H01L 21/60 — присоединение проводов или других электропроводящих элементов, используемых для подвода или отвода тока в процессе работы прибора

Номер патента: 125837

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Гершензон, Козлов, Кузнецов, Лобашевский, Перепеч, Разин, Сычев, Циркин

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, индиевым, припайки, электродам, электродных

...пропуск ют так,Способ прин щийся тем, что крывают раствор вод к электроду которого подбира дий расплавляет В известном способе припайки электродных выводов к индиевымэлектродам на электродный вывод наносят индий, а пайку ведут с разогревом контактной области в струе горячего азота,Описываемый сйособ припайки отличается от известногиндиевый электрод, например, диода покрывают раствором кспирту. Затем припаиваемый вывод прижимают к электродуду пропускают электрический ток. Величина тока выбираетсв области стыка вывода с электродом индий расплавляется,На чертеже показан принцип устройства выполненного, по описываемому способу.Электродный вывод 1 прижимается к индиевому электроду 2мощью пружинного контакта 3. Индиевый электрод вместе с...

Номер патента: 132722

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Дмитриев, Костин

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, припайки, электродных

...Как только конец электродной проволоки коснулся капли, подающее устройство останавливается, а нагреватель продолжает движение до тех пор, пока его горячий конец с выступающим по краям элсктрода чсрез зазор 6 расплавленным припоем нс коснется капли полупроводникового прибора и не расплавит се. После этого, нагреватель уходитот капли, а проволока, зажатая подающим устройством, остается неподвижной, Когда капля остынет и электрод окажется припаянным, нагреватель и подающее устройство отходят еще дальше назад, а полупроводниковьЙ прибор с куском припаянной проволоки отрезастся. Затемцикл повторяется. Размер капли регулируется приспособлением (например, гидравличсским), с помощью которого изменяется величина гидростатического давления Р...

Номер патента: 146883

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гершензон, Козлов, Кузнецов, Перепеч, Разин, Сычев, Циркин

МПК: B23K 3/053, H01L 21/60, H05B 3/02 ...

Метки: выводов, индиевым, нагревательное, полупроводниковых, приборов, припайки, электродам

...нагревательного элемента (пластинка) с треугольными вырезами в области рабочей зоны.Нагревательное устройство представляет собой нагревательный элемент, подключаемый к источнику электрического тока с неболыппм напряжением (3 - 5 в). Элемент выполнен в виде пружиняшей пластинки 1 с уменьшенной шириной в области рабочей зоны. Пластинка изготовлена из тугоплавкого материала с высоким омпческим сопротпвлснием, например нихрома, и изогнута под острым углом в области рабочей зоны. Для уменьшения ширины в этом месте пластинка снабжена треугольными вырезами, име 1 ощими в плане форму, изображенную на фиг, 2. Уменьшение сечения пластинки в области рабочей зоны создает высокую температуру в месте ее непосредственного контакта с вывоЛо 146883...

Номер патента: 165835

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Аникеев, Асанов, Брод, Гордон, Литвинова, Ломако, Межибовский

МПК: H01L 21/60

...выводы диода к контактным пружинам 11, которые включены в цепь питания электромагнита 12, Под валиком 10 установлен флажок 13, соединенный с якорем электромагнита, При опреде ленной полярности диодов относительно пружин 11 через катушку электромагнита 12 проходит электрический ток и электромагнит, перемещая флажок, дает возможность диоду попасть в зигзагообразную щель 14 обоймы о 15. При обратной полярности диодов ток через катушку электромагнига 12 не проходит, рлакок 13 остается неподвижным и диоды направляются в зигзагообразную щель 16 обоймы.Из зигзагообразных щелей обоймы диоды поступают в механизм маркировки (см. фиг, 1). На выходе зигзагсобразных щелей установлен отсекатель 17, снабженный двумя зубьями. Отсекатель непрерывно...

