Защитная маска
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
1. ЗАЩИТНАЯ МАСКА для группового создания на кремниевой подложке (100) прямоугольных мезаструктур малых размеров, со сторонами ориентированными вдоль направлении < 110 >, локальным анизотронным травлением, содержащая Т-образный фигуры упреждения с узким и широким лучами, стороны которых ориентированы вдоль направлений < 110 >, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, узкий луч Т-образной фигуры соединяется с маскированной областью, ограничивающей лунку травления, широкий луч Т-образной фигуры располагается вдоль стороны маски мезаструктуры, ширина промежутков, отделяющих этот луч от других элементов маски, определяется разрешением фотолитографии.
2. Защитная маска по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью получения мезаструктур различной высоты при одинаковом времени травления, широкий луч Т-образной фигуры соединяется маскированными дорожками перпендикулярно стороне маски мезаструктуры, стороне маски, ограничивающей лунку, травления, маске Т-образной фигуры упреждения на одном из смежных углов, полоске, соединяющей лучи Т-образной фигуры упреждения с вершиной маски мезаструктуры.
3. Защитная маска по п. 2, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения стоимости отдельных кристаллов, содержащих несколько мезаструктур, широкие лучи Т-образных фигур упреждения, расположенные между мезаструктурами, имеют ширину максимально близкую к половине ширины канавки между мезаструктурами, четыре узких луча фигур упреждения объединяются прямоугольной маскированной областью в промежутках между четырьмя мезаструктурами, широкие лучи, расположенные друг напротив друга, соединяются маскированными дорожками, перпендикулярными сторонам лучей.
Описание
Целью изобретения является уменьшение стоимости отдельных кристаллов, содержащих одну мезаструктуру, расположенную в лунке, получение мезаструктур различной высоты при одинаковом времени травления, уменьшение стоимости отдельных кристаллов, содержащим несколько мезаструктур.
На фиг. 1 представлена топология защитной маски для формирования прямоугольной мезаструктуры; на фиг. 2 - топология защитной маски с Т-образными фигурами упреждения; на фиг. 3 - топология фигурам упреждения для создания мезаструктур различной высоты; на фиг. 4 - фрагмент топологии защитной маски для формирования нескольких мезаструктур.
Принятые обозначения: 1 - маска мезаструктуры, 2 - маска Т-образных фигур упреждения, 3 - Т-образные фигуры упреждения, 4 - широкий луч, 5 - узкий луч, 6 - изменение положения следа грани с высокой скоростью травления в процессе стравливания фигур упреждения.
П р и м е р. Изготавливают квадратную мезаструктуру со стороной 50 мкм высоты 200 мкм в лунке, минимально допустимое расстояние между мезаструктурой и стенкой лунки составляет 200.
280 мкм. Используют травитель состава 33% раствора едкого калия при 100оС. Скорость травления в глубину составляет 3,0 мкм/мин, скорость стравливания заостренного конца луча фигуры упреждения 10 мкм/мин и угол наклона грани с высокой скоростью травления, выходящей на конце луча, к оси этого луча составляет 27о, при шиpине лучей фигур упреждения 40 мкм суммарная длина луча и соединительной полоски составляет 650 мкм. (56) Патент Японии N 49-48272, кл. H 01 L 21/31, 1974.Авторское свидетельство СССР N 795326, кл. H 01 L 21/31, 1979.
Рисунки
Заявка
3768520/25, 13.07.1984
Московский инженерно-физический институт
Белов Н. С, Ваганов В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/31
Опубликовано: 28.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1220516-zashhitnaya-maska.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Защитная маска</a>
Защитная маска
Номер патента: 795326
Опубликовано: 15.01.1994
МПК: H01L 21/31
ЗАЩИТНАЯ МАСКА для получения на полупроводниковых монокристаллических пластинах (100) меза-структур с прямыми углами, стороны которых ориентированы по направлениям (110), содержащая на вершинах прямых углов фигуры, предотвращающие их растравливание, отличающаяся тем, что, с целью экономии материала пластин при анизотропном травлении, фигуры на вершинах прямых углов выполнены в виде Т-образных фигур, стороны полосок которых ориентированы по кристаллографическим направлениям (110).
Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100)
Номер патента: 858491
Опубликовано: 10.05.2000
МПК: H01L 23/00
Метки: 100, группового, защитная, маска, монокристаллических, ориентированных, пластин, плоскости, разделения, химического
Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех...
Реперный знак и способ совмещения рисунка маски с рисунком подложки
Номер патента: 1046734
Опубликовано: 07.10.1983
Авторы: Гревцев, Гриценко, Сажнев
МПК: G03F 9/00
Метки: знак, маски, подложки, реперный, рисунка, рисунком, совмещения
...знак 5 - для совмещения по углу М . Далее накладываютмаску на подложку таким образом,чтобы квадраты реперных знаковчастично перекрывались, и освещают ихкогерентным излучением, напримерлазерным лучом. Затем проводят собственно процесс совмещения путем грубой и точной ориентации маски иподложки.Процесс грубой ориентации осуществляют по принципу сравнения площадей периферийных участков 3 наподложке, неперекрытых квадратоммаски, Поскольку интенсивность дифрагированного излучения пропорциональна освещаемой световым пучком площади этой решетки, то величину смещения ДХ, ЬУ, йУцентров квадратовна маске (01)и подложке (02)можноопределить, измеряя Фотоприемникамии сравнивая интенсинность излучения, .дифрагированного на периферийныхучастках 3 в...
Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления
Номер патента: 1099776
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин
МПК: H01L 21/3105
Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной
...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...
Способ локального химического травления монокристаллических ферритовых пластин с защитной маской
Номер патента: 1159442
Опубликовано: 27.08.1995
МПК: G11B 5/127
Метки: защитной, локального, маской, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых, химического
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН С ЗАЩИТНОЙ МАСКОЙ в водном растворе, содержащем фосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и качества получающегося рельефа, травление осуществляют при 100 180oС в растворе, содержащем дополнительно щавелевую кислоту, при следующем соотношении компонентов, об.ч.Ортофосфорная кислота (уд.вес 1,72 г/см3) 100Щавелевая кислота, насыщенный водный раствор 5 7
Предыдущий патент: Термоиндикаторная композиция
Следующий патент: Устройство для обработки расплава низкочастотными колебаниями
Случайный патент: Устройство для освоения горной лесосеки