Способ изготовления полупроводниковых структур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2,5 
10-8 до 4 10-8, для чего в камеру напылительной установки подают окислительную газовую смесь.
Описание
Цель изобретения - упрощение способа и повышение надежности структур.
На фиг. 1-4 показана структура, на различных этапах изготовления.
Полупроводниковая структура содержит полупроводниковую подложку 1 с активными областями 2, покрытую слоем 3 диэлектрика, в котором выполнены окна 4, слой 5 металла, слой 6 диэлектрика, слой 7 фоторезиста, металлизированные контакты 8, слой 9 диэлектрика, контакты 10 и проводник 11.
П р и м е р 1. Полупроводниковую подложку 1 кремния n-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическому окислению при температуре 1423 К в течение 10800 с. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее диэлектрическое покрытие двуокиси кремния толщиной 0,7 мкм. Через вскрытое фотогравировкой окно 4 в покрытии формируют активные области 2 структур. Вначале получают базовую область термической загонкой бора из борного ангидрида B2O3 с последующей его разгонкой при температуре 1373 К в комбинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода до глубины 1,4 мкм.
Далее формируют эмиттерную область термической диффузией фосфора из хлорокиси фосфора POCl3 при температуре 1273 К в среде азота с добавление кислорода.
К сформированным областям базы, эмиттера, коллектора фотогравировкой открывают контактные окна 4. Затем фоторезист снимают и после отмывки подложки в перекисно-аммиачной смеси осуществляют вакуумное напыление слоя 5 алюминия на установке типа УВН-73П2 с электроннолучевым испарением металла. Перед напылением алюминия держатель с подложкой нагревают до 533 К с целью очистки поверхности подложки, а затем охлаждают подложку до 423 К и напыляют слой алюминия толщиной 1 мкм. Затем снижают температуру подложки до 393 К, напускают в камеру установки кислород до давления 133 Па и охлаждают подложку до 300 К, причем до температуры 353 К и подложку охлаждают со скоростью 0,1 град/с. В результате получают пленку 6 окиси алюминия толщиной 3
10-8 м.Металлизированные контакты 8 формируют фотогравировкой с травлением алюминия в травителе состава H3PO4 : HNO3 : : CH3COOH : H2O = 140: 6: 30: 5, используя маскирующие свойства покрытия-слоя 7 фоторезиста, который в качестве маски оставляют при окислении торцовых поверхностей сформированной разводки. Окисление торцовых поверхностей осуществляют в проточной деионизованной воде марки "А" при температуре от 353 до 363 К в течение 1200 с. В результате образуется пленка 9 Al2O3 толщиной 0,5 мкм.
После этого удаляют слой 7 фоторезиста плазмохимическим травлением на установке типа "Плазма-600Т" в среде кислорода с добавлением 20% азота. Вскрытие контактов 10 на металлизированных площадках производят в процессе присоединения проводников 11 методом термозвуковой сварки,
П р и м е р 2. Структуру формируют так же, как в примере 1, за исключением того, что слой окиси алюминия после напыления слоя алюминия получают напуском в камеру установки кислорода до давления 1,3
103 Па. В результате образуется слой 6 диэлектрика-окиси алюминия толщиной 4 10-6 м. (56) Патент Японии N 54-31874, кл. 99(5)НО, 1979.Патент Японии N 55-100917, кл. 99(5)НО, 1980.
Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структур и упрощения способа, после нанесения слоя алюминия проводят его поверхностное окисление до образования пленки окиси алюминия толщиной от 2.5
10-8 до 4 10-8 м, для чего в камеру напылительной установки подают окислительную газовую смесь. Рисунки
Заявка
3715688/25, 21.03.1984
Гальцев В. П, Глущенко В. Н, Колычев А. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковых, структур
Опубликовано: 28.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1294213-sposob-izgotovleniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полупроводниковых структур</a>
Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах
Номер патента: 1819356
Опубликовано: 30.05.1993
Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых
МПК: H01L 21/302
Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления
...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...
