Патенты с меткой «пробоем»

Номер патента: 1415956

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Рябушкин, Сергеев

МПК: G11C 13/04

Метки: записи, информации, монокристаллическом, низкотемпературным, носителе, полупроводниковом, примесным, пробоем

...интенсивность света, достаточнаядля пробоя. Носитель записи, используемый для реализации предлагаемогоспособа, представляет собой однородную монокристаллическую пленку нлипластину компенсированного полупроводника, легированного мелкими примесями. На йленку (пластину) полупроводника нанесены два омических контакта. Способ записи осуществляютследующим образом. Полупроводник охлаждают до температуры Т, удовлетворяющей условию ТЕ/К где К - постоянная Больцмана воздействуют нанего постоянным электрическим полемс напряженностью Ер ниже темновойнапряженности Е т цизкотемпературногопримесного пробоя и облучают светомс частотой 1 и интенсивностью, соответствующей записываемой информации. Напряженность Ер электрическогополя выбираютисходя из...

Номер патента: 1563506

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: H01L 21/225

Метки: n-переходов, лавинным, пробоем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ p - n-ПЕРЕХОДОВ С ЛАВИННЫМ ПРОБОЕМ, включающий очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины n-типа проводимости, формирование на поверхности пластины боросодержащего источника диффузии, проведение диффузии бора при температуре не ниже 1250oС не менее 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока, используют кремниевую пластину с удельным сопротивлением 0,01 - 1,0 Ом см, очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины проводят кипячением в водяном растворе едкого кали...