Номер патента: 239776

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 21/60

Метки: выпрямительных, пайки, полупроводниковых, приборов, припой, элементов

...на основе свинца с добавкои серебра в количестве 2,5%.Для повышения флюсующих свойств припоя и растекаемости по паяемой поверхности в припой на основе свичца введен германий в количестве 2 - 5%. Германий является поверхностно-активной добавкой по отношению к свинцу. Благодаря этому свинец получает флюсующие свойства и хорошо растекается по германию, кремнию и никелированному вольфраму. Кроме того, добавка германия в свинец снижает растворимость в нем никеля, чем предупреждается нарушение никелевого покрытия деталей при пайке. Спаянные предложенным припоем кремниевые и германиевые выпрямительные структуры не изменяют своих электрических параметров и имеют хороший омический контакт.Приготовление и обработка припоя ведетсяда воздухе. Припой...

Номер патента: 269317

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Апая, Кузьмичев, Лифл, Онегин

МПК: H01L 21/60

Метки: беспроволочной, полупроводниковых, приборов, сборки

...пасты, образуя печатный монтаж, Нанесение токо- проводящей пасты производят без применения масок-трафаретов. Получение пробельных участков обеспечивается тем, что они углублены;о стношенис к тскопроводящим линиям и паса искринаст только всрхною плоскость ре;ьсфцых элементов, при этом исключается операция совмещения, применяемая прц трафарстном спосоое печати, благодаря чему; прощается технологический процесс.Формирование рельефцого рисунка на диэлектрической подложке позволяет обеспеить точность размеров и расположения линий.1 эисуцок можно получать одповременно с формовкой подложки, при этом не требуется специального оборудования. На фиг. 1 показана диэлектрическая чодс рельефным ртс.пкох; на фиг. 2 подложка после нанесения...

Номер патента: 288522

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Думаневич, Козлов, Ловцов, Лубнина, Рюмшин

МПК: B23K 35/26, H01L 21/60

Метки: 288522

...является использовяше твердых припоев в КОПТЯКТИОСОСД 111 С 1 ц ПИ 1(ИИЙ ТСР.ОКО.ПЕ 1- сатор - оиовапце трибсра.Известны припои для пайки термокомпсисяторов силовых полупроводниковых приборов с основанием, содержащие олово.Однако пайка цззсстиыми прпоями 1 пяпрл мер, ПСр) пр;Гводт к получсшцо напряженных спасв, вызывающих короолецие тсрмэ. компсцсятора ц растрескивяние кристалла,Для ир 1 оров с Гвсрдопаяин 1)п контактам:1 характс 1)иы 1 вышенос тсплоВое сопротивление и трудость от)ывки Остатков трявител после травлец;я, цаличе которых приводит к ) худшеццо зло(греских . Яряктеристик при боров.Прсдлагасмьш припой отличается тем, что 20 Ои содс;)жт 5 - 10 зсс.галлия. Пак ц:жпего термокомпец зтора с медным осиозаиием прибора...

Номер патента: 289462

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Радковский, Соловьев

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, моп, приборал1типа, присоединения

...металлического электрода, химическое взаимодействие металла с окислом, в результате которых из окисла вытягиваются ионы кислорода, и в окисле образуются кпслородныс вакансии.Образование вакансий в окисном слое приводит к смещению электрических характеристик МОП-структур, что видно из фиг, 1, на которой показаны переходная характеристика 1 МОП-транзистора до приварки выволов, переходные характеристики 2 и 3 того же транзистора после приварки выводов предложенным и известным способами.Целью изобретения является прелотвращегн 1 е смещения электрических характеристик отовых МОП-структур в процессе присоеди 1 ения выводов термокомпрессий. 11 а готовую МОП-структуру 4 со слоем бокиси кре.ния с по.с 1 ощь:о металлпческои разводки 6 и...

