Добровичан
Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем
Номер патента: 1471901
Опубликовано: 15.02.1994
Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер
МПК: H01L 21/82
Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...