Тимашев

Номер патента: 1623276

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Габбасов, Илюков, Канюков, Пастухов, Тимашев, Фазлутдинов

МПК: E21B 43/20

Метки: месторождения, нефтяного, разработки

Способ разработки нефтяного месторождения, включающий разбуривание месторождения системой скважин с горизонтальными стволами, закачку вытесняющего агента через нагнетательные скважины и добычу нефти через добывающие скважины, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности способа при разработке месторождений массивного типа с газонапорным или водонапорным режимами, дополнительно проводят дренажные скважины с горизонтальными стволами, размещают их в подошве месторождения с газонапорным режимом или в кровле месторождения с водонапорным режимом, при этом система горизонтальных скважин имеет пересекающиеся или скрещивающиеся в плане стволы, а добывающие скважины гидродинамически связаны...

Номер патента: 1314758

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Биишев, Гарифуллин, Тимашев

МПК: E21B 43/20

Метки: месторождения, многопластового, нефтяного, разработки

1. Способ разработки многопластового нефтяного месторождения, включающий проведение равномерных в плане сеток скважин на базисные горизонты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности разработки за счет увеличения темпов добычи нефти путем рационального размещения скважин, каждый базисный горизонт вскрывают наклонно направленными скважинами, каждая из которых вскрывает базисный горизонт в точках геометрически правильной для данного горизонта сетки.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что наклонно направленные скважины размещают кустами.

Номер патента: 1547412

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Габбасов, Тимашев, Фазлутдинов

МПК: E21B 43/20

Метки: массивных, месторождений, нефтяных, разработки

Способ разработки массивных нефтяных месторождений, включающий одновременную закачку в пласт через нагнетательные скважины газа при давлении не ниже давления насыщения нефти газом и воды, отбор нефти через добывающие скважины, отличающийся тем, что, с целью увеличения выработки подошвенной части массивного нефтяного месторождения путем увеличения охвата пласта воздействием, до начала закачки воды ведут закачку газа в кровельную часть пласта до прорыва к добывающим скважинам, затем с одновременной закачкой газа осуществляют закачку в подошвенную часть пласта воды при давлении ниже давления закачки газа.

Номер патента: 1287465

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Балаев, Воробьев, Дрейман, Крыкин, Попков, Тимашев

МПК: C01C 1/12

Метки: аммиака, выделения, газовых, смесей

1. Способ выделения аммиака из газовых смесей путем пропускания смеси по поверхности полупроницаемой мембраны, селективной по отношению к аммиаку, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы мембраны и повышения селективности процесса, в качестве полупроницаемой мембраны используют пленку от сульфированного перфторированного полимера Ф-4СФ, модифицированного морфолином или омыленного и переведенного в ионную форму или аминированного аммиаком, или аминированного алифатическим полиамином.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что газовую смесь на мембрану подают одновременно с водяным паром.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что процесс ведут при повышенном давлении.

Номер патента: 1783948

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, кристаллов, поверхностных, резонаторов

Способ изготовления кристаллов резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий фотолитографию встречно-штыревых преобразователей и отражательных решеток, ионно-химическое травление канавок в материале подложки, напыление металла, взрывное травление фоторезиста и последующее удаление металла из канавок отражательных решеток, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных резонаторов, после напыления металла наносят второй слой фоторезиста, в котором вскрывают окна над структурами электродов встречно-штыревых преобразователей, в этих окнах вытравливают металл, затем проводят ионно-химическое дотравливание канавок под электроды встречно-штыревых преобразователей заданной глубины, напыляют второй слой металла с толщиной,...