Номер патента: 368679

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дергачев, Постников

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...проводника составляет 4 - 8 кг/мм и при сварке золотого проводника 10 - 14 кг/мм. Минимальная температура, при которой получают удовлетворительное соединение, должна быть не менее 280 С.Цель изобретения - снижение температуры нагрева соединяемых элементов (не выше 240 С), что позволит создавать новые типы полупроводниковых приборов, упростит многие технологические задачи при создании полупроводниковых элементов, повысит выход годных приборов, упростит монтаж приборов с проволочными и консольными выводами в интегральные схемы.Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что на контактную точку любым существующим способом на подслой олова толщиной 0,1 - 0,3 мкм наносят слой золота 0,3 - 1,0 мкм, После этого подводят...

Номер патента: 434518

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кулешов, Мистейко, Панчев

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения

...одновременно со скольжением. Однако скольжение инструмента относительно прибора ведет к смещению выводов относительно контактных площадок и к ухудшению качества сварки; кроме того, известное устройство не позволяет производить присоединение выводов при круговом расположении контактных площадок корпуса.Цель изобретения - устранение скольжения инструмента относительно прибора,Цель достигается тем, что предлагаемая установка содержит механизм стабилизации обкатки, выполненный в виде кронштейна, имеющего выступы с установленной в них рамкой, в средней части которой имеется паз с расположенным в нем цилиндром, жестко закрепленным на хвостовике инструмента сварочной головки, расположенной в кронштейне с возможностью вращения вокруг...

Номер патента: 534809

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Горожанцев, Лосев, Шуньков

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, присоединения, проволочных

...кулачка разжима губок 33 (фиг. 2),кулачка отрыва и подачи проволоки 34 рыФ36чага 35, толкателей 36, 37 и рычага 38,Механизм 5 подъема и опускания сварочнойголовки состоит иэ рычага 39, пластины 40,.на кулачковол валу 47,Установка работает следующим образом Приб р устапавлпвают на столик 6 (фиг,З.),привод 2 приводит во врашепие кулачковый.сварочной головки (фиг. 1), опускав. инсц.мент 29 (фиг. 3) над местом первой сварки, При этом каретка 15 находится в верхнем положении на упоре 14, который, в сво,очередь, определяет угол,у наклона горца 3инструмента 29 на первой сварке,После совмещения контактной площадкиприбора с инструментом, последний опускается на первую сварку, затем автоматическиноднимается в положение пегли от кулачка144 (фиг,...

Номер патента: 525381

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Волос, Кузьмичев, Мазаник, Твердов

МПК: H01L 21/60

Метки: контактных, кристаллам, полупроводниковым, присоединения, рамок

...головку.Такая конструкция позволяет проводить совмещение кристалла с контактной рамкой и цх дальнейшее совместно фиксированное совмещение со свароцьп 1 инструментом, т. е. проводить последовательное перемещение сварцвясмых объектов под сварочным ццструмен- ТОМ.Ня 1)1 г.пзоб)Яжец конструктивная схема предлагаемой установки; ца фцг. 2 - схема з;жима кристалла,Установка для присоединения контактных ЭМОК и ГОЛУП)ОВОЦ 11 ОВЫМ КЭПСТЯЛЛЯс СО- держит сварочную головк 1 (фцг. 1), рабочий столик 2, мцкромаццпулятор э, механизм псемещения кассет с опта,тцыми эямкмп 4, мехяцпзх 5 питания 1;)цст)л;аи, ст)ойство 6 зяи;цмя . ор Снтяши рцсталля.Устройство 6 зажима ц орпецтяц;" Содержит з 1 жцмцые губки 7, переменающпеся параллельно плоскостп...

