Способ изготовления p n-переходов с лавинным пробоем
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ p - n-ПЕРЕХОДОВ С ЛАВИННЫМ ПРОБОЕМ, включающий очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины n-типа проводимости, формирование на поверхности пластины боросодержащего источника диффузии, проведение диффузии бора при температуре не ниже 1250oС не менее 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока, используют кремниевую пластину с удельным сопротивлением 0,01 - 1,0 Ом 
см, очистку шлифованной поверхности кремниевой пластины проводят кипячением в водяном растворе едкого кали с концентрацией 10 - 30 мас. % не менее 1 мин, а источник диффузии формируют в виде пленки полиэфиркарборанадипината с содержанием бора не менее 3 мас. % .
Описание
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p-n-переходов, работающих в области лавинного пробоя.
Целью изобретения является повышение быстродействия включения p-n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока.
П р и м е р. Кремниевые пластины n-типа с удельным сопротивлением 0,09-0,10 Ом см (разброс
5% ) толщиной 370 мкм после шлифовки микропорошком М7 травят в 10% -ном водном растворе кипящей КОН в течение 1 мин, промывают и проводят визуальный контроль. На пластины, не содержащие рисок и царапин, наносят на центрифуге боросодержащий полимерный источник - 30% -ный раствор полиэфиркарбонадипината в толуоле. Далее проводят деструкцию полимера в течение 40 мин при 450оС и диффузию бора в открытой трубе в течение 60 ч при 1260оС. При этом величина залегания p-n-перехода составляет 105 мкм, а поверхностная концентрация бора не менее 1020см-3. Из обработанных таким образом кремниевых пластин изготавливают диоды с площадью p-n-перехода 0,6 см2, которые имеют пробивное напряжение 76-80 B. Время задержки срабатывания у всех изготовленных диодов составляет менее 1 нс. Предельно допустимая энергия в единичном импульсе определена путем пропускания прямоугольных импульсов обратного тока длительностью 200 мкс. Деструктивный пробой наступает при импульсной мощности 40 кВт/см2, что соответствует энергии 8 Дж/см2 для прямоугольного импульса и эквивалентно 11,2 Дж/см2 для синусоидального импульса. Использование данного способа обеспечивает повышение величины допустимой энергии в единично импульсе обратного тока в 3-5 раз по сравнению с диодами, полученными способом-прототипом в том же режиме испытаний, а также повышение быстродействия за счет снижения времени задержки пробоя до величины менее 1 нс, что на несколько порядков меньше, чем при микроплазменном пробое, реализованном в способе-прототипе. (56) Волле В. М. и др. Силовые диффузионные кремниевые вентили с контролируемым лавинообразованием типа ВКДЛ. Электричество, 1966, N 7. с. 56-59.Евсеев Ю. А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. М. : Энергия, 1978, с. 158-159.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления кремниевых p - n-переходов, работающих в области лавинного пробоя. Цель изобретения - повышение быстродействия включения p - n-перехода за счет уменьшения времени задержки лавинного пробоя и повышения величины допустимой энергии в единичном импульсе обратного тока. Шлифованную поверхность кремниевой пластины n-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,01 - 1,0 Ом см очищают кипячением в водном растворе едкого кали с концентрацией 10 - 30 мас. % не менее 1 мин, затем формируют на поверхности пластины источник диффузии в виде пленки полиэфиркарборанадипината с содержанием бора не менее 3 мас. % и проводят диффузию бора при температуре не ниже 1250С не менее 20 ч.
Заявка
4357619/25, 06.01.1988
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Гук Е. Н, Зубрилов А. С, Котин О. А, Шуман В. Б
МПК / Метки
МПК: H01L 21/225
Метки: n-переходов, лавинным, пробоем
Опубликовано: 15.03.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1563506-sposob-izgotovleniya-p-n-perekhodov-s-lavinnym-proboem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления p n-переходов с лавинным пробоем</a>
Способ заряда емкостных накопителей энергии постоянным по величине током
Номер патента: 245226
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Фреймам
МПК: B23K 11/26, H02J 7/00
Метки: величине, емкостных, заряда, накопителей, постоянным, током, энергии
...фиг, 3 - 5) и тока 1, 1 - значение тока, при котором ключ К размьпсается.Чтобы заряд емкости Ср (см, фиг, 1) протекал при постоянной величине тока (что соответствует равномерному потреблению мощности от сети и минимальному времени заряда при и аксим альном использовании силовых элементов по току), мояно менять сопротивление Л по законурФ- тс где Е, - э.д,с. источника;1 - предельно допустимый ток, потребляемый от сети;С - емкость;- время.Заряд надо прекратить, когда напряяение конденсатора достигнет величины Ьс = Е - 11 с (иначе невозможно поддерживать постоянной потребляемую мощность). Можно также осуществить этот же режим при Я"=О и изменении Е чо закону Приблинсенное выполнение закона 1 = сопз 1 обеспечивают, используя ключ в цепи...