Способ измерения толщины слоев многослойных изделий
Номер патента: 1383195
Опубликовано: 23.03.1988
Автор: Лауринавичюс
МПК: G01N 27/90
Метки: многослойных, слоев, толщины
...слое изделия 2, и возбуждающим преобразователем 3 полем Ь , записывается как тензорное соотношениеЬ=4 Ь, (3)лгде 4, - тензор относительной магнитной проницаемости полупроводникового слоя;Ь - возбуждающее магнитное поле,усредненное по толщине Йслоя;Ь - поле в слое, усредненное потолщине Й. Это соотношение связывает возбуждающее и возбужденные поля через параметры полупроводникового материалаи параметры электромагнитной волны.Если приложено постоянное магнитноеполе, индукция В 1 К 1 Е, где К -,Й = ФМ РО (4)о оУстановлено, что компонентапропорциональна активному сопротивлению, вносимому в преобразователь 3полем стоячих геликонных волн в слое. 10Компонента р представляет собойряд резонансных максимумов, соответствующих...
Способ определения толщины слоев в полупроводниковых слоистых конструкциях и устройство для его осуществления
Номер патента: 1713448
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Габор, Дьердь, Каталин, Мария, Янош
МПК: G01B 7/06
Метки: конструкциях, полупроводниковых, слоев, слоистых, толщины
...спонтанно возникающий между раствором, электролитом 2,и полупроводниковой поверхностью образца 6, - это равновесный потенциал раствора, его величину указывают по отношению ккаломельному электроду 4,Для осуществления измерений необходимо выдержать некоторые условия:а) полупроводник относительно графитового электрода 3 независимо от типа проводимости должен иметь положительноенапряжение для тогочтобы могло осуществляться анодное травление;б) при использовании материалов и-типа полупроводник для того, чтобы процесстравления мог протекать, должен освещаться светом большей или такой же по величинеэнергии, что и запрещенная зона полупроводника, для обеспечения образования необходимых для протекания травлениянеосновных носителей заряда...
Способ измерения толщины слоев многослойных изделий
Номер патента: 619783
Опубликовано: 15.08.1978
Авторы: Брандорф, Ермаков, Кищилов, Урумов
МПК: G01B 7/06
Метки: многослойных, слоев, толщины
...изделия между его слоями размещают электропроводящие межслойные элементы, накладной индуктивный преобразователь располагают на одной из поверхностей изделия, и по величине сигнала этого преобразователя судят о измеряемых толщинах представлено устройстпредлагаемый способ.содержит источник 1а, соединенный черезлинейными проводннными между слоями 4,уктивный преобразова619753 формула изобретения Шк оставитель ехред А.Бог лохина врЕек-.дписноМиннсий ан Редактор Т,Заказ 4491/3ЦНИИПИ е я Тираж 873сударственного комитетапо делам изобретенийМосква, ЖРаушска Л овета открыов ССС 113 4 5 филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 гл 4 я ( над проводником с током р ком мутатор ставят в положение а., измерга: вольтм тром 7 ЭДС преобразователя...
Способ измерения толщины слоев многослойных изделий
Номер патента: 777404
Опубликовано: 07.11.1980
Авторы: Брандорф, Кизилов, Мазинг, Урумов
МПК: G01B 7/06
Метки: многослойных, слоев, толщины
...измерения,Указанная цель достигается тезмежслойцые элементы выполняют тоЗО ми из ферромагнитного материала777404 Формула изобретения ч; оо Составитель А. МатвеевТекред И. Заболотнова Корректор И. Осиновская Редактор Г. Бельская Заказ 1470/1477 Изд.545 Тираж 810 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Тип, Харьк. фил. пред. Патент рые поочередно намагничивают перед измерением и размагничивают по окончании его.На чертеже показано многослойное изделие, разрез, толщину слоев которого измеряют предлагаемым способом.Между слоями 1 многослойного изделия размещены точечные межслойные элементы 2 из ферромагнитного материала. Н.- кладной преобразователь 3 содержит пз...
Предыдущий патент: Упорный подшипниковый узел скольжения
Следующий патент: Резонаторная система многолучевого клистрона
Случайный патент: Вихревой насос открытого типа