Номер патента: 668029

Опубликовано: 15.06.1979

Автор: Большаков

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, интегральных, контактным, корпуса, площадкам, присоединения, схем

...изгиб на свободном конце.Внутренний диаметр кольца имитатора 7 корпуса с учетом диаметра ползуна 8 соответствует диаметру расположения выбранных точек сварки на контактных площадках 4 корпуса 2 в упомянутом масштабе увеличения.Необходимые перемещения узлов устройства осуществляет привод 19.Предлагаемое устройство работает следующим образом.На стол 1 устанавливается корпус 2 с кристаллом 3, который присоединен к кор пусу 2 с возможностью произвольного смещения. Контактные площадки корпуса 2 и кристалла 3 необходимо соединить проволокой. При помощи блока 10 визуального совме 1 цения, вращая маховики 13, 14, 15 механизма 12, совмещают блок настройки 11 с кристаллом 3 интегральной схемы, при этом имитатор 6 кристалла одновременно...

Номер патента: 790039

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Ленин, Ялкапов

МПК: H01L 21/60

Метки: датчика, крепления, пар, потенциальных, холла, чувствительному, электродов, элементу

...ведется приклеиванием с помощью клея, содержащегоэпоксидную смолу в качестве связующего полимера, отвердитель и электропроводящую магниточувствительнуюкомпоненту в определенной последовательности с прижатием, нагревом ивоздействием магнитного поля по осиприспоединяемых электродов,Процесс крепления состоит из следующих операций: вначале конец присоединяемого электрода после симметризации прямолинейно отводят от чувст 15 вительного элемента датчика, смачивают клеем и снова подводят к чувствительному элементу прямолинейным двидвижением, Повторно проверяют сохранность эквипотенциальности расположеЩ ния потенциальных электродов датчикаХолла, например, как в случае первоначальной симметризации упомянутыхэлектродов, т.е, через...

Номер патента: 1027795

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Веселов, Вьюшкин, Иванов

МПК: H01L 21/60

Метки: выводных, микросхем, подложками, рамок, сборки

...полках рычагов выполнены зацепы для концов выводных рамок.На фиг.1 изображено устройство, общий вид; на фиг.2-4 - узел совме- щения выводных рамок с подложками в различных рабочих положениях; вид спереди, на фиг.5 и б - то же, вид сбоку.Устройство содержит механизм 1 подачи подложек, механизм 2 подачи выводных рамок, узел 3 совмещения бО выводной рамки с подложкой, нагреватель 4, механизм 5 сборки, и механизм б выгрузки готовых изделий. Механизм 2 подачи выводных рамок соединен лотком 7 с узлом 3 совмеще ния, а механизм 1 подачи оснований соединен лотком 8 с направляющей 9 нагревателя 4. Узел 3 совмещения содержит ползун 10 и механизм разведения концов выводных рамок, содержащий полэун 10 и механизм разведения концов выводныХ рамок,...

Номер патента: 1112444

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Веселов, Вьюшкин, Красильников

МПК: H01L 21/60

Метки: выводных, микросхем, подложками, рамок, сборки

...18. Копиры 11 и 12 установлены таким образом, что расстояние20 межцу верхними профилями внешнегои внутреннего копиров 11 и 12 большедиаметра ролика 16 на О, 1-0,2 мм,а расстояние между нижними профилямикопиров 11 и 12 больше диаметра ро 25 лика 16 на 1-2 мм, Механизм 1 подачиподложек, механизм 5 сборки и механизм 6 выгрузки связаны грейферныммеханизмом 19 с гребенкой 20, предназначенной для продольного перемещения выводной рамки с подложкой. Всемеханизмы и узлы устройства смонтированы нг основании 21,Устройство работает следующим об -разом.Из механизма 1 подачи по лотку 8подложки 22 поступают в узел 3 совмещения. Из механизма 2 подачи по лотку 7 выводные рамки 23 поступают впространство, ограниченное рычагами13,...

