H01L 29/24 — содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в

Номер патента: 1367069

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Бураченко, Некрасов

МПК: H01L 29/24

Метки: бистабильных, записи, информации, основе, переключателей

...где Бо - пороговое напряжение бистабильного переключателя. По сигналу "Пуск" источник5 сигнала по первому выходу вырабатывает положительный уровень напряжения, обеспечивающий заданное падениенапряжения на коллекторе элемента 8.В результате происходит запираниеколлекторного перехода и через формирователь 17 протекает ток заданнойвеличины, По второму выходу источника 5 срабатывает элемент 4 задержкии осуществляет задержку1 до короткоимпульсного сигнала (фиг,2) включениягенератора 3 относительно переднего55фронта сигнала источника 5 на время,соответствующее времени запиранияколлекторного перехода элемента 8,При включении бистабильного переключателя 6 в проводящее состояние короткоимпульсным сигналом от генератора 3 через диод 11 и...

Номер патента: 1544120

Опубликовано: 15.02.1994

Автор: Ваганов

МПК: G01L 1/22, H01L 29/24

Метки: датчик, микроэлектронный

1. МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК, содержащий выполненный из монокристаллического кремния кристалл чувствительного элемента с интегральной схемой, соединенный по периметру в периферийной области с первой поверхностью промежуточного элемента, выполненного из того же материала, с центральным отверстием и корпус, соединенный с второй поверхностью промежуточного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и уменьшения температурной погрешности, датчик дополнительно снабжен по крайней мере еще одним промежуточным элементом, при этом каждый из промежуточных элементов выполнен в виде двух кремниевых кристаллов, соединенных между собой поверхностями в центральной области, а корпус соединен с второй поверхностью последнего...