Патенты с меткой «полупроводника»

Номер патента: 118881

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Шестаков

МПК: H01C 17/00, H01C 7/00, H01L 21/326 ...

Метки: алюминиевой, материалу, медной, металлической, полистирола, полупроводника, придания, пудры, свойств, смеси

...И ДРУГОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПУДРЫ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКАЗаявлено 8 апреля 1957 г. за М 602075/24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРПредмет изобретения Способ придания материалу из смеси полистирола с 5 - 105, алюминиевой, медной или другой металлической пудры свойств полупроводника, отличающийся тем, что материал подвергают действию переменного электромагнитного поля. В технике применяют способы, позволяющие придавать некоторым материалам свойства полупроводников путем воздействия на них различными внешними факторами.Предлагаемый способ позволяет придавать свойства полупроводника материалу из смеси полистирола с 5 - 105, алюминиевой, меднон или другой металлической пудры.Для этой цели материал подвергают...

Номер патента: 135148

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Стрижков, Федоров

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводника, свч, термисторов, электрических

...определения электрических параметров сверхвысокочастотных термисторов основан на том, что термистор может быть заменен эквивалентной схемой. Параметры схемы измеряются путем определения сопротивления термистора по постоянному току на различных частотах и последующим расчетом. Этот способ упрощает процесс без снижения точности измерений.На фиг. 1 показана эквивалентная схема термистора; на фиг 2 скелетная схема измерительной установки.Эквивалентная схема термистора (фиг. 1) содержит следующие параметры:1, - индуктивность вводов термисторов;С 1 - емкость между вводами термистора;Ро - сопротивление полупроводника термистора на постоянномтоке;С,емкость между частицами вещества полупроводника;Р 2 -- сопротивление между частицами вещества...

Номер патента: 136799

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Вебра, Пожела

МПК: G01R 21/12

Метки: импульсной, мощности, полупроводника, помощью, проходящей, свч

...рокой стенке волно соб измерения импульснои п полупроводника, О т л и ч а ю щ гости измерений, расширения я процесса измерения, монино ом поле сопротивления вале ведения через отверстие в ш чупроводника. Спо мощью ния точ рощени трическ путем в ного по Для измерения больших мощпользуются в основном два спосоческий, Оба они не являются дческий - громоздок.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет увеличить точность измерений, расширяет рабочий диапазон частот и упрощает процесс измерения, Это достигается тем, что мощность измеряют по изменению в электрическом ноле сопротивления валентного полупроводника, например, иглообразной формы, вводимого в волновод через отверстие в его широкой стенке.Сущность способа основана...

Номер патента: 165837

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Гельтищева, Догадкин, Королев, Марков, Туто

МПК: H01L 21/027

Метки: поверхности, полупроводника, рельефов

...не только в полупроводниковой промышленности, но и в других областях техники (полиграфии точной механике и т. д). е- о- Г Предлагаемый фо риал позволяет пол 0,1 лиг) рельеф на по увствительныи матеть глубокий (более 15 хности полупроводниредмет изобретени Способ получения рел полупроводника путем стоящий в нанесении слоя на поверхность по нировании его через тра сунком и последующем отличающийся тем ния глубокого рельефа ствительного кислотоза псльзуют полимерный х чук. их рельефов пригот циклокаучука в бен па поверхность пол фуге (толщина сл 2 й подсушки в те рхность полупрово локаучука, через к пируют рисунок. оир- г дписная группаСпособ фотогравировки на полупроводниках известен. Он заключается в нанесении фоточувствительного...

Номер патента: 236657

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ларионов, Ройзин

МПК: H01L 21/326

Метки: кристалла, легирования, области, полупроводника

...полосОВыс элстроды шириной полосы в пределах 0,1 - 100 к с мироцеодцородцлстыо по краю меньше 0,01 як., З С Г И 3 О 0 Р С Т С И И 5 Способ лсг лУпРОВОДПП 2 О алмаз пмтем Изобретение относится к технологии изготовления полупроводни )хов х приборов.Известные способы изготовления элетродо И ЛСГИРОВЯЦИЯ ИС ПОЗВОЛ 5 ПОТ ПОЛ 51)ИТЬ ПОЛ О- вой электрод в виде прямой приза) с р)Вцо - мерным распределением примесей.Предлагается для легирован)гя полупроводникового матервала перс мещать ряспля.сциый металл под действием тока, а тя 5 с создавать моцокристалличсскис электроды в Ви;е прямой многогранной призхы. Сущное) способа зя)сл)01 яетс 5 В том, )ТО В.01)яв сталлографичсскую ориентацию повсрхост: полупроводника и направление вектора плотности...