Номер патента: 1310924

Опубликовано: 15.05.1987

Автор: Антонов

МПК: H01L 21/60

Метки: выводных, гребенок, интегральных, кассета, корпусам, крышек, микросхем, присоединения

...3 и пазов2 э 4. В основании 1 выполнены окна 5 для размещения выступов 6 прижима. 2. Устанавливаемые в кассету для сборки элементы интегральной микросхемы представляют собой корпус 7, крьшку 8, выводные гребенки 9, пластины 10 припоя и рамку 11 припоя. Элементы фиксации крышек 8 и выводных гребенок 9 относительно корпусов 7 микросхем выполнены в виде Ч-образных пазов 12 и 13, выполненных соответст венно в прижиме 2 и в основании 1. Пазы 12 прижима 2 имеют плоское дно 14, а пазы 13 основания 1 - гнезда 15 для размещения крышек 8 и уступы 16. 4 ОКассета работает следующим образом.В гнезда 15 устанавливают крышки 8 с рамкой 11 припоя и на них устанавливают корпуса 7. На стенки пазов 13 основания 1 устанавливают выводные гребенки 9 и...

Номер патента: 1481871

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Вертинский, Зенкович, Мазаник, Садовский, Твердов, Шевцов

МПК: H01L 21/60

Метки: автомат, выводов, полупроводниковых, приборов, присоединения, проволочных

...посредством шины подключен к входу В второй схемы сравнения, выход которой: подключен к входу А второго формирователя, а вход А второй схемы сравнения подключен по шине к выходу второго счетчика К, вход второго счетчика подключен к выходу второго ждущего мультивибратора, а вход Т - к выходу элемента И,: второй вход которого подключен к выходу генератора и к входу Т первого счетчика, К-вход которого подключен к выходу первого ждущего мультивибратора, а выход его подключен посред,теля, объединенные вход управления вводом УВ формирователя и вход С де 5 10 15 30 25 30 35 40 45 50 55 ством шины к входу А первого формирователя,7, Автомат по п, 3, о т л и ч аю щ и й с я тем, что устройство управления присоединением выводов содержит...

Номер патента: 1518834

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Данилов, Пеков, Перелыгин

МПК: H01L 21/60

Метки: диэлектрической, кристаллов, монтажа, подложке, полупроводниковых

...предварительного крепления кристаллов, При40этом появляется возможность осуществлять групповое присоединениевсех кристаллов, что приводит к повьппению производительности, а использование однократного теплового воздействия на кристаллы при присоединении повыщает надежность. Кроме того способ позволяет производить совмещение каждого кристалла с диэлектрической подложкой вплоть до термонаг - рева, что обеспечивается простотой их отсоединения, Для этого достаточно удалить постоянные магниты данного кристалла, после чего его можно заменить или возвратив магниты на место, произвести повторное совмещение.Формула и э обретения1. Способ монтажа полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке, включающий нанесение на поверхность...

Номер патента: 1674294

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Агеев, Зайцев

МПК: H01L 21/48, H01L 21/60

Метки: интегральной, монтажа, носитель, схемы

...относится к микроэлектронике, в частности к носителям для монтажа интегральных схем,Цель изобретения - повышение надежности и снижение трудоемкости.На чертеже представлена конструкция носителя.Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски,Носитель работает следующим образом.Носитель накладывают на поверхность кристалла диэлектрическим основанием 1 так, чтобы контактные площадки кристалла расположились в окне 2, а металлические выводы 3 проходили над контактными площадками. Металлические выводы присоединяют ультразвуковой сваркой к контактным площадкам кристалла.Выполнение плоских металлических выводов 3 в виде единой...

Номер патента: 1691909

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Медведев

МПК: H01L 21/60, H01L 23/48

Метки: алюминиевой, золотой, кремниевую, нанесенной, пленке, подложку, присоединения, проволоки, тонкой

...до 320 С термопластичный компаунд сульфарил окунают конец золотой проволоки диаметром 30 мкм при вязкости сульфарила 200 10 Па с,-2 Размещают конец золотой проволоки на алюминиевой пленке и, прикладывают перпендикулярно к ее оси и поверхности пленки давление 70-100 Н/мм . Использование2данного способа позволяет повысить выходгодных до 99% щадь контактирования. В момент резкого поднятия инструмента вязкий компаунд тормозит движение проволоки вслед за инструментом, что облегчает отделение проволоки от инструмента и предотвращает возможность отрыва проволоки с частью металлического слоя от кристалла, Таким образом достигается увеличение механической прочности соединения,Экспериментально установлено, что вязкость термопластичного...

