Патенты с меткой «транзисторных»

Номер патента: 122940

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Бедров, Беляев, Носиков, Павлов

МПК: G06F 7/50

Метки: двухтактный, действия, параллельного, сумматор, транзисторных, феррит, элнментах

...частичного перенося. Сложение чисел производится за двз тяктя: в первом такте производится частичный перенос на оди; разряд непосредственно после сложения, во втором такте производится сквозной перенос.При умножении чисел сквозной перенос производится после всех сложений, что существенно сокращает время выполнения операции.Принцип работы сумматора показан на чертеже, В нижние кольца ячеек тактового переноса А поступают единицы переноса с триггеров Б, Эти импульсы записываются верхними кольцами вентилей В.При подаче на вентил 11 списывя 1 О 1 нсго тактового 11 п 1 лься сигнал переноса с выхода вентиля поступает в следующий разряд. На этом операция частичного переноса заканчивается, и в сумматор снова подается следующий код числа, и все...

Номер патента: 297011

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Земл, Макальский, Риссе, Яроменок

МПК: G01T 7/00

Метки: анализатор, времеиных, схем, транзисторных, характеристик, цифровой

...15,0 мксек и т. д. 5 10 15 20 2 б 30 35 40 45 50 55 4Анализируемые тест-импульсы с выхода испытываемой схемы 32 через эмиттерный повторитель 88 и инвертор 39 подаются на первый вход схемы вычитания 40. На второй вход схемы вычитания через эмиттерный повторитель 41 и усилитель 42 подаются запрещающие импульсы.Сигналы вырезок, получаемые на выходах схемы вычитания 40, анализируются системой амплитудных дискриминаторов 43 - 45, порог и срабатывания которых соответственно равны 0,1; 0,5 и 0,9 от максимальной амплитуды анализируемого импульса.Срабатывание дискриминаторов вызывает переброс триггеров 46 - 48.11 ри заполнении счетчика 22 восемью импульсами на его выходе появляется управляющий сигнал, который регистрируется счетчиком 14,...

Номер патента: 306598

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Видениекс, Иевннь, Крумин

МПК: H05K 13/04

Метки: выводы, маломощных, преимущественно, транзисторных, триодов

...выводами предлагаемой конструкции; на фиг. 2 - впаянный в печатную плату твердый вывод транзисторного триода в разрезе.Твердые выводы 1 маломощного транзисторного триода 2 изогнуты в виде незамкнутой петли 3, конец 4 которой отогнут под прямым углом в направлении от продольной оси петли.Монтируются выводы следующим ооразом.Благодаря нижней округленной части петли вывода транзисторного триода выводы плавно вставляют в отверстия 6 печатной платы 6. При этом отогнутые концы 4 выводов ориентируют триод и служат упором при закреплении выводов в печатной плате 6. Петля вывода несколько шире отверстия в печатной плате, благодаря чему выводы упруго ус танавливаются в печатной плате и не выпадают в процессе монтажа.Нижняя часть петли вывода...

Номер патента: 330552

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Портнов, Портнова

МПК: H03K 23/76

Метки: двоичный, импульсов, код, транзисторных, феррит, числа, ячейках

...13 достигается полное подавление сигнала помехи в базовой цепи транзистора,По мере зарядки конденсатора начинает протекать ток по обмотке 10 трансформатора 6 блока 2, а по меое зарядки конденсатора направление намагниченности трансформатора 6 блока 2 изменяется. Транзистор блока остается запертым, выходной сигнал блоком 2 це формируется. После завершения пересцагничивацпя сердечника трансформатора 6 блока 1 конденсатор 17 разряжается через резистор 20 и обмотку 10, обеспечивая плавное уменьшение тока перемагничивания сердечника трансформатора 6 блока 2 в состояние 1.При поступлении следующего импульса от блока 1 ток зарядки конденсатора в обмотке 7 трансформатора б блока 2 вызывает перемагничивание сердечника в состояние О. В...

