H01L 31/11 — характеризуемые наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы

Номер патента: 146411

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Горохов

МПК: H01L 31/11

Метки: инерционных, оценки, свойств, фототриодов

...и частота, при которой выходное напряжение равно 7,01 милливольт, является граничной, т, е. У=Поз).Погрешность в оценке инерционных свойств по предлагаемому спота чувствительности, то; то - постоянные времени, При ( 1оусловие выполняется для всех фототриодов) величина погрешности не превышает погрешности известных способов, а для диффузионных фото- триодов предложенный способ обеспечивает более высокую точность определения частотной характеристики, так как инструментальная по. грешность не превышает 1 - 3%.Предлагаемый способ может быть использован и при наличии постоянной засветки. При изменении уровня засветки изменяется режим это Ьа,собу определяют из равенства = -- гдето, - граничная частооз(г146411по постоянному току...

Номер патента: 148157

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Горохов

МПК: H01L 31/11

Метки: включения, фототриода

...эмиттера включают конденсатор С, препятствующий пготе. канию постоянного тока, а в цепь базы - двухполюсник 2, который имеет малое сопротивление постоянному току и большое сопротивление на час 1 оте сигнала. В такой схеме постоянный ток эмиттера равен нулю и не зависит от уровня светового фона, а шумы обусловлены только составляющей обратного тока коллекторного перехода. Емкость С выбирается такой, чтобы на частоте сигнала ее сопротивлением можно было пренебречь, а сопротивление двухполюсника на частоте сигнала было намного больше, чем дифференциальное нулевое сопротивление эмиттера. В этом случае эмиттер и коллектор будут закорочены по переменному току (если пренебреч сопротивлением У), а база - разомкнута. Чувствительность...

Номер патента: 1753901

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Аверин, Дмитриев, Эленкриг

МПК: H01L 31/11

Метки: фотодетектор

ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенными на ней активным слоем и двумя встречно-штыревыми электрически проводящими электродами, образующими с активным слоем контакты с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал - шум при одновременном упрощении обработки сигнала, контакты с барьером Шоттки выполнены с различной высотой барьера исходя из соотношения:1 - 2 = L2qN / 2 ,где

Номер патента: 1820795

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Аверин, Дмитриев

МПК: H01L 31/11

Метки: фотодетектор

...электрод выполнен в виде омического контакта 5 к активному слою 2 слоистой полупроводниковой структуры 3, Если выбрать величину концентрации основных носителей заряда активного слоя 2 и расстояние между электродами встречно- штыревой системы контактов такими, что поле, обусловленное Шоттки барьерным контактом, распространяется на все расстояние между контактами, то при освещении фоточувствительной области 6 образуется фототок, который может быть подведен к полезной нагрузке, создавая на ней измеряемый электрический сигнал, При этом расстояние между электродами встречно-штыревой системы контактовследует выбирать в соответствии с выражением Формула изобретения ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенным на ней...