Номер патента: 240853

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Волхов, Лукь, Пантуев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводника, примеси, распределения, толщине

...Лг.От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой 1 кггг. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Ь,з 1 по 1 через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда с 1 напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости: Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (У 61 пьг) на контуре представляет собой...

Номер патента: 494707

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Денис, Канцлерис, Мартунас

МПК: G01R 31/26

Метки: коэффициента, нелинейности, полупроводника, электропроводности

...а " -7ности при сть вещест ктропровод соответс вующей среднеСоставители я Лвдохыпловокаятехрел щивлввяоррект Релактор Лебеде З каа д.а(ЛЯ Тираж ОЛ Пол писи сулярствеииого комитета Совета Мииист по лелям изобретений и открытийМосква, Ж1 аукискаи иабл, 45 в СССР 1 ПП Пятеит",Чосква, -59,ережковская иаб., 21 йе превышает +106, а для субмиллиметрового диапазона волн такая аппаратура вообще нв разработана. Цель изобретения - повышение точ 5 ности и упрощение процесса измерений.В соответствии с изобретением, поставленная цель достигается тема что о для определения В фф измеряют изменение постоянного тока, протекающего через образец, при двух, определенным образом подобранных, частотах амплитудной модуляции поступающего в тракт ВЧ- сигнала,...

Номер патента: 522462

Опубликовано: 25.07.1976

Авторы: Бутурлин, Вишнева, Ержанов, Кремлев, Чистяков

МПК: G01N 27/00

Метки: глубины, монокристаллического, полупроводника, слоев

...кипения или близкой к ней)раствор, содержащий 35,1% моль этилендиамина (М Н-СН) - Я,3,7% моль пирокатехинаС , Н( О Н )г) и 61,2% моль воды, (применяетсяпри температуре 100-110 С),В результате рельефного анизотропного трав.ления образца получают наклоненную плоскость9, составляющую угол сг с рабочей поверхностьюобразца и лежащую в кристаллографическойплоскости (111) 6.Подтравливание под край окна в маскирующем слое, расположенном по линии пересечениярабочей поверхности образца с кристаллографической плоскостью (111), отсутствует, На наклоненную плоскость выходят полупроводниковые слои и разделяющие их р - з 2 переходы; их линейныеразмеры (глубины) выглядят на наклоненнойплоскости увеличенными в масштабе, определяемом величиной...

Номер патента: 494063

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Вайткус, Ярашюнас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, фотоэлектрических, характеристик

...содержащее одномодовый твердотельный лазер 1 на стекле с неодимом, лазерный усилитель 2, набор нейтральных светофильтрон 3 для изменения мощности излучения лазераа стеклянную плоскопараллельную пластйну тдля отвода части луча лазера к измерителю 5 мощности излучения, например к фотоэлементу ФЭКК, За пластиной 4 на пути излучения установлен делитель 6 света, например система призма для разделения лазерного луча на два луча. На месте пересечения этих лучей помещен исследуеьияй полупроводниковый образец 7 и измеритель 8 интенсивности дифракциикоторым может служить также фотоэлемейт ФЗКК. Измеритель 5 мощности излучения и измеритель 8 интенсивности дифракции подключены к двухлучевому запоминающему осциллографу С 1-429. Направление лучей...

Номер патента: 616598

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Гольдберг, Царенков

МПК: G01R 31/26

Метки: металла, плавления, полупроводника, температуры, эвтектики

...температуру, при которойвольт-амперная характеристика имеетформу прямой линии,На фиг, 1 изображена кривая, характеризующая ток-напряжение при низкойтемпературе; на фиг.2 - то же, в момент образования омического контакта,т.е. при температуре, соответствующейтемпературе плавления эвтектики.Предлагаемый способ измерения осуществляется следующим образом.На чистую поверхность исследуемогополупроводника , с предварительно иэготовленньи к нему смическим контактом, наносят металл. Структуру616598 тонкими слоями металлов, так как назависимость тока от напряжения структуры металл-полупроводник не влияеттолщина слоя металла,Формула изобретения Источники информации, принятые вовнимание при экспертизе: 1. Захаров А.М. Диаграммы состояния...

