Красножон

Номер патента: 1739802

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазмохимического, пленок, травления

СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК АЛЮМИНИЯ, включающий размещение подложек со сформированной фоторезистивной маской на заземленном электроде-подложкодержателе и обработку в хлорсодержащей ВЧ-плазме при температуре подложек ниже температуры деструкции фоторезиста, но выше температуры, вычисленной по формулегде Q - расход газа, см3/мин;P - рабочее давление, Па;F - площадь поверхности алюминия, м2;V - скорость травления алюминия, нм/с,отличающийся тем, что, с целью улучшения качества получаемых структур за счет снижения загрязнения этих структур и внутренних поверхностей реактора продуктами полимеризации, перед...

Номер патента: 1410783

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Гогиберидзе, Красножон, Паринов, Хворов

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное формирование на рабочей стороне кремниевой подложки слоев двуокиси кремния, фоторезиста, нитрида кремния и поликремния, плазмохимическое травление этих слоев, формирование областей МДП-транзисторов и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении, перед плазмохимическим травлением на обратной стороне подложки формируют слой двуокиси кремния в виде равномерно распределенных по площади участков толщиной не менее, чем на рабочей стороне подложки.

Номер патента: 1667529

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: G03F 7/26

Метки: маски, формирования, фоторезистивной

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ, включающий нанесение на подложку слоя фоторезиста, его селективное экспонирование, проявление, сушку, обработку в плазме ВЧ-разряда смеси фторсодержащего газа и кислорода и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения плазмостойкости маски, обработку в плазме осуществляют при содержании кислорода в смеси в количестве 20 - 40 об. % , давлении 60 - 100 Па и удельной мощности ВЧ-разряда 0,1 - 0,3 Вт/см2.

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: n-p-n, вч-транзисторных, кремниевых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон, Толстых

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 522641

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Афанасьев, Глущенко, Красножон

МПК: G01F 13/00

Метки: дозирования, жидкости, паров

...устройство для дозйрования емкость 1 и снижению уровня жидкости в диффузанта, содержащее емкость с.жидким .объеме до заданного значения площади подиффузантом, расположенный в ней оград:верхности испарения. Захваченныесзаданничивающийплощадьповерхностииспаре.; 20 ной площади поверхности испарения: ния объем и соединенные с ним каналы длягазом-носителем пары диффузанта поступа-ввода газа-носителя и отвода паров диффу- ют в канал 5. При увеличении расхода газазанта. носителя давление над поверхность оНедостатком.этогоустройстваявляется испарения увеличивается, что уменьшаетнедостаточная точность и стабильность до поверхность. испарения, При уменьшении эирования при колебаниях расхода газа-но- расхода газа-носителя, наоборот,...

Номер патента: 1322929

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/8232

Метки: интегральных, мдп-транзисторов, микросхем

...Фотолитографическим споП р и м е р 1, Кремниевую монокристал- собом формируют поликремниевые здтооры 8. лическую подложку 1 р-типа проводимости После травления поликремния е хромо- КДВ 12 Ом см ориентации (100) окисляют вом трдеителе через слой подзатеорного диопри 1000 Свсредекислородасдобаелени- электрика проводят совместное ионное ем хлористого водорода до толщины пред легироеание областей 9 истока и стокд и верительного окисла кремния 2 - 60 нм, эатворое мышьяком с энергией 130 кэР и методом пиролизадихлорсилана в аммиаке дозой 1000 мкКл/см и фосфором с знерпри давлении 100 Па и температуре 800 С гией 100 кэВ и дозой 7 мкКл/см . Здтем наносят на слой 2 слой 3 нитрида кремния проводят разгонку имплантировднной притолщиной 100...

Номер патента: 683330

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: G01F 13/00

Метки: дозирования, жидкости, паров

...2.Величину конусности, т.е. угол наклонаобразующей усеченного конуса 2 к основанию, подбирают в зависимости от вязкостижидкости, давления насыщенных паров идиапазона изменения расхода газа-носителя.Для заправки устройства жидким реагентом в усеченном конусе 2 имеется зали- .вочная горловина 11,Устройство работает следующим образом. В емкость 1 через заливочную горловину 11 наливают жидкость, напримертетраэтоксисилан СвН 2 о 049 (т.кип, = 168 С700 мм рт,ст.) или другие сложные силаны, вобьеме Ч пч+ Чб, где ч - объем жидкости,испаряемой в течение одного цикла работы;и - число предстоящих циклов; Чб - балластный объем жидкости, в пределах которогопроисходит изменение площади поверхности испарения,Жидкость через горловину 11 заполняет...

