Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1228722
Авторы: Алейникова, Кислякова, Кондратьев, Сутырин, Тимашев, Федорец, Федосов
Формула
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, включающий изготовление кристалла с топологией резонатора, монтаж кристалла в корпус и подстройку центральной частоты резонатора путем обработки в ВЧ-плазме, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов, обработку проводят в ВЧ-плазме нейтрального газа.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обработку проводят в плазме аргона при давлении аргона 13,3 - 26,6 Па, в течение 120 - 600 с, причем в зависимости от требуемой величины подстройки время обработки определяется как
t=
где t - время обработки, с;
f - частота устройства до постройки;f - требуемая величина подстройки частоты;
- коэффициент пропорциональности, численно равный (1 - 2)
106 с.
Описание
Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов за счет улучшения воспроизводимости обработки в плазме и улучшения долговременной стабильности резонаторов.
П р и м е р. Изготавливают ПАВ-резонаторы для микросхем типа 321ФЕ1. Структуры резонаторов изготавливают на кристаллах из пьезокварца Т-среза. В центральной части кристалла структуры содержат два симметричных встречно-штыревых преобразователя (ВШП) с алюминиевыми электродами толщиной 500-700


Отклонение центральной частоты от номинального значения согласно ТУ должно быть не более

Изготовление структуры монтируют в корпус и измеряют у них центральную частоту. Для наблюдения амплитудно-частотной характеристики резонаторов используют прибор типа Х1-43. Центральную частоту резонаторов определяют с помощью электронно-счетного частотомера типа 4 3-54. После этого приборы, частота которых была ниже заданного интервала, обрабатывают в ВЧ-плазме аргона или азота на установке "Плазма 600Т" в следующих режимах: ток анода 0,4-0,6 А, ток сети 40-50 мА; давление аргона в различных экспериментах изменяют от 6,7 до 400 Па, время обработки - от 60 до 900 с. Результаты показывают, что в первые 480-600 с обработки центральная частота примерно линейно увеличивается на 200-300 кГц, а при дальнейшем увеличении времени обработки практически не меняется. (56) Chreve W. R. Proc. 1977 Ultrasonic Symposium p. 272-276.
Tanski W. J. Surface Acoustic Wave frequency trimming of resonant and travelling wave devices on quartz. Appl. Phys. Lett. v. 39, N 1, July. 1981, p. 40-42.
Заявка
3783824/25, 24.08.1984
Алейникова Е. А, Кислякова О. В, Кондратьев Ю. П, Сутырин В. М, Тимашев В. В, Федорец В. Н, Федосов В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: акустических, волнах, поверхностных, резонаторов
Опубликовано: 28.02.1994
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1228722-sposob-izgotovleniya-rezonatorov-na-poverkhnostnykh-akusticheskikh-volnakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления мдп-транзисторов интегральных микросхем с поликремниевым затвором
Следующий патент: Детектор рентгеновского излучения и способ его изготовления
Случайный патент: Способ переработки древесной зелени сибирской пихты