Номер патента: 661437

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Рагаускас

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик, электрофизических

...гранях образца находит.применение способ 21.Измерения электрофизических характеристик полупроводниказаключаютсяв том, что полупроводниковый образец помещают в скрещенные магнитное иэлектрическое поля, измеряют их велйчину и регистрируют электрический.сигнал на поверхности полупроводника.Однако, в известном способе из-за воздействия на образец стационарных сил Лоренца в процессе измерения имеет место определенное изменение отношения величины поверхностных электростатических потенциалов во и авэо наа противоположных гранях образца. В результате этого изменяются и скорости поверхностной рекомбийации на этих гранях. Следовательно имеет место зависимость между результатами и режимом измерения, которая приводит к грубым погрешностям....

Номер патента: 646795

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Воробьев, Фомин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводника

...и энергия безызлучательного захвата короткожнвущнх носителей, т. е. вся энер" .гня импульса за вычетом М (Е +1,5 Ю) энергии захвата долгоживущих носителей, выделяемой после импульса(4 Я 9-3-1,5 КТ)1:01 Отсюдал ф-,бкт. (2) Связь между Я и дТ определяется соотношением Я садТ где С- тепло- емкость, а ш - масса той части образца, где выделяется тепловая энергия, Для удобства измерений можно взять образец в виде тонкой плоскопараллельной пластинки н измег 0 рять среднееповышение температурыосвещаемой части пластинки дТТогдаЯ= сеьТ, (3)т,.где е - масса освещаемой части пласг 5 , ,,(плотность,д - толщина пластинки,Я - площадь светового пятна.30 дт д ГьТ(х)сйх "оИзмерив дТ с помощью (3) на"ходят Я , а затем в зависимостиот соотношения между ,...

Номер патента: 317335

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Георгиевская, Мельникова, Пелезнева

МПК: H01L 21/32

Метки: нанесенным, пластину, полупроводника, рисунка, рисунком, совмещения, фотошаблона

...и фиксируют рисунки наэкране преобразователя инфракрасного излучения в видимое,5Совмещение осуществляют следующим обраПластину с рисунком, нанесенным на однусторону, и фоторезистом, нанесенным на дру.10гую сторону, располагают на столике стандартФной кассеты для совмещения рисунком книзуи освещают снизу лампой с вольфрамовойнитью накала, Сверху накладывают фотошаблон.Столик с пластиной подводят к шаблону, но15между пластиной и шаблоном оставляют зазор,позволяющий перемещать шаблон вдоль плас.тины, Изображения рисунков фокусируют наэкране преобразователя с помощью микроскопа МБС - 2. Шаблон перемещают вдоль пластины до тех пор, пока изображения рисунковпластины и фотошаблона на экране преобразователя не совместятся. Затем пластину...

Номер патента: 782510

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Версоцкас, Кальвенас, Михаляк

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхностного, полупроводника, потенциала, электростатического

...термоэдс от постоянного напряжения на емкостном контакте с ес теоретической зависимостью от поверхностного электростатического потенциала полупроводника при фиксированной энергии электромагнитного излучения.Данный способ осуществляют следующим образом.К полупроводниковому образцу с одним металлическим и другим емкостным контактами прикладывают постоянное смещающее напряжение такой малой величины, чтобы существенно не нарушалось термодинамическое равновесие между свободными носителями тока и решеткой полупроводника. Измеряют суммарную емкость образца С, состоящую из емкости области поверхностного пространственного заряда С,-, и емкости диэлектрика Со, под емкостным контактом в зависимости от величины постоянного смещающего напряжения...

Номер патента: 1056315

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Неуймина, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, параметров, полупроводника

...при указанном способе возбуждения направлено навстречу неосновным носителям, образующимся 10 при возбуждении кристалла. В результате основные носители скапливаются в небольшой области вблизи поверхности полупроводника, где Е равно Е,к ,. Поскольку спектр излучения (пик люминесценции) Формируют неосновные носители, то Е мюк "макс+ +АМ, гДе Ем- шиРина запРещенйой эоны на узкозонной поверхности полупроводника Ьмакс - энергия пика краевой люминесценции, т,е. энергия излученного кванта, при кото-ром интенсивность люминесценции имеет максимальное значение, а АЯ некоторая поправка, учитывающая положение уровня Ферми, глубину залегания примеси, через которую идет рекомбинация, а также особенности формирования пика люминесценции...