Номер патента: 354510

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Гильман, Гришко, Муратов

МПК: H02H 9/06

Метки: защиты, линейных, транзисторных

...усилителей дальней связи откратковременных импульсных перенапряжений, содержащие два нелинейных элемента,выполненных, например, в виде последовательно и встречно включенных стабилитронов 10и .подключенных соответственно к концамстанционной обмотки линейного трансформатора, вносят дополнительные нелинейные искажения в тракт аппаратуры связи вследствие наличия значительной проходной емкости 15стабилитронов,фильтра нижних частот и кремниевые стабилитроны б и 6.Устройство работает следующим образом.При отсутствии импульсов кратковременных перенапряжений со стороны линии связи благодаря наличию фильтра нижних частот, включенного в разрез цепочки стабилитронов, токи рабочего спектра частот системы связи, например в диапазоне частот 60...

Номер патента: 434341

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Выгловский, Горохов, Изобретеии, Хррошков

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: восстановления, проверки, структур, транзисторных

...точ теля, а один из полюсов этого соединен с источником напрян прямитель.На чертеже схематично из лагаемое устройство,Оно включает в себя характериограф 1,группу зондов 2, 3, 4, источник переменного напряжения 5, диод 6, тслефонныш ролпковып ключбез фиксации ролика и контактный О стол 8.Устройство работает следующим образом.Пластину 9, имеющую многоэмпттерныеструктуры, состоящие из гг параллельно соединенных менгду сооои ячеек, каждая из кото рых содержит р - гг-переход и последовательновключенное в цепь эмиттера балластное сопротпвлеьп 1, помещают на стол 8 и подводят зонды так, ч;обы зонд 2 располагался на базовой контактной плогцадке, а зонды 3 и 4 - 30 на эмиттсрных.434341 тавнтель 3. ЧелноковаТекред Н. Куклина едактор рлова...

Номер патента: 521802

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/473

Метки: базы, изготовлении, источника, селективного, структур, транзисторных, формирования

...областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легируюший и экранируюший слои имели бы одинаковые размеры, а ширина маскирующего слоя была бы меньше; их нв двойную ширину эмиттера, формируют с помощью травктеля, растворяющего маскирующий и легируюший спои со скоростью большей, чем экрвнируюший. Концентрированная фтористоводородная кислотаЛедянв уксусная кислотаОднопроцентный растворщавелевой кислоты Концентрированная ортофосфорнвя кислотаКонцентрированная фтористоводородная кислота с помощью травителя, растворяющего маокирующий и легируюший слой со скоростьюбольшей, чем экранируюший слой. 1 равление. производят травителем К, включаюшим О-травитель, в состав которого входит, об, ч:5Концентрированная...

Номер патента: 526221

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Банюлис, Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/00

Метки: структур, транзисторных

...пластины сструктурой для создания эмиттерв и контакта базы.Нв поверхности кремниевой пластины1 методом объемной фотолитографии формируют структуру 2 из неоднород;ого 4 Опримесного стекла, содержащего легируюший слой 3 с базовыми примесями, например боросиликатное стекло, нанесенное центрифугированием из легирующихкомпозиций, слой 4, экрвнируюший про- ,4тив окислительной,атмосферы при термическом окислении, например влюмосиликатное стекло, нанесенное реактивнымраспылением, и маскирующий слой 5, например слой двуокиси кремния, нанесенный высокочастотным распылением. Приформировании структуры всегда образуется клин 6 травления, который обусловливается изотропным травлением и зависитот соотношений скоростей травления слоев, 65от...

Номер патента: 653647

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/02

Метки: базы, изготовлении, источника, структур, транзисторных, формирования

...второго регулирующего слоя. На подготовленную таким образом пластину наносят слой фоторезистора 6, формируют защитный рельеф требуемого рисунка, после чего травят второй маскирующий слой 5, например молибден, в травителе, состоящем из 14 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты, 7 об. ч. ледяной уксусной кислоты и 1 об. ч. деионизованной воды. Маскирующий слой 4 и экранируюший слой 3 травят примерно с одинаковыми скоростями до легируюшего слоя, например в О-травителе, состоящем из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты, 3 об.ч, ледяной уксусной кислоты и 25 об. ч 1%-ного водного раствора щавелевой кислоты. Получают структуру, показанную на фиг. 4. В дальнейшем поперечным травлением доводят размеры регулирующего...