Система формирования мощных импульсов энергии
Номер патента: 598526
Опубликовано: 30.11.1980
Авторы: Борисов, Спевакова, Столов
МПК: H05H 7/00
Метки: импульсов, мощных, формирования, энергии
...из последо" вательно соединенных секциЯ, каждая иэ которых содержит активное сопротивление, зашунтированное коммутатором.На чертеже показана предлагаемая система формирования мощных импульсов.Индуктивный накопитель 1 подключен к источнику постоянного тока 2 через коммутаторы 3-5. Параллельно коммутатору 4 подключена нагрузка 6 и делитель из активных сопротивле- ний 7. Параллельно ка;хдому активному сопротивлению 7 подключен коммутатор 8устройство работает следующим образом.598526 Формула изобретения Составитель В.Рыжковактор Л.Батанова Техред Н.Граб Корректрр О.Билак аз е Тираж 885 арственного изобретений осква, Ж9212/71ВНИИПИ Гос по дела 113035,Подписномитета СССОткрытийаушская на к филиал ППП"Патент", г.ужгород,ул.Проектная,4...
Гаситель энергии лавины
Номер патента: 1548313
Опубликовано: 07.03.1990
Автор: Иванов
МПК: E01F 7/04
Метки: гаситель, лавины, энергии
...КаТехред М. Дидык ова Корректор еда кто огулич ск щ щщщщ щ щщщиПодписное аказ 118 Тираж ИИПИ Государственного комитет 113035, Москва, ри ГКНТ ССС по изобИ, Ра ениям и открытиям кая наб., д. 4/5 роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул. Гагарина, 191 Йзобретенйе относится к инженер" ной защите сооружения вгорной местности, в частности дорог; и может5 быть использовано для защиты объектов от грязекаменных потоков.Цель изобретения - повышение надежности гашения энергии .На фиг. 1 изображен лавиногаситель продольный разрез, на фиг. 2 - раз рез АщА на Фиг. 1.Лавиногаситель включает стойки 1, удерживающий экран 2, тросовые оттяжки 3, плиту 4, (выполняющую функцию демпфера) и монтажную подпорку 5. 15 Заделанные в грунт...
9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо феноксазин-5 дицианметилен в качестве термонапыляемого фоторезиста для сухой литографии
Номер патента: 1556076
Опубликовано: 07.08.1992
Авторы: Агабеков, Алексеев, Гудименко, Игнашева, Лабунов, Солдатов
МПК: C07D 265/38, G03C 1/72, H01L 21/312
Метки: 9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо, дицианметилен, качестве, литографии, сухой, термонапыляемого, феноксазин-5, фоторезиста
...ФРтолщиной 1,1 мкм (пример 2) обрабатывают ионами аргона с Е = 30 кэВ, Р = 110 ион/ /см, 1 = 50-80 мкЛ/см и помещают в установку плаэмохимического травления 08-ПХ 0-100 Т, где обрабатывают плазмой "Хладон" (СР) при следующих условиях: давление в камере 1 мм рт.ст мощность 1,8 кВт, ток 0,7 А, время травления 3 мцн, В этих условиях скорость травления, рассчитанная по изменению толщины пленки за Ю время воздействия плазмы, Ч = 100 А/ /мин. Селективцость транлеция, определяемая отношением скорости травления9810/Чб = 1000 Л/миц к скорости траволения маски, Б = 10. 25П р и м е р 14. Пластину 80 на КДБ-О,З с пленкой ФРтолщиной ,1 мкм (пример 2) облучают излучением лампы ДРЦ 1-000 (доза 8-10 Дж/см ) и помещают в установку илазмохимцческого...
Делитель частоты следования импульсов
Номер патента: 1150755
Опубликовано: 15.04.1985
МПК: H03K 23/00
Метки: делитель, импульсов, следования, частоты
...коэффициенту деления. В качестве счетчика 6 импульсов использованы микросхемы К 500 ИЕ 13.Кольцевой сдвиговый регистр 7 и статический регистр 8 совместно образуют регистр хранения кода целой и дробной частей коэффициента деления. При этом кольцевой сдвиговый регистр 7 предназначен для записи и хранения информации о величине дробной части коэффициента деления, а также команд о необходимости пропуска импульса и подключения через электронный коммутатор 3 выбранного элемента задержки фазосдвигающего элемента 2. Кольцевой сдвиговый регистр 7 в общем случае имеет и+1 разряд по ширине, где и определяет значение задержки, выбираемой электронным коммутатором 3 в данный момент времени, и один разряд определяет момент, в который нужно...
Предыдущий патент: Способ реагентной разглинизации скважин
Следующий патент: Устройство для дистанционного ультразвукового контроля сварных соединений труб
Случайный патент: Способ очистки пиролизной фракции с4 углеводородов от примеси бутадиена