Номер патента: 1059590

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Баратов, Бекичева, Жулай, Коломиец, Любин, Межов, Пойманов, Шило

МПК: G06K 19/02

Метки: изображений, нанесения, пленки, полупроводника, преобразоват, состава, стеклообразного, фототермопластический, фототермопластического, фоточувствительного

...путем дискретной подачи его в квазизамкнутый испаритель,а подогрев диэлектрической подложкиосуществляют в пределах 60 - 170 фС.На .чертеже изображена принципиальная конструкция фототермопластического преобразователя изображений.Преобразователь состоит из металлизированной подложки 1 с последовательно нанесенными на нее пленкамиточувствительного стеклообразногоп олупроводника 2 и термопластичес- проводника при испарении с цельюкого материала 3. получения фоточувствительных пленок,Фототермопластический преобразова- идентичных по химическому составу стель изображений работает следующим исходным испаряеьым материалом. Этообразом. способствует сохранению высоких свеПреобраэователь заряжается в по 5тотехнических и электрических...

Номер патента: 1081245

Опубликовано: 23.03.1984

Автор: Любалин

МПК: C30B 15/36

Метки: границ, множеством, наклона, полупроводника, слитка

...двух взаимно перпендикулярных направлениях.При этом удается получить полу.:проводниковый материал в виде матрицы с сеткой границ заданного строения,Положительный эффект достигаетсяза счет использования всех воэможностей кристаллографически эквивалентных поверхностей затравок.На фиг. 1 изображена схема относительного расположения затравокдвух типов в исходном монокристалле;на фиг. 2 - схема состыковки затравок в единый блок,Способ осуществляют следующимобразом.Из монокристалла или из разныхмонокристаллов вырезают два типа одинаковых по размерам эатравок 2 и 3 с боковыми гранями(ЬМо) и (Ь%о) соответственно, Состыковывают затравки в единый блок, чередуя, в двух. взаимно перпендикулярных направлениях затравки 2 и 3 с разными боковыми...

Номер патента: 1086999

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Коротков, Маликова, Симашкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: варианты, его, запрещенной, зоне, зоны, локальных, положения, полупроводника, уровней, ширины, энергетических

...кривая , . 35 Фотопроводимости полупроводника; на фиг. 2 - кривые спектральной зависимости фотопроводймости: кривая спектральная зависимость продольной фотопроводимости, кривая 2 - зависи мость амплитуды всплеска Д Э при. Л = . = 0,875 мкм от длины волны предварительного освещения, кривая 3 - зависимость В Э на фиксированной длине волны последующего облученич от дли ны волны предварительного возбуждения.Описываемый способ использует явление вспьшечной релаксации фотопроводимости полупроводника электромг- З 0 нитным излучением в области собстч венного и примесного поглощения (фиг. 1). В основе существования вспьппки фотопроводимости независимо от физических механизмов, ее вызывающих, лежит необходимость создания неравновесного состояния...

Номер патента: 1166023

Опубликовано: 07.07.1985

Авторы: Конин, Приходько

МПК: G01N 22/00, G01R 29/26

Метки: полупроводника, свч, температуры, шумовой

...длины и толщины д исследуемого полупроводника не менее чем в 10 раэ, отличающийс я тем, что, с целью измерения распределения шумовой температуры по нормали к поверхности исследуемого полупроводника, последовательно увеличивают ширину прямоугольной щели до величины Ь+1 = Ь + и дЬ, где и=: 1, 2, 3.дЬ - шаг увеличения ширины, измеряют соответветственно мощности Р и+1 фР +1(к 1 излучаемые через прямоугольные щели исследуемым полупроводником и калиброванным источником шума, а распределение шумовой температуры по нормали к поверхности исследуемого полупроводника определяйт по формуле 1+1+ ь. Р,ь Р ь+) температура шума калиброванного источника шума,1166023 ставитель Р. Кузнецовахред М.Кузьма Сирохма оррек дактор Н. Данкули дписное 748ого...