Номер патента: 1800825

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Бобрешова, Гитис, Зотова, Кирш, Кулинцов, Попков, Светличный, Смирнов, Тимашев, Фатеев, Федотов

МПК: C08J 5/22

Метки: катионообменных, мембран

...4,4-диаминодифениламин- сульфокислоты, их смеси в любом соотношении или 5-70 мол.метафенилендиамина с вышеперечисленными аминами с 4В данном способе используют полимеры, указанные в табл. 1.П р и м е р 1. 10 г полимера 1 Х растворяют при перемешивая ии в 500 г диметилформамида. Затем прибавляют 90 г полимера 1 (в форме натриевой соли) и перемешивают до полного растворения,Раствор тщательно фильтруют и наносят на движущуюся подложку, сушат горячим воздухом и отделяют от подложки.Толщина полученной аленки 50 мкм, П р и м е р ы 2-9, Выполняют аналогично примеру 1, но при других соотношениях полимеров, приведенных в табл. 2.Определяют статистическую обменную емкость (СОЕ), удельное поверхностное сопротивление,...

Номер патента: 1783947

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты резонатора, сравнение ее с заданной и плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора в плазме фторсодержащего газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных резонаторов, перед измерением центральной частоты дополнительно проводят обработку резонатора в плазме нейтрального газа в течение 200 - 300 с.

Номер патента: 1419474

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Колковский, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, устройств

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий формирование на пьезоэлектрической подложке токопроводящего слоя электродов и электрических шин встречно-штыревых преобразователей (ВШП), регистрацию амплитудно-частотной характеристики, сравнение ее с заданной по результатам которого осуществляют отбраковку изготавливаемых устройств, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых устройств, одновременно с формированием токопроводящего слоя электродов и электрических шин ВШП формируют между электрическими шинами ВШП токопроводящий слой в виде меандра, измеряют его сопротивление, производят сравнение его значения с заданным; по результатам которого осуществляют дополнительную отбраковку...

Номер патента: 1313317

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Кисляков, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 9/25

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонатор

РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, по крайней мере один встречно-штыревой преобразователь (ВШП) ПАВ, электроды которого расположены в углублениях на рабочей грани пьезоэлектрической подложки, и отражательные структуры, выполненные в виде системы канавок, глубина которых меньше глубины углублений под электродами ВШП ПАВ, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции резонатора, область пьезоэлектрической подложки с электродами ВШП ПАВ выполнена с выступом над областями пьезоэлектрической подложки с канавками отражательных структур, причем высота выступа выбрана в соответствии с выражениемh = h1-h2 ,где h - высота выступа...

Номер патента: 1335110

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(ПАВ), включающий формирование на рабочей грани пьезоэлектрической подложки системы канавок отражательных решеток, заполненных электропроводящим материалом, и электродов встречно-штыревых преобразователей, формирование защитного покрытия для встречно-штыревых преобразователей, вытравливание электропроводящего материала из системы канавок отражательных решеток, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения разброса центральной частоты, в процессе формирования системы канавок отражательных решеток их дополнительно вытравливают на величину, равную 10 - 15% от заданной глубины, а перед вытравливанием электропроводящего...

Номер патента: 1313314

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/10

Метки: акустических, волнах, кварцевых, поверхностных, подстройки, резонаторов, частоты

СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ КВАРЦЕВЫХ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение частоты резонатора и сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют нагрев резонатора при температуре, превышающей 250oС, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов подстройки частоты и повышения ее точности, нагрев резонатора осуществляют в течение 20 - 40 мин, а температуру нагрева выбирают из выражения500 C > T = 250 C + A ,где Т - температура...

Номер патента: 1750406

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, настройки, поверхностных, резонаторов, центральной, частоты

СПОСОБ НАСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий обработку в плазме аргона в течение 120 - 600 с, отличающийся тем, что, с целью повышения точности настройки, перед обработкой в плазме аргона проводят предварительную настройку частоты путем отжига кристаллов в атмосфере водорода при 250 - 450oС, а обработку в плазме аргона проводят в течение времениt = ,где t - время обработки/ с;f - частота резонатора перед окончательной подстройкой, Гц;

Номер патента: 1750407

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, подстройки, приборов, центральной, частоты

1. СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ ПРИБОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий измерение центральной частоты прибора, сравнение ее с заданной, при несовпадении которых осуществляют обработку поверхности прибора в ВЧ-плазме нейтрального газа, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет увеличения точности подстройки центральной частоты прибора, управление величиной подстройки центральной частоты осуществляют путем изменения плотности ВЧ-мощности в плазме, при этом обработку прибора в ВЧ-плазме осуществляют в течение 15 - 20 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при проведении обработки прибора в плазме аргона требуемую плотность ВЧ-мощности в плазме определяют, исходя из...