Номер патента: 750401

Опубликовано: 23.07.1980

Автор: Петухов

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: испытания, матриц, транзисторных

..."О", а триггер второго разряда - в состояние "1".В результате на выходе 10 формируется задний фронт испытательного импульса, а на выходе 11 - передний 40 фронт следующего испытательного импульса.Длительность сформированного навыходе 10 импульса равна Т Аналогично формируются импульсы на выходах 11-15,с которых эти импульсы по отдельным каналам поступают на соответствующие этим выходам матрицыеПо окончании Формирования на выходах 10-15 распределителя импульсов ,длительностью Твсе разряды устанавливаются в состояние "0", срабатывает многовходовая схема совпадения 21, и сигнал через интегрирующую цепь 22 поступает на вход генератора одиночных импульсов 23. Этот генератор формирует одиночный сигналв момент времени "2 Т", по...

Номер патента: 769738

Опубликовано: 07.10.1980

Автор: Котельников

МПК: H03K 17/60

Метки: ключей, компенсации, остаточных, параметров, транзисторных

...компенсации транзисторных ключей произведено на эквивалентной схеме транзисторного ключа, показанной на фиг. 2,При подсоединении источника напряжения с резистором 8 нагрузки или генератора тока к электроду 2 транзистора так, чтобы ток нагрузки протекал через переход эмиттер-коллектор или коллектор-эмиттер в направлении от управляемого электрода 4 к электроду 2, между электродами 2 и 4 получаем эквивалентное остаточное напря жснис 4 для схемы включения с общимэ. иттером 1., (э) =1. (э)+1, (э) - 1(1)51где 1 б(э) = - с,и и р, - тепловой посциал транзистора;я, - коэффициент передачи гока эмит- О т;ра транзистора;=гА и 1 б(э)1 б где Уб - ток управления базы.15 Соответственно для схемы включения с общим коллектором имеем 1 э(к) 1 0(к) +1 б(к)...

Номер патента: 859228

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Онишенко

МПК: B60S 5/00

Метки: автомобильных, генераторов, прибор, проверки, регуляторов, транзисторных

...16 включена индикаторная лампа 19, а между выходом регулятора 16 и общей шиной включена индикаторная лампа 20, Вольтметр 21 подключен к делителю 22 напряжения дополнительного стабилизатора напряжения, включенного перед компенсационным стабилизатором, состоящего из стабилитрона 23, резисторов 24, 25 и делителя 22 напряжения, Параллельно входу выпрямителя 5 включен конденсатор 26. На выходе компенсационного стабилизатора напряжения установлен резистор 27. Резистором 13 изменяется напряжение на выходе компенсационного выпрямителя в пределах от 12 до 16 В, резистор 15 служит для ограничения тока до 5 А на выходе компенсационного стабилизатора при случайных коротких замыканиях. Для удобства чтения показаний вольтметра его шкала...

Номер патента: 1008677

Опубликовано: 30.03.1983

Автор: Котровский

МПК: G01R 31/26

Метки: навесных, настройки, преимущественно, спусковых, транзисторных, узлов, функциональных, элементах

...разбросатранзисторов по параметру р 1 Е наминимально допустимую амплитуду запуска.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ настройки спусковыхсхем,по которому функциональные узлы,15.( ФУ) проверяются при мини,альном значении напряжения источника питания(Ер мив);максимальном значении напряженияисточника смещения (Е мк ) сначалапри температуре воздуха 15 - 25 С, азатем при понижении или повышениитемпературы ФУ до значении, при которых ФУ еще должен работать в соответствии с требованиями техническихусловий на этот тип ФУ (2 1. 25Недостаток данного способа заключается в том, что он не позволяетоценивать влияние технологическогоразброса параметров навесных транзисторов на работающих ФУ,30Цель изобретения - повышение качества и...

