Патенты с меткой «механоэлектрический»

Номер патента: 949488

Опубликовано: 07.08.1982

Авторы: Анцифиров, Колкер, Рубин, Салаев, Шарко

МПК: G01N 29/00

Метки: механоэлектрический

...ПТ 2 на исходном кристалле ПТ и действие механической нагрузки Р (сжатие), направление тока в канале каждого транзистора относительно кристаллограФнческих направлений показано стрелками;на Фиг.2 - электрическая схема сое-;динения транзисторов, на Фиг.ЗграФический анализ работы устро;,ства.25 Иеханоэлектрический,преобразователь работает следующим образам.В отсутствие механической нагрузки нри равенстве токов стока первого З 0 и второго транзисторов 1 с 1= 1 с выход949488 Формула изобретения 7 ное напряжение механоэлектрическогопреобразователя равноЕсвь где Ес - напряжение питания;Ов - половина напряжения питания.Действие механической нагрузки (сжатие), приложенной параллельно линии тока в канале первого транзистора, приводит к уменьшению...

Номер патента: 1221765

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Кечиев, Меликьян

МПК: H04R 23/00

Метки: механоэлектрический, полупроводниковый

...прямоугольный треугольник 9. К вертикальному катету треугольника 9 силой, развиваемой плоской пружиной 10, прижат цилиндрический выступ 11 плоской пружины 10, Детали 9-11 составляют узел ограничителя силы на сухом трении. Полупроводниковый кристалл 5 закреплен на основании 1 через изолятор 12. Сила прижима между микрошаром и полупроводниковым кристаллом установлена тягой 8, которая приварена к пластине 3 и проходит через соответствующее отверстие в основании преобразователя 1,Преобразователь работает следующим образом.Вырезы б и 7 облегчают перемещение кончика пластины с микрошаром по вертикали при натяжении тяги 8. Жесткость пластины-держателя обеспе. - чивает точную фиксацию микрошара-индентора над выбранной точкой кристалла, Масса...

Номер патента: 1385951

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Ваганов, Случак

МПК: G01L 1/24, H01L 29/84

Метки: датчик, механоэлектрический, микроэлектронный

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллической пластины кремния ориентации { 100 } , жесткое основание, мембрану с двумя жесткими областями в виде островков, отделенных друг от друга и от жесткого основания, ориентированными вдоль направления < 110 > канавками, образующими тонкие гибкие участки, на которых с планарной стороны кристалла расположены тензорезисторы, ориентированные вдоль направления < 110 >, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров, повышения линейности и чувствительности преобразования, мембрана выполнена прямоугольной с двумя узкими щелевыми отверстиями, параллельными друг другу и перпендикулярными направлению канавок, причем щели с двух сторон отделяют...

Номер патента: 1227067

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Кечиев, Меликьян

МПК: G01R 9/04, H01L 29/84

Метки: варианты, его, механоэлектрический, полупроводниковый, стабилизированный

1. Полупроводниковый механоэлектрический стабилизированный преобразователь, содержащий основание, полупроводниковый кристалл и прижатый к нему индентор, образующие тензодиод или тензотранзистор, держатель индентора, узел регулировки силы прижима индентора к кристаллу и усилитель электрического сигнала, отличающийся тем, что, с целью стабилизации чувствительности преобразователя путем регулирования силы прижима между индентором и кристаллом, он снабжен узлом регулирования силы прижима, выполнен в виде прямой, прикрепленной концами к основанию металлической нити, середина которой между точками крепления оттянута зафиксированной к основанию пружиной и соединена второй металлической нитью с держателем индентора, снабженной электронагревателем,...