Номер патента: 1074336

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, параметров, полупроводника

...его фотолюминесценции при возбуждении со стороны широкозонной поверхности,.полупроводник охлаждают от комнатнойтемпературы до сверхнизких температур, при различных температурах Тизмеряют спектры неполяризованной иполяризованной фотолюминесценции,по измеренным спектрам определяютдлины смещения неравновесных носителей , и их спинов, находят коэффициент оптических потерь поформуле6 наснаса внутренний квантовый выход излучения находят по формуле 55 336 2гдеи .- значенияинасна участке низкотемпературного насыщения зависимостей , Т) и, (т)При освещении варизонного полупроводника, например-типа, с широкозонной стороны неполяризованным светом, в нем возбуждаются неориентированные электроны. Эти электроны движутся под действием...

Номер патента: 1095811

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Беломестнов, Зотов

МПК: G06K 9/00

Метки: выделения, изображения, многослойном, основе, полупроводника, преобразователе, признаков

...11 енных Осов ты и НО" 1 ГЕЛНМИ Задд, ПрОСТрднстт.:. с т;г пределение неосновньхнос ,.л=.й заряда Я в ОбъедненнойОбдо, д позер.,Ос.и слоя полупрото,.ИКД в : . ТОМ СЛУЧДЕ ГООтВЕТСТВУЕТРотс" 1 гтСЯ ВЕНО -ДИСКРЕтИЗИРОВаННЫМ ьыб ркд : оптического изобрдже"НтЯ тт:ОТОРЫСОХРННЯЮТСЯ 11 Б СЛУ 1 де т ко Дд это и:.1 обРажение УтбТРдют,После этого проецируют нд тот же СЛОЙ .:10 ТО:тОВОДНИКа МНОГОСЛОЙНОГО преобрдзоьателя еще два вспомогат.Н,тьх о-,тиеских изображения 17. (Ом фиг,2) в одно.; иэ кото- ОЫХ:1.;МЕНЯЮТ НЕСУЩУС ЧДСТОТУ ИЗЛУ тения, а также поворачивают на плоскость поляризации излучения, которым сформировано в помогательное Оптическое изобрдяение 1,.Так как все три иэображения сфор- МИРОВДНт 1 ПРОСтРаНСтВЕННОй МОДУЛЯЦИЕЙ пучков когерентного...

Номер патента: 1341611

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Марукян, Паносян, Хачатрян

МПК: G03G 13/044

Метки: дефектов, поверхности, полупроводника, регистрации, электрографический

...происходит стравливание пленки естественного окислас поверхности полупроводника, Такимобразом, создается контакт полупро:водник - электрот:г, Стравливаниеокисной пленки происходит из=за присутствия н электролите планиковойкислоты. К графитоаым электродам изхарактериографа подают постоянное илипеременное напряжение. Через системуполупроводников фо:"Обумага - электроды проходит ток, При этом плотность тока из дефе;тных областей понерхности полупроводника преньппает плотность тока из бездефектных областей, Время подади апряжения на электроды составляет 30-45 с, НаличиеПОМЕЩЕНИИ 55 электрического поля в этих участках,что снижает потенциальный бурьер награнице раздела полупронодникэлектролит, приводя к локальным увеличениям плотности тока...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Номер патента: 1602291

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Миргородский, Халилов

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, имплантированных, ионов, поверхности, полупроводника

...оптическогои луч:.ния 3, систему зеркал 4,5,6,линзы 7 и 8, позиционно-чувствительньвт д 1 отоприемник 9, интегратор 10,днухкоординатный самописец 11 и исследуемый образец 12,Исследуемые образцы представлялисобой пластины СаЛз толщиной 4=250 мкм,выращенные по методу Чохральского,с имплантированными в них ионами 81 ф .Энергия ионов при имплантации поверхности (100) составляла 80 кэВ. Длинуволны 9 е = 1,06 мкм выбирали такимобразом, чтобы энергия квантов Ь 11, 17 эВ была меньше ширины запрещенной зоны Г СаАз (Е = 1,43 эВ) и со"2 Еответствовала условию - с Ь 1 с Е,3/В качестве источника возбуждающе- л 0 го оптического излучения 1 использовали лазер ОТИна алюмоиттриевомлгранате с длительностью ьсветовых импульсов 10с и частотой4...