Номер патента: 1026090

Опубликовано: 30.06.1983

Автор: Фефелов

МПК: G01R 31/28, H02P 9/30

Метки: регуляторов, транзисторных

...питания через контакты двух реле, управляемых кнопками. Между положительными клеммами выпрямителя и прибора включен амперметр 3 .Такое устройство для контроля регуляторов напряжения характеризуется недостаточной точностью измерения напряжения настройки регуляторов по причине несоответствия режима контро.- ля реальному режиму работы с генератором, неудобством и неточностью отсчета показаний вольтметра в момент перключения светодиодов, а также сложностью схемы.Цель изобретения - повышение качества контроля и упрощение эксплуатации.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для контроля тран.зисторных регуляторов напряжения, содержащее источник питания постоянного тока, плюсовсй вывод которого соединен с выходной клеммой ПЛЮС,...

Номер патента: 1601593

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Вахрин, Ивушкин, Колосов, Лоссовский

МПК: G01R 31/30

Метки: амплитудной, модуляцией, мощности, несущей, передатчиков, полосы, прогнозирования, связных, сигнала, состояния, технического, транзисторных, усилителей, частот, частоты, ширине

...представлена структурная схема устройства, реализующегоспособ, 15Устройство содержит входную клемму 1, ответвитель 2, анализатор 3спектра и эквивалент 4 антенны. Начертеже также показан объект 5 контроля (передатчик).20Способ осуществляют следующим обазом,Переводят передатчик в режим отсутствия модуляции сигнала на выходеН измеряют ширину полосы частот сигНала несущей частоты по показанияманализатора 3 спектра. Далее провоят сравнение полученного значенияо паспортным значением данного параМетра, указанным на контролируемый 30передатчик, и по отношению измене -Ния ширины полосы частот сигнала несущей частоты к ее предельному знаЧению определяют остаточный ресурс.Уширение полосы частот сигналан 1 есущей (СН) с наработкой...

Номер патента: 795311

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дыбовская, Косенко

МПК: H01L 21/02

Метки: структур, транзисторных

...подложку легируют примесью до удельного сопротивления, по крайней мере, в 10 раз меньше сопротивления базовой области, а ограниттера и облаающий эпиющийся хода годйых насыщения дложку леги- сопротивлераз меньше ти, а формизовой облаей стадии труктуры от. и сформированной сильнолегированной областью эмиттера 8 и ограниченной Областью 7, На фиг. 4 изображена сформированная транзисторная структура с изготовленной змиперной 9 и базовой 10 металлизацией и оттравленными канавками 11, ограничивающими базовую область 2.В качестве конкретного примера исполнения приведена технология изготовления мощного кремниевого транзистора типа КТ 805,Исходным материалом является кремний электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 0;01...

Номер патента: 1373231

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дудиков, Сосницкий

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...среде с расходами газовых потоков: фосфор н качест73231 3 13ве раэбавителя - 290 л/ч, кислород "50 л/ч, азот и качестие носителя15 л/ч с температурой поддержаниядиффуэанта 18 С,Одновременно с диффузионной загонкой фосфора и эмиттер осуществляютдиффузию фосфора в окисел и образование ФСС как над первичным и базовым окислом, так и над эмиттернойобластью толщиной 0,12-0,18 мкм. Затем наносят маскирующее покрытие,например фоторезист ФП 388 толщинойй 0,6 мкм, и через фотошаблон с использованием проекционной печати осуществляют фотокопию с топологическимрисунком, позволяющим удалить проявителем (0,6 Е КОН) фоторезист с высоколегированных областей эмиттера и сприлегающих к ним участков шириной0,18-1,2 мкм.Удаление высоколегированного...

Номер патента: 1499602

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Исаев, Кастрюлев, Шамардин

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...к еще более нежелательномупрофилю легированця, а следовательно, к уменьшению эффективности эмггтера в объеме полупроводника посравнению с поверхностью и снижегзигоусилительных свойств транзисторов.В конкретном примере козгичествопримеси в подложке регулируется дозой и энергией ионов. Так, при использовании барьерного слоя Бз.О толщи 2ной 0,27 мкм для внедрения в подложку 16 примеси используется ионныйпучок с энергией "66,5 кэВ, а длявцедрегня 50 . примеси энергия пучкасоставляет .- 86,3 кэВ.Пример конкретного исполнеггия способа,Па полупроводниковой подложкекремния и-типа проводимости с удельным сопротивлеггем р = 0,3 Ом смц с ориентацией поверхности вдолькрзсталчографгческих осей плоскости(100) Формируют барьерцьд слой двуокиси...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Грищук, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: быстродействующих, структур, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Номер патента: 867224

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...

