Эленкриг
Фотодетектор
Номер патента: 1753901
Опубликовано: 28.02.1994
Авторы: Аверин, Дмитриев, Эленкриг
МПК: H01L 31/11
Метки: фотодетектор
ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенными на ней активным слоем и двумя встречно-штыревыми электрически проводящими электродами, образующими с активным слоем контакты с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал - шум при одновременном упрощении обработки сигнала, контакты с барьером Шоттки выполнены с различной высотой барьера исходя из соотношения:1 - 2 = L2qN / 2 ,где
Способ определения дисперсионных свойств многомодовых световодов (его варианты)
Номер патента: 934280
Опубликовано: 07.06.1982
Авторы: Гуляев, Потапов, Соснин, Трегуб, Эленкриг
МПК: G01M 11/02
Метки: варианты, дисперсионных, его, многомодовых, световодов, свойств
...6, поступает на приемник 7 и регистрируется устройством 8, где измеряется его форма, В данном случае число прохождений гп импульса по световоду всегда нечетное, так как для упрощения реализации способа регистрируется импульс излучения только со стороны выходного конца световода. После этого исследуемый световод 11 на всей длине Е подвергают действию упругой деформации, для чего вставляют в разрез бобины 10 микрометрический винт и с помо934280 20 ринп Вини вмх вх(2) 55 Твхг(1) = Тщью его увеличивают периметр бобины. Тем самым осуществляется натяжение световода на всей длине 1 Световод 11 в натянутом состоянии возбуждают импульсом оптического излучения источника 2 и с помощью устройства 8 измеряют форму импульса Т(1), прошедшего один раз...
Устройство для измерения обратного рассеяния в световодах
Номер патента: 887968
Опубликовано: 07.12.1981
Авторы: Гуляев, Коняев, Потапов, Соснин, Эленкриг
МПК: G01M 11/02
Метки: обратного, рассеяния, световодах
...усилителя 9 фотоприемника блока 7, и регистрирующее устройство 26, например двухкоординатный самописец, первый вход которого канал У) подключен к выходу дифференциальной схемы 24, а второй (канал Х) - к выходу генератора развертки 23. Светоделитель, используемый в устройстве, наряду с конструкцией, показанной на фиг, 1, может имегь любун известную конструкцию. Он может быть выпол-ен, например, в ниде отрезка световода с перетяжкой, в виде отрезков световодовс полупрозрачным зеркалом между ними 3 и т.д.Устройство работает следующим образом.Импульсы электрического напряжения от импульсного генератора 22 запускают блок питания 3 источника 1 излучения, который запитывает полупроводниковый лазер 2 импульсами тока. Возбуждаемое при этом...
Способ контроля пригодности эпитаксиальных пленок для изготовления диодов ганна
Номер патента: 653586
Опубликовано: 25.03.1979
Авторы: Бурлаков, Красильников, Кукушкин, Люзе, Эленкриг
МПК: H01L 21/66
Метки: ганна, диодов, пленок, пригодности, эпитаксиальных
...что средний за пе О риод ганновских колебаний ток через диод (при полях выше порогового):Змакс мин 21 (Г 1+2 а)+эмин Г1 2близок к Эмщ,.Пролетный режим работы диода Ганна реализуется в апериодическом контуре, который характеризуется тем,что его резонансная частота много 2 Обольше пролетной, а нагрузкой является сопротивление, величина которогомного меньше сопротивления образца.Измерительная установка (фиг. 3)состоит из генератора 1 импульсов,последовательно включенного эмиттерного повторителя 2, к эмиттеру которого подключены апериодический контур3 и клемма 4, Одновременно с клеммы4 подается сигнал на вход усилителягоризонтальной развертки осциллографа 5В коллекторную цепь эмиттерного повторителя включена батарея б,эашунтированная...