напримерр, золота или алюминия), металлизированныее пластины покрыва 1 от фоторезнстом, экспонируют через фотошаблон с соответс 1 вующнм рисунком, проявляот и травленел удаляют металл с участков, не,покрытых фоторезстом. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность путем нагрева до температуры образованя эвтект 1 к для получения низкого сопротивления коннпя металла соседние днфтп лог)т Окязя 1 ься зякОро355697 Составитель В. ГришинРедактор Т. Орловская Техред Л. Евдоиов Корректор Е. Миронова Заказ 3672/5 Изд.1557 Тираж 406 Подписное ЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 соответственно 600 и 750 С, в то...
Способ изготовления полупроводнико-вых приборов c поверхностым барьером
Номер патента: 582710
Опубликовано: 23.03.1981
Авторы: Гольденберг, Львова, Царенков
МПК: H01L 21/02
Метки: барьером, поверхностым, полупроводнико-вых, приборов
...80 ОС,Благодаря этим операциям получают структуру с тонким споем металла582710 Формула изобретения Составитель В. МякиненковРедактор Т, Колодцева Техред Е. Гаврилешко Корректор М. Вигула Заказ 1646/45 Тираж 784ВНИИПИ. Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4(10-20 нм) в центре и толстым слоемметалла на той части кристалла, гдебыла. поверхность нарушена.Токоподводы припаивают к болеетолстому слою металла, что исключаетпроплавление барьерного контакТа.П р и м е р. Изготавливают поверхностно барьерные фотодиоды на основеца А 5, На одной стороне пластины9 а А 5 изготавливают,омический контакт, а на другой проводят...
Прибор для загибания листового металла
Номер патента: 18696
Опубликовано: 31.01.1931
Автор: Лившиц
МПК: B21D 5/00
Метки: загибания, листового, металла, прибор
...помощью поворотныхрактеризующийся тем, чточенные для попеременногоследующих одна за другойций загибания листовоголодки А, В и С связаны обром О, при чем колодка Ьс колодкой Л дугой Ф, а с кпластинкой Х колодок, ха- предназнавыполнения двух операмет алла кощим шарнисоединечалодкой С -/Ц предлагаемом приборе для загибаниялистового металла помощью трехповоротных колодок, последние соединеныобщим шарниром, при чем шарнир закреплен на одной из колодок, а две.другиевключены в шарнирное соединение с помощью дуги и пластинки..-На чертеже риг, 1 изображает видпри-,бора сбоку; фиг, 2 - продольный разрезчасти прибора; фиг. 3 и 4 - схематиче 1ское расположение колодок при загибании металла и риг. 5- в изобража схематически последовательность...
Прибор для испытания твердости металлов
Номер патента: 85095
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Цаплин
МПК: G01N 3/42
Метки: испытания, металлов, прибор, твердости
...для осуществления работы привода, укреплен непосредственно на штоке 15 масляного амортизатора. Подъемный шток 1085095удерживается во взведенном положении угловым рычагом 1 б и запирается в этом положении шарнирным рычагом 17.Включение привода производится нажимом на педаль пускового рычага 18, который при движении вниз перемещает шарнирный рычаг 17, После включения привода шток 10, груз 14 и втулка 11 начинают опускаться. Скорость опускания определяется настройкой масляного амортизатора. Одновременно происходит подъем рычага 19 навстречу штоку 10, осуществляемый посредством тяги 20. К моменту встречи рычага 19 со штоком 10 последний опустится на величину, обеспечивающую приложение на рабочий шпиндель испытательной нагрузки. Втулка 11 при...
Способ получения фосфидов цветных и легких металлов
Номер патента: 109648
Опубликовано: 01.01.1957
МПК: C01B 25/08
Метки: легких, металлов, фосфидов, цветных
...д 1 иНиц,) )осфорной кислоты.Опись;вдемый способ лип.п укд- зяцнОГО цедОск). ОсГ)бццость 0 ЕГО ЯВ 15 ЕТС 5 ПРИЗЕНЕИИЕ В ,;ДЧЕ- стве исходного вещес Гвд природных мал ожелезцсты х фос 1 т: в (д ипа птовый концентрат, ф сфорцты Караду и т. д.) с доб)а)ко флюса.Согласно изобретеци;о. в электргческук) печь загрт ждют смесь природного фосфорцтд, мдложелезистого фгюса и мялосерцистого восстаноьцтеля и хеи.ля, В печи фос)ат восстанавливается до фосфора, коорый реги ирует с металлом, образуя соответству н) щий фосфид. 1,.5 некоторых металлов, которые в условиях электро.чц могут восстаняв;цвягься из их окислов, в п 1 ихту в)ссо ме алла может быть введен его окцсел,Дл получен;я фосфдя с максимальным содс 1 жянц;м фоски)ря гпихту с,стдвляют с...
Предыдущий патент: Способ штамповки поковок с ребрами и полотном
Следующий патент: Пленочный резистор
Случайный патент: Пневматический датчик