Номер патента: 1785052

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арутюнов, Карпов, Силова

МПК: H01L 21/66

Метки: импульсной, обработке, плавления, полупроводника, порога

...удается разделить кристаллическое и жидкое состояние полупроводника на Р -образной зависимости В(1) и тем самым корректно опРеДЕлить моМЕнт начала плавлЕниЯ 1 о. Достоверностьопределения Еа обеспечивается с одной стороны корректностью нахождения момента 1 о. а с другой - возможностью нахождения Ев по приведенному соотношению беэ проведения дополнительных облучений и измерений.Существенным признаком способа является то, что энергию квантов зондирующего света выбирают из условия отрицательной крутизны температурной завйсимости коэффициента отражения полупроводника в твердой фазе. Это необходимо для того, чтобы зависимость В(1) могла иметь 1 Р -образный вид. При импульсном воздействии на полупроводник и его разогреве на смену падению...

Номер патента: 1823034

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, характеристик

...фотоэффекта. Е - малая величина энергии, равная ширине энергетического уровня, соответствующего данному краю поглощения, 1823034,и) 1 Е) = А т) ) Е) Х) р/Мо - частичный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кванта Е атомами 1-того. элемента, входящего в состав полупроводника, А) - атомный вес 1-того элемента, Х) -доля 1-того элемента в полупроводнике (количественный элементный состав), т) (Е) -массовый коэффициент ослабления рентгеновского излучения с энергией кванта Е в1-том элементе полупроводника, р - плотность полупроводника, Мо - молекулярныйвес полупроводника,,и(Е) - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергиейкванта Е полупроводником:д тЕ) = , И (Е) М - число...

Номер патента: 1823035

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводника, физико-химических, характеристик

...квантов и эмиссии возбужденных электронов в вакуум.40 Если монохроматический пучок рентгеновского излучения с интенсивностью А=НОВ м, где Мо - число ежесекундно падающих квантов, а Ьэнергия кванта, падает под углом р к поверхности полупроводни ка, то на глубине 2 от поверхности в слое б 2возникнет Н(2) собственно рентгеновских первичных электронов, 8 еличина Н(2) будет складываться;во-первых иэ рентгеновских фото- и 50 Оже-электронов, возникающих в слое б 2при поглощении в нем падающего рентгеновского излучения. Полная энергия этой группы электронов 9/1(2):м и;55 ф,(4.Р(.е Р(- Ь ч)Х(Ь 4-Х Р;МЧ;) 1% Рдг где р - линейный коэффициент поглощения рентгеновского излучения с энергией кван- тОВ Ь Рл ПОЛУПРОВОДНИКОМ, Р 1 ЧаСтИЧНЫй линейный...

Номер патента: 1028203

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Орешкин, Петров, Селляхова, Сурис, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 21/66

Метки: легирования, полупроводника, профиля

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА компенсирующей примесью, включающий подачу на полупроводник постоянного напряжения и гармонического сигнала, измерение импеденса полупроводника и расчет профиля легирования, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности способа путем расширения пространственной области определения профиля легирования без нарушения целостности образца, величину постоянного напряжения U и амплитуду гармонического сигнала U выбирают в соответствии с условиямиU > ; U <

Номер патента: 1669327

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Асалханов, Домбровский, Иванов

МПК: H01J 29/51

Метки: вакууме, луча, места, падения, поверхности, полупроводника, регистрации, электронного

СПОСОБ РЕГИСТРАЦИИ МЕСТА ПАДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО ЛУЧА НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В ВАКУУМЕ, включающий очистку поверхности полупроводника и облучение ее электронным лучом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регистрации низкоэнергетического электронного луча при упрощении способа, одновременно с облучением поверхности полупроводника электронным лучом дополнительно осуществляют сканирование поверхности сфокусированным световым лучом, при этом регистрацию места падения электронного луча проводят по изменению величины тока электронного луча в момент совпадения места падения электронного и светового лучей.

Номер патента: 1271231

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Попов, Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: бесконтактного, емкости, полупроводника

1. Способ бесконтактного измерения емкости полупроводника, состоящий в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения и освещении его модулированным световым потоком, измерения сигнала конденсаторной фотоЭДС, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, автоматизации и упрощения измерений, сигнал конденсаторной фотоЭДС поддерживают постоянным изменением светового потока по критериюImE = const,где ImE - мнимая часть конденсаторной фотоЭДС, измеряют амплитуду интенсивности модулированного светового потока и рассчитывают емкость полупроводника по математической формуле.2. Устройство для бесконтактного измерения емкости полупроводника,...