Номер патента: 1398641

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Белых, Тимашев, Федорец, Якименко

МПК: G03F 7/26

Метки: контактной, маски, подложке, прозрачной

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий нанесение на ее рабочую поверхность слоя фоторезиста, формирования скрытого изображения путем экспонирования фоторезиста актиничным излучением с использованием поглощающего покрытия и проявление скрытого изображения, отличающийся тем, что, с целью улучщения точностных параметров маски, поглощающее покрытие формируют на обратной стороне подложки толщиной не менее четверти длины волны экспонирующего излучения, причем в качестве материала поглощающего покрытия используют медь.

Номер патента: 1762727

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Кислякова, Кондратьев, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ , включающий обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки, нанесение фотоpезиста, фоpмиpование pисунка встpечно-штыpевых пpеобpазователей и отpажательных pешеток и фоpмиpование металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения пpоцента выхода годных pезонатоpов, за счет повышения адгезии фотоpезиста к повеpхности подложки, обpаботку повеpхности пьезоэлектpической подложки пpоводят путем ионно-химического тpавления на глубину 80 - 120 нм, пpи этом используют в качестве газа - тpавителя фpеон CF4, а фотоpезист наносят не более чем чеpез 2 ч после обpаботки повеpхности тpавителем.

Номер патента: 1450671

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Белых, Тимашев, Федорец

МПК: H01L 21/312

Метки: фотолитографии

1. СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение на подложку слоя позитивного фоторезиста, его экспонирование через фотошаблон, обработку в органическом растворителе, проявление, нанесение слоя рабочего материала и удаление слоя фоторезиста с нанесенным материалом, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур за счет получения в слое фоторезиста профиля с отрицательным углом наклона, обработку слоя фоторезиста в растворителе проводят в процессе проявления путем добавления растворителя в проявитель в количестве 1 - 5 об. % , причем в качестве растворителя используют растворитель используемого фоторезиста.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют ацетон.3. Способ по п....

Номер патента: 1228722

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов

МПК: H01L 21/306

Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется какt=

Номер патента: 1828916

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Габбасов, Евченко, Тимашев, Шуваева

МПК: E21B 43/20

Метки: аномально, давлением, месторождения, нефтяного, низким, пластовым, разработки

...охвата пласта. Благодаря проявлению фактора водогазовой репрессии, вязкость оторочки (газ-вода) значительно повышается, что также повышает коэффициент охвата пластэ, Газ при пластовых условиях частич1828916 Ьгз= (0,08 1 10 4+ 1 10 5) 305085,10 э 13=71389,89 м - 71,39 тыс. м По условиям предлагаемой технологии из 71,39 тыс, м необходимого к закачкезфлюида 60 составляет газ, или 42,8 тыс, м в пластовых условиях; 40 осоставляет вода, или 28,59 тыс, м в пластовых условиях. Заэкачиваются природный газ и пластовая минерализованная вода плотностью 1,18 т/м . Обьемы газа (42,8) и воды (28,6) в пластовых условиях переводятся в стандартные условия: Ро Тст, 1 Чг ст,усл. = Ч г пл.усл. Тпл г20 где Ьтж = Рж гж Ьр, Жп-фст Ф ге т, тж - объемы...