Номер патента: 1314881

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон, Чернышов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...130 С в течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ, После проявления рисунка в 0,5(-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 1 О мин проводят травление пленки 3 алюминия в травителе состава НЗРОп; НМОэ: СНэСООН : Н 20 = 140:6:30:5. Затем осуществляют реактивно-ионное травление слоя 2 сополимера поли глицидил мета крилата с этилэкрилатом в кислороде на установке УВПпри давлении 2,6 Па на установке вакуумного напыления УРМЗ,279,040 электронно-лучевым и термическим испарением, одновременно напыляют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.1 ь). Затем полученную структуру обрабатывают в 10-ном растворе КОН до удаления слоев алюминия и...

Номер патента: 1308111

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...и диапазоне 0,41-0,54 нм (Ац .дМО л Г),),или ультрафиолетом сдлиной волны 180-470 нм через фотошаблон, или. на Оптикомеханическом генераторе иэображений с поглощаемой дозой; достаточной для фотохимической диффузии сеРабРз в слой АвхЯе -х Обычно ДО 1 Дж/см,После этого удаляют слой серебра с неэкспонировзнных участков путем Обработки структуры в растворителе сере)ра, удобнее всего в 20-3)%-ном растворе НКО; Проявление экспонированных участков до полного удапения неэкспонированных участков слоя АэхЯеьх проводят путем Формула иэобоетенил СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ЭОТОШАБЛОНА, вкпочающий последовательное нзнесанис на проэрзчнио подлож ку слоя полиимидз неорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГениднОГО стаклоОб)ззного полупроводника,и слОЯ...

Номер патента: 705924

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, структур, транзисторных

...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...

Номер патента: 1236652

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Красножон

МПК: B04B 5/02

Метки: жидкости, отделения, примесей, центрифуга

...изобретения - повышение надежности,На фиг, 1 схематично изображена центрифуга, вертикальный разрез: на фиг, 2 - то же, вмомент окончания процесса центрифугирования на фигЗ,изображена пробирка.Центрйфуга состоит из установленного на валу 1 ротбра 2, В котором вьполнены гнезда 3 для пробирок 4, в каждой из которых размещен поршень с центральным отверстием, состоящий из цилиндрической обечайки 5, сопряженной с Внутренней поверхностьо пробирки, К внутренней поверхности обечайки 5 прикреплен полый усеченный конус б, обращенный меньшим основанием к днищу пробирки, Полый усеченный конус 6 может быть Выполнен из эластичного материала,Центрифуга работает следуощим образом,Пробирки 4 заполняют центрифугируемой жидкостью, вставляют В них...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 774478

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...же режимах процесса селективность травления Я 10 г/Я лучше, чем 12:1. По мере истощения используемого раствора фтористого водорода его концентрация уменьшается до концентрации,соответствующей азеотропному составу,т.е. 38,3 масс. Опри нормальном атмосферном давлении.Использование 38,3-ного растворафтористого водорода в воде, соответствующего азеотропному составу при нормальном атмосферном давлении, при испаренииего в условиях повышенного давления врезервуаре приводит к тому, что, в соответствии со вторым законом Вревского, составнераздельно кипящей смеси при увеличении общего давления изменяется в сторонууменьшения содержания компоненты сменьшей дифференциальной теплотой парообразования, т,е. НГ, и составляет в исходном молекулярном...

Номер патента: 1010994

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, транзисторов

...охранногокольца одинакового типа проводимостис базовой областью, удаление легированного окисла и создание нового слоямаскирующего окисла, фотогравировкуобласти. базы, диййузию базы, удаление %легированного окисла и создание нов,го слоя маскирующего окисла, йотогравировку области эмиттера, диййузию эмиттера, зотогравировку контактов к базе и эмиттеру, создание металлизации, после окисления подложкина нее наносят нитрид кремния, проводят зотогравировку по нитриду кремния, оставляя его на области базы,осуществляют локальное окислениеподложки, удаляют слои нитрида кремния и нижележащего окисла, повторноокисляют поверхность открытого кремния до толщины окисла 0,11-0,17 мкм,проводят дийузию для созДания охранного кольца, затем...