Номер патента: 1812578

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Александров, Ильюк, Молчанов, Пенцак, Сарапин

МПК: H01L 21/60

Метки: интегральной, коммутационный, проводник, схемы

...дорожек 1, разме- рядка(1.2) 10 Н м . Поэтому предлагается щенных между защитным покрытием 2 и для компенсации этих напряжений пере- изолирующей пленкой 3, расположенной на мычки располагать попеременно с каждой полупроводниковой подложке 4, Соседние стороны токопроводящей дорожки, т.е, в дорожки соединены токопроводящими пе-шахматном порядке,ремычками 5, При количестве дорожек 1 бо- . Предложенную конструкцию прбводнилее двух перемычки 5 расположены в ка целесообразно использовать для комму- шахматном порядке, Токопроводящие дотации наиболее нагруженных элементов рожки 1 соединяюткоммутируемыеэлемен- интегральной схемы. При этом перемычки ты А и В (фиг,2). при наличии дефектных повышают надежность проводника, кото- областей С...

Номер патента: 2003204

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Назаров

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, монтажа, плате

...вышеуказанных материалов, в качестве лазера 10 могутиспользоваться лазер на СО (длина волны15 излучения 5 - б мкм, поглощение в монокристалле кремния - 1,610 см) или лазер наСО 2 длина волны излучения 10,4 мкм и 9,4мкм, поглощение в монокристалле кремния- 1,8 см). В обоих случаях кристалл 1 может20 считаться прозрачным для излучения 11 лазера 10, Коэффициент поглощения двуокисикремния намного больше коэффициента по-глощения монокристаллического кремниядля данных типов излучения,Излучение СО 2 - лазера с длиной волны9,4 мкм особенно эффективно поглощаетсяслоями двуокиси кремния, что может позволить производить сварку контактов с наи. меньшими энергетическими затратами.Общеизвестно свойство алюминия образовать на воздухе...

Номер патента: 1457738

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Калинин

МПК: H01L 21/60

Метки: бис, выводов, монтажа

...к точке второй сварки по эволь. венте круга радиуса В. Точка второй сваркирасположена на кристалле БИС, В данном20 примере исполнения точка второй сваркирасположена выше уровня траверзы (точкипервой сварки) на высоту кристалла,а уголО выбран равным й/6, Это является примером сложного случая при монтаже выводов25 инструментом с наклонным капиллярнымотверстием. По ОСТ 11.0409,017.5-79 предусмотрен инструмент с углами О: л/6,л/4 и ж/3, при этом монтаж вывода можетвыполняться как от траверзы к кристаллу,З 0 так и от кристалла к траверзе.При подъеме инструмента сила тренияпроволоки в его капиллярном отверстии минимальна, поскольку нормальное давлениеблизко к нулю. Для более толстой проволокиЗ 5 ( 827 мкм) допускается отклонение...

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 1738039

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Брицис, Казачонок, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/60

Метки: кремниевого, кристалла, кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий формирование на посадочной поверхности кристалла слоистой структуры, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, слоистую структуру выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30 - 150 нм, а пайку осуществляют при 400 - 480oС в течение 1,5 - 5 с.

Номер патента: 1082252

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Марончук

МПК: H01L 21/60

Метки: многоэлементных, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления многоэлементных полупроводниковых приборов, включающий разделение р-n-структур большой площади пазами с двух сторон на элементы и приварку металлических выводов путем приложения давления и температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и улучшения электрофизических параметров многоэлементных приборов, перед разделением структуры на элементы из металлической проволоки, образующей эвтектический сплав с полупроводниковым материалом, изготавливают группы контактных шин, которые прикладывают к полупроводниковым структурам и устанавливают в пакет последовательно с прижимным элементом, помещаемым в раму, выполненную из материала, отличного от...