Номер патента: 1809370

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Тимашев, Филимонов, Фоминых

МПК: G01N 19/04

Метки: образец, подложкой, покрытия, прочности, сцепления

...обусловленным градиентомтемператур и скоростью частйц в центральной и периферийной области напыления, Впокрытии действуют различные напряжения, зависящие от его величины и толщины.Необходимо учитывать, что при многослойном напылении на поверхность подложки происходит усадка напыленногослоя. С ростом толщины покрытия иэ-за влияния внутренних напряжений, которые возникают в результате усадки напыленного материала, может проиэойтй разрушение контактной зоны и, в конечном счете, отслоение покрытия от подложки.5 При бй1, где б - диаметр отверстия,и - толщина покрытия, покрытие испытывается на чистый отрыв, но напряжение в переходной зоне "покрытие-подложка" увеличиваются, так как зона соприкоснове ния штифта с подложкой по образующейявляется...

Номер патента: 1798486

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Дворецкий, Кагарманов, Минликаев, Тимашев

МПК: E21B 43/00, E21B 43/20

Метки: залежи, разработки, углеводородной

...скважина является и контрольной, 1 ил,сходящим стволом) 4 не перфорированы, в интервале второго пересечения 5 обсадные трубы имеют перфорационные отверстия 6, Движение пластовой жидкости показано стрелками,П р и м е р, Обьект разработки месторождения - терригенные пласты 01 и 01В Н девонских отложений, Толщина пластов по 1,5 м каждый. Толщина непроницаемого прослоя - 1 м, Коллекторские свойства и свойства пластовой нефти одинаковы. Дебит скважины - 10 т/сут. (по 5 т/сут. иэ каждого пласта). Разработку ведут 20. скважинами, пробуренными по треугольной сетке 400 х 400 м, 4 из этих скважинЗаказ 758 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГК 113035, Москва. Ж, Раушская наб 4/5 Производст...

Номер патента: 1770610

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Зотов, Тимашев, Улыбин

МПК: F04D 15/00

Метки: бурового, испытаний, насоса, объемного, ресурсных, типа, форсированных

...вканал нагнетания, нагружают насос пульсацией давления рабочей среды, частоту которой регулируют путем измененияпроводимости регулируемого соп ротивления и изменения частоты вращения валанасоса, и определяют момент наступленияпредельного состояния насоса при полностью выработанном ресурсе, дополнительно регулируют частоту пульсаций давленияпутем уменьшения количества нагнетающих камер с одновременным повышениемчастоты вращения вала насоса до величины,обеспечивающей сохранение предельнойгидравлической мощности насоса, причемуменьшение количества нагнетающих камер осуществляют путем перекрытия каналов нагнетания отключаемых камер, а приповышении частоты вращения вала насосаконтролируют сохранение автомодельностирежима по числу...

Номер патента: 1730442

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Асмоловский, Галлямов, Тимашев, Файзуллин, Шейх-Али, Штангеев

МПК: E21B 47/10

Метки: месторождений, многопластовых, нефтяных, разработки

...рабочее давление нагнетания, после чего скважину используют как нагнетательную.По достижении эксплуатационных скважин закачанными растворами меченных жидкостей на устье последних отбирают пробы добываемых жидкостей, в которых определяют содЕржание закачанных индикаторов, По полученным результатам судят о фильтрационных характеристиках пласта - распределении фильтрационных потоков по его площади и разрезу, скорости перемещения нагнетаемого агента. По формуле (5) определяют долю участия пласта в общем водном дебите скважины.По окончании прохождения через эксплуатационные скважины "вала" индикаторов от предыдущих закачек закачку растворов индикаторов осуществляют в следующий пласт, Таким образом, осуществляют поочередную закачку...

Номер патента: 1728477

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Илясов, Капитанова, Крылов, Сенченко, Строгий, Тимашев

МПК: E21B 43/08

Метки: скважинный, фильтр

...полусферических поверхностей, покрытых тонкозернистым кварцевым песком, позволяет предотвратить процесс кольматации фильтра тонко- зернистым песком и глинистым материалом, и увеличить площадь фильтрующей поверхности. 4 з,п.ф-лы, 5 ил. материала - зернистый наполнитель, выполненный из его фторопласта, полиэтилена. кварцевого песка, или стойкие к воде и углеводородам синтетические ткани 8, например монолавсан, "тефлон" и т,п., или их комбинация.При формировании скважинного фильтра используется оправка 9, вдоль которой перемещается каретка 10, совершающая возвратно-поступательно движение с различным шагом при формировании корпуса 1 и высаженных наружу концов 2, При формировании корпуса 1 в фильтрационные пустоты вводится...

