Патенты с меткой «поликремниевым»

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...