Номер патента: 1827342

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алатерцев, Иванов, Красножон, Шелепанов

МПК: B25B 21/00

Метки: инструмент, ручной

...ее замкну- ный ряд. При этом вхождение в зацепление тости и двупарности ряда, например,зубчатых колес 9 и 8 происходит обяэательравное четырем, т.е. конические зубчатые но, поскольку вся зубчатая коническая кинеколеса 6; 7, 8,.9, Промекуточные зубчатые 25 матическая цепь симметричная, а зубчатые колеса 7 и 9 установлены свободно на еди- колеса 7 и 8 из зацепления не выходили. ной оси 10 и являются паразитными. Кони- Когда двухпоточный зубчатый конический ческое зубчатое колесо 8 является ряд замкнут, оси конических зубчатых ковыходным авеном всей кинематической це- лес не могут изменить своего положения пи и жестко соединено со шпинделем 11, .30 друг относительно друга.имеющим на конце рабочий орган (не пока. Второй этап. Крутящий...

Номер патента: 1050475

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25...

Номер патента: 813860

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Косоплеткин, Красножон, Шарапов

МПК: B04B 5/02

Метки: вязких, жидкостей, лабораторная, фильтрации, центрифуга

...фильтрующая перегородка 5 для отделения легкой фазы. Дно каждой пробирки снабжено клапаном 6 для отвода тяжелого осадка,Центрифуга работает следующим образом.При остановленной цеки заполняют центрифуг Ы, 813860 А 1 что, с целью улучшения качества разделения фаз, в каждой пробирке установлен над предполагаемой свободной поверхностью разделяемой пробы жидкости поршень с центральным отверстием, в котором укреплена фильтрующая перегородка для отделения легкой фазы, при этом поршень установлен с возможностью перемещения под действием центробежной силы,2. Центрифуга по и, 1, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что дно каждой пробирки снабжено клапаном для отвода тяжелого осадка. м на свободную поверхность массы устанавливают пор льтрующей...

Номер патента: 867233

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

...в герметичный резервуар 2, термостатируемый с помощью термостата 3. Через устройство для дозирования малых расходов газов 4 пары фтористого водорода поступают в вакуумпровод 5. Туда же, через устройство для дозирования малых расходов газа 6 поступает в вакуумпровод водород 7. Этот суммарный молекулярный поток 8 поступает в формирователь 9 ионного потока 10. В формирователе 9 под воздействием электромагнитного поля от источника питания 11 создают газовую плазму 12 низкого давления, в которой происходят реакции диссоциации, ионизации и т.п. С помощью электрической составляющей электромагнитного поля из плазмы вытягивают поток положительных ионов 10 продуктов диссоциации фтористого водорода и водорода. Для компенсации накапливающегося...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Грищук, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: быстродействующих, структур, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Номер патента: 1040980

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Бутырин, Дикарев, Красножон

МПК: H01L 21/3065

Метки: диэлектрических, ионно-химического, кремниевых, кремнийсодержащих, пленок, подложках, травления

...перехода парагелия из состояния (1 Я - 8 ) в метастабильное состояние 2 Я (Я ) или 19,82 эВ для перехода в состояние 2 Б (3 Я) -для ортогелия, а также для атомов неона - 10,30 эВ при переходе2 р - 8 о -+ 3 р 1/21Для других инертных газов энергия тушения возбужденных атомов значиЬтельно ниже 1 б эВ и недостаточна для ионизации молекул Фтористого водо". рода.Таким образом, введением во входящии газовый поток, содержащий фтористый водород и водород, неона или гелия обеспечивают увеличенное образование ионов НР" в общем ионном потоке.5 104409В дальнейшем положительные ионы переводят преимущественно в молекулярное состояние путем соэрания объемного отрицательного заряда электронов в пространстве реакционной камере между плазменным разрядом.и...

