Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий вытравливание в кремниевой подложке рельефа, формирование на рельефе слоя изолирующего оксида кремния, осаждение легированного слоя поликремния, наращивание опорного слоя поликремния, удаление части подложки с вскрытием монокремниевых участков, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния, слой легированного поликремния осаждают толщиной 0,5 - 2,0 мкм, а в качестве легирующего элемента используют бор с концентрацией в слое поликремния 1017 - 2 
1020 см-3.
Описание
Целью изобретения является улучшение электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния.
П р и м е р. В качестве исходной используют кремниевую подложку ориентации (100), легированную фосфором до концентрации 8
1014 см-3. Для получения рельефа на подложках формируют слой оксида кремния толщиной 0,6 мкм при 1150оС с использованием цикла окисления (сухой кислород - влажный кислород - сухой кислород) в течение 40 мин и проводят фотолитографию для локального удаления слоя оксида кремния. В областях с удаленным оксидом кремния проводят анизотропное травление кремния в смеси 1,5N раствора КОН, изопропилового спирта и перекиси водорода на глубину 30-33 мкм. Затем формируют слой изолирующего оксида кремния толщиной 1,5 мкм при 1150оС с использованием цикла окисления (сухой кислород - влажный кислород - сухой кислород) в течение 4 ч. Затем при 800оС осаждают слой поликремния толщиной 1,5 мкм пиролизом моносилана с легированием его бором (источник - трибромид бора) до концентрации 5 1018 см-3. После этого наращивают опорный нелегированный слой поликремния до толщины 350 мкм водородным восстановлением тетрахлорида кремния при 1200оС в течение 2,5 ч. Затем проводят шлифовку опорного слоя и вскрытие монокристаллических участков шлифовкой обратной стороны подложки с последующей полировкой.Результаты исследования вольт-фарадных характеристик системы кремний - оксид кремния с затворами из поликремния толщиной 0,6-0,8 мкм при толщине слоя оксида кремния 200 нм (окисление в сухом кислороде) представлены в таблице.
Данный способ позволяет улучшить электрические характеристики интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния. (56) Малинин А. Ю. и др. Получение кремниевых матриц с диэлектрической изоляцией для интегральных схем. - Электронная техника. Сер. 6, материалы, вып. 8, 1972, с. 117-124.
Брюхно Н. А. и др. Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией для изделий микроэлектроники. Обзоры по электронной технике. Сер. 3, Микроэлектроника, вып. 4 (1304). М. : ЦНИИ "Электроника", 1987, с. 12.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении структур интегральных схем с диэлектрической изоляцией компонентов. Цель изобретения - улучшение электрических характеристик интегральных схем за счет уменьшения и стабилизации заряда в слое изолирующего оксида кремния. В кремниевой подложке вытравливают рельеф, формируют на рельефе слой изолирующего оксида кремния, осаждают слой поликремния толщиной 0,5 - 2,0 мкм, легированный бором с концентрацией 1017-2
1020cм-3 , после чего наращивают опорный слой поликремния и удаляют часть подложки с вскрытием монокремниевых участков. 1 табл. Рисунки
Заявка
4276978/25, 06.07.1987
Прокофьев С. П, Урицкий В. Я, Шаталов В. Ф
МПК / Метки
МПК: H01L 21/82
Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем
Опубликовано: 15.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1480683-sposob-izgotovleniya-kremnievykh-struktur-s-diehlektricheskojj-izolyaciejj-komponentov-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией компонентов интегральных схем</a>
Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах
Номер патента: 1736304
Опубликовано: 20.03.1998
Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский
МПК: H01L 21/324
Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах
Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...
Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке
Номер патента: 1598776
Опубликовано: 20.05.2000
Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, изолирующей, носителей, подвижности, подложке, слоях, эпитаксиальных
Способ определения подвижности носителей заряда в эпитаксиальных слоях на изолирующей подложке, заключающийся в создании поверхностного барьерного контакта к эпитаксиальному слою, приложении к структуре высокочастотного тестирующего напряжения и напряжения постоянного смещения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения подвижности у границы раздела подложка - пленка, к структуре дополнительно прикладывают низкочастотное модулирующее напряжение и измеряют зависимость сигнала производной емкости по напряжению от напряжения смещения, находят отношение сигнала в максимуме измеренной зависимости к сигналу при нулевом смещении, после чего по величине этого отношения по...
Способ изготовления моп-транзисторов интегральных схем
Номер патента: 1421186
Опубликовано: 10.05.1996
Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков
МПК: H01L 21/82
Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...
Способ изготовления структур кмоп больших интегральных схем
Номер патента: 1431619
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Ачкасов, Гитлин, Кадменский, Левин, Остроухов
МПК: H01L 21/8238
Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем
...стравливают первый подзатворный слойоксида кремния б с активных областей 15 на подложке 1 и карманах 5 (см, фиг.5). После химической отмывки окислением в водяном 25 паре при 800 С на поликремнии 12 выращивают слой изолирующего оксида кремния 16 толщиной 0,25 мкм и при 1000 ОС в кислороде выращивают второй слой подзатворного оксида кремния 17 на активных областях 15 З 0 толщиной 60 нм (см. Фиг.б). Пиролизом моносилана при пониженном давлении осаждают второй. защитный слой поликремния 18 толщиной 0,1 мкм, на котором формируют фоторезистивную маску 19, закрываюЗ 5 щую активную область карманов 5, иионной имплантацией бора (60 кэВ;0,02 мК "см ) проводят подгонку порогового напряжения транзисторов, формируемых в подложке 1, создавая области...
Способ изготовления структур больших интегральных кмоп схем
Номер патента: 1790316
Опубликовано: 27.09.1995
Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков
МПК: H01L 21/82
Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем
...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...
Предыдущий патент: Способ получения циклопентена
Следующий патент: Устройство для облучения
Случайный патент: Корпус плуга к орудиям для укрывки виноградных кустов