Номер патента: 1708352

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Карапутадзе, Кирш, Лебедева, Николаев, Попков, Смирнов, Терехов, Тимашев, Шифрина

МПК: A61L 15/16, C08F 8/18

Метки: антисептической, пленки, полиолефинов

...в пленке, применяют винилпирролидон. Привитой полимер в толще полиэтилена способен образовывать комплексы с йодом или трийодидом и получающаяся пленка с привитым ПВП и сорбционно связанным йодом может выступать в качестве антисептического реагента. Использование других мономеров из класса И-виниламидов, таких,как М-винил-К-метилацетамид и Гч-винилкапролактам, не приВОдит к ВозникноВению Описанных сВОЙстВ пленки из полиолефина.Процесс прививочной полимеризации ВП в облученной пленке проводят в водном растворе, Концентрация ВП в воде составляет 20 - 80 мас,%. При концентрации ВП в воде меньше 20 мас,0 не получается пленка с высокой антисептической активностью, а при концентрации ВП в воде, больше 80 мас,0 отсутствует прививка ВП к...

Номер патента: 1665153

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Киневский, Тимашев, Хоронько

МПК: F16L 9/12

Метки: труба, фильтровальная

...фильтром для частиц газо- вмещающих пород. Сухие нити 2 образуют множество газопроницаемых щелей, создающих фильтрующий эффект, Зона 3 нитей 2, пропитанных связующим, является мембраной из полимеризованного связующего и обеспечивает дополнительную осевую и радиальную механическую прочность трубы, а в условиях высоконапорной газовой скважины под действием избыточного давления газа в зоне 3 образуется множество трещин, которые также пропускают газ и создают фильтрующий эффект.Формование многослойной стенки трубы осуществляют следующим образом.На вращаемую оправку 4 наматываютпо меньшей мере один слой жгута 1, затемодновременно со жгутом 1 и вдоль него наматывают сухие нити 2 до полного покрытияими поверхности трубы по меньшей мере в 5один...

Номер патента: 1631305

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Попов, Тимашев, Шенфельд

МПК: G01G 7/04

Метки: весы, цифровые, электромагнитные

...и его отклонение Ь Н по флажку 6 равно нулю, Ь Н = О. При этом выходной сигнал с преобразователя некомпенсации 7 также равен О, ЬЧах =О. РмаксЗатем груз 3, равный по весуснимается с площадки 2, а показания индикатора 44 устанавливаются на 0 за счет сброса информации в счетчике 43 путем нажатия кнопки 53 (" Сброс" ), Весы, таким образом, подготовлены к работе.При наложении измеряемого груза 3 весом Рх чувствительный элемент 1 перемещается вверх на+А Н, в том случае, если егоРмаксвес Рх меньше значения 2, или вниз на -ЛН, в том случае, если его вес Рх больше значенияПри этом в преобразователе некомпенсации 7 возникает сигнал ЛЧах, поступающий в усилитель 17 и далее на вход 16 широтно - импульсного регулятора тока 15,который через...

Номер патента: 1613446

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Добров, Карапутадзе, Кирш, Крылова, Луховицкий, Поликарпов, Попков, Тимашев, Шелухина, Шумский

МПК: C08F 126/06, C08F 2/46

Метки: поли-n-винилкапролактама

...в стакане и нагревают до 80 С.Происходит осаждение полимера, послечего горячую воду декантируют, а полимер высушивают в вакуум-сушильномшкаАу. Выход полимера 45 г высокомолекулярного ПВК (90 Х). Ц = 0,85 дл/г,что соответствует М = 840 10ЭП р и м е р 5. В реактор с мешал -кой, поляной рубашкой и термометромвместимостью 2 л помещают 1 кг 110и 167 г ВК. Скорость мешалки задают150 об/мин, Реактор термостатируютпрохладной водой так, чтобы температура раствора поддерживалась в пределах 15-17 С. Интенсивность-облучения 4 рад/с. Время облучения б ч 45 мин(О, 1 Мрад)Конверсия составляет 98 ХЯ полимера 1,2 дл/г. (М= 1,6 х .х 10). но, что вьщелецный полимер имеет М25010 .П р и м е р 8 (контрольный), Процесс полимеризации проводят так же, как...