Номер патента: 766416

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Борзаков, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, свч, структур, транзисторных

...слоя, непревышающая 0,35 мкм, выбрана исходя изсоображений эффекта торможения этогослоя для ионов бора с ускоряющим напряжением150 кВ. Именно при больших тол 7 бб 416щинах ионы бора полностью тормозятся диэлектрической пленкой и достигают поверхности кремния.Способ характеризуется совокупностью и последовательностью операций.представленной на фиг,1-6,На фиг.1 показана кремниевая подложка 1 и-типа с созданным на ее поверхностислоем окисла кремния 2, вытравленным внем окном 3 и вновь созданным в окне наповерхности кремния тонким (толщиной несвыше 0,35 мкм) термическим выращеннымслоем окисла кремния 4,На фиг,2 представлена структура послеионного внедрения в тонкий диэлектрический слой 4 акцепторной примеси (бора) 5из...

Номер патента: 766423

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Бреус, Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, транзисторных

...источник диффузионного легирования, Поверхностное сопротивлениедиффузионного слоя составляет 50-70 -,ОмВо время второй стадии диффузии при1150 С в течение 120 мин ведения процессав комбинированной среде сухого и увлажненного кислорода диффузионную базовуюобласть 4 разгоняют до глубины 3 мк с поверхностным сопротивлением 150, ВОмпроцессе диффузии в окислительной средевырастает маскирующий слой 5,Толщина пленки должна быть достаточной для маскирования полупроводниковойподложки 1 от всех последующих воздействий имплантацией ионами бора или термической эмиттерной диффузии. Полученная 3величина 0,5 мк (и не менее) отвечает необходимым требованиям. Далее фотолитографией в маскирующем слое 5 вскрываютокно 6, через которое формируют...

Номер патента: 705924

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/02

Метки: мощных, структур, транзисторных

...теле, например, и-типа проводимости, - подложке 1, создают маскирующее покрытие 2. затем через окно 3, вскрытое в этом покрытии, формируют диффузионную контактную область 4 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки,В процессе диффузии на поверхности окна выращивают или осаждают закрытое покрытие 5. Далее, фотогравировкой открывают окно 6. имеющее перекрытие 7 с окном 3. Через окно 6 последовательно с помощью диффузии формируют основную базовую область 8 и эмиттерную 9. Затем создают (возмокно - в процессе дифФузии) изолирующее покрытие 10, Далее вскрывают контактные окна 11 и 12 и проводят диффузию подлегирования с образованием области 13 в контактной области 4 с последующим созданием контактной...

Номер патента: 1369592

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР по авт. св. N 1192542, отличающийся тем, что, с целью увеличения критического тока коллектора, после формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окно под контактную базовую область, которую формируют одновременно с высоколегированной базовой областью на глубину менее глубины залегания низколегированной базовой области, после чего покрывают маскирующим слоем окно под контактную базовую область и формируют эмиттерную область на глубину менее глубины залегания контактной базовой области на величину, не превышающую диффузионной длины неосновных носителей тока, инжектируемых из эмиттера в базовую область, при этом контактная базовая область выходит в...

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Лазина, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур, транзисторных

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Данцев, Комаров, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Номер патента: 745298

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Басов, Гладков, Конкин, Любимов, Манжа

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий создание коллектора, базы, маскирование поверхности структуры пленкой диэлектрика, вытравливание в диэлектрике эмиттерного окна, осаждение легированной пленки кремния, вытравливание из этой пленки мезы внахлест маскирующей эмиттерное окно, формирование эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и плотности тока эмиттера на высоких частотах, после маскирования поверхности структуры пленкой диэлектрика на него наносят поликристаллический кремний толщиной 0,1 - 0,2 мкм, а в процессе осаждения легированной пленки кремния получают одновременно монокристаллический, поликристаллический кремний и эми

Номер патента: 745297

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Кокин, Лукасевич, Любушкин, Манжа, Назаров, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур, транзисторных

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.