Номер патента: 1132686

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: бис, мдп, многопороговых

...и определение их токов стока,на затворы обоих транзисторов подаютодинаковое напряжение и одновременноизменяют его до момента равенстватоков стока транзисторов, а годность)1 ЛП БИС определяют путем сравненияполученных значений тока стока инапряжения затвора с номинальнымизначениями, при этом параметры транзисторов тестовой ячейки выбираютиз соотношения:"д 11 П ) ) 0(),где 1 11 - пороговое напряжениепервого и второготранзисторов соответственно;- крутизна первого ивторого транзисторовсоответственно.1 Ь чертеже изображены переходныехарактеристики двух МДП-транзисторов с различной крутизной: с индуцированным каналом (поз.1) и встооенным кзналом (поз,2) д-типа в ркремнии, показанные с учетом технологического разброса пороговогонапряжения...

Номер патента: 1190871

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета, подложек, полупроводниковых, транспортировки

...пазы 9, по шагуи размерам соответствующие пазам втрубках, 0 одной стороны штоки 8 подпружинены пружинами 10, а с другойстороны своими торцевыми поверхностями контактируют с эксцентриками 11,жестко сидящими на поворотной оси 12и имеющими ручку 13. Эксцентрики .11 2 Ои пружины 1 О служат рля фиксации. иосвобождения полупроводниковых подложек 14 и защитных экранов (или другихполупроворниковых подложен) 15.Один из штоков 8 имеет продолжение 25в виде втулки 16, проходящей черезстойку 1, на которой, жестко закреплена планка 17, которая другим своимконцом соединена с нижним подвижнымстержнем 5, илеющил возможность пере мещаться в соосных отверстиях в стой"ках 1.Пазы 6 в неподвижном стержне 4 выполнены так, что при взгляде (наблю"дателя) на...

Номер патента: 1809169

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Иванов, Красножон

МПК: F04C 2/04

Метки: шестеренная

...обеспечивает их достаточную прочность и не допускает увеличенных утечек через зазоры между корпусом 1 и диамеграми вершин зубьев ба шестерен 2 и 3. Выбранные таким образом высоты зубьев 4 и 5 шестерен 2 и 3 определяют необходимый рабочий объем машины и обеспечивают заданную подачу.Приработе машины коэффициент перекрытия определяется расположением на профилях б зубьев 4 и 5 нижних активных точек 7 профилей, которые определяютдлину активной линии зацепления;Как известно, коэффициент перекрытия определяется отношением длины активной линии зацепления да к шагу зацепления РаРа=й гп сова,где в - модуль зубьев.Длина активной линии зацепления, в свою очередь, равна отрезку на линии зацепления АВ, ограниченному верхними активными точками 8...

Номер патента: 1663098

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Бадаев, Бородулина, Койфман, Красножон, Мягков, Телегин, Тен

МПК: E02B 7/06

Метки: грунта, намыва

...пропуска пульпы (фиг, 1). После этого между дополнительными поперечными дамбами 4 вдоль уклона отсыпает отдельные валки 6 (не выше дополнительных поперечных дамб 4), которые выполняют роль искусственной шероховатости и помогают задерживать грунт между дополнительными поперечными дамбами. Из намывного пульпопровода 7 осуществляот подачу пульпы на карту через насадки 8 в направлении, перпендикулярном уклону. Насадки 8 подают пульпу между соседн;,;ми дополнительными поперечными дамбами 4, что обеспечивает загзагообразное движение пульпы,и последовательное изменение ее направления, а также равномерность распределения грунта на карте в поперечном направлении,Грунт распределяется по карте намыва, а осветленная вода фильтруется через поперечную...

Номер патента: 1661278

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Бадаев, Быков, Красножон, Купрысь, Прохоров, Телегин, Халмурадов

МПК: E02D 17/20

Метки: земляных, намыва, сооружений

...с продольнымижелобами, общий вид; на фиг,12 - разрезБ-Б на фиг.11; на фиг.13 - виброкаток, заполненный губчатым материалом, общий ЗОвид; на фиг.14 - разрез В - В на фиг.13,Устройство для осуществления способавключает базовую машину 1 полый виброкаток 2 с вибраторами 3, который посредством полужесткой тяги 4 подвешен на 35базовой машине и связан с концевой частьютрубы пульпопровода 5. Кроме того, виброкаток снабжен водозаборным механизмомс водоотводя щей системой.Водозаборный механизм может включать, например, грунтозацепы 6 в виде внутреннего конического патрубка сводопропускным каналом 7, а водоотводящая система может состоять из конфузорно-диффузорного раструба 8, ребер 9, 45выступающих на краевых участках катка, игрунтозацепов 10 в...