Номер патента: 1530935

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Кнорринг, Ривилис, Рукина, Тимашев

МПК: G01G 7/04

Метки: весы, электронные

...и через элемент 33 задержки - 25 определения минимального и максимальсо счетным входом этого же счетчика. ного значений производится сравнениеЭлектронные весы работают следую- результата текущего преобразования щим образом. АЦП с минимальным и максимальным реПосле начала взвешивания на выходе зультатами, полученными в течение тедатчика 3 положения появляется анало кущего цикла измерения весов, храняговый сигнал, определяемый смещением щимися в регистрах 19 и 22 соответстподвижной системы 2 относительно поло- венно. Отличие между сравнивающими жения равнонесия, Сигнал с датчика 3 устройствами 17 и 20 состоит только положения преобразуется АЦП 4. С одно- н том, что сравнивающее устройство 17 го из выходов АЦП 4 сигнал поступает выдает...

Номер патента: 1525268

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Бутенко, Тимашев, Толстяк, Шагайденко

МПК: E21B 43/00

Метки: добычи, конденсата, углеводородного

...Вышдющи телИератур) нол(л тнения водНОй фаЗЫ ЭЛЛ,ЧЬСИИ, ВЫЛсржнцак)т Ири ЭТИЛ течиературак элулосик) ло иолноп рдзлелсния Вотнтй и лглеволоролной фаз(.у щнс) сть яреллд гдемс гс сисс оба з(1- кл(очается в точ, что ири ндгревечульсий, стабилизированными неионогенными ПАВ, ло температур на 5 30(. выш, чем течпературд помутнения волной фазы, проиКолит лесорбния л(олекул ПАВ чежфдзв)й по. Верлности Т. е. 11 АВ теряк)т ст;(би.И(ирующие свойства Обработкачульсиипридом щ(трия приводит к снижник течиср;(туры помутнения Волной фзымлл сии, Г(нндя талия н(обло,(и чд,д к к(1 к ри Высоких ТСЧСРД ГУ РД Л 11 ОЛтт ГНСН И 51 ВО.1 НОИ фс(.(Ы Ук(1- зднный иро елечлльгировдния нс может быть ол щсствлен и)-(д интснсивной Восгон1525268 формула изобретения...

Номер патента: 1502577

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Вольфсон, Воробьев, Дрейман, Ениколопов, Лукашова, Пономарев, Попков, Соловьева, Тимашев, Филатова, Шифрина

МПК: C08F 214/26, C08F 8/42

Метки: иммобилизации, металлопорфиринов, полимере

...2 мл приготовленного на воздухе раствора 50 мгГПМпАц формулы (1) в смеси диоксанаи имидазола (соотношение 1:1 мас.ч.)помещают пленку перфторированногополимера весом 50 мг и нагревают взапаяной ампуле при 20 С в течение2 ч. Полученный образец отмывают дистиллированной водой и сушат на воздухе, Содержание ГПМпАц в полученнойпленке 83 (4 мг).П р и м е р 6, В 2 мл приготовленного на воздухе раствора 50 мгТФПСо формулы (1 П) в си морфолина (соотношенипомещают пленку перфторлимера весом 50 мг. Обработкуки осуществляют как в примередержание ТФПСо в полученной пленке5/ (2,5 мг),П р и м е р 7, В 2 мл приготовленного раствора 50 мг ТФПИпАц формулы(соотношение 1:1 мас.ч.) помещаютпленку перфторированного полимеравесом